汎用SRAM製品アウトライン

ルネサス SRAM製品

アウトライン

独自技術による高信頼性製品と長期安定供給で

お客様システムを万全サポート

2021.02.01版

ルネサス エレクトロニクス株式会社

ＩＯＴ・インフラ事業本部

インダストリアル・コミュニケーション事業部

汎用メモリ製品課

SRAM-2021-J-0201-1

メモリの種類とルネサスのラインナップ

揮発性メモリ

不揮発性メモリ

RAM

DRAM

SRAM

ROM

Dynamic Random Access Memory Static Random Access Memory Random Access Memory Read Only Memory

PBSRAM

Pipeline Burst SRAM

ZBT タイプ (NoBL, NtRAM)

Zero Bus Turnaround SRAM

QDR (Quad Data Rate) SRAM

DDR (Double Data Rate) SRAM

Mask ROM

Programmable ROM

EPROM

Erasable Programmable ROM

EEPROM

Electrically Erasable Programmable ROM

Flash Memory

汎用メモリ製品課 担当製品



電源（Vcc）を落とすと

記憶内容は消失（=揮発）



バッテリー(電池)の併用で

不揮発メモリを構成可



電源（Vcc）を落としても

記憶内容を保持（=不揮発）



電気的に書換え可能な製品では

書換え回数に制限（=寿命）あり

非同期 SRAM

Asynchronous SRAM

同期型 SRAM

Synchronous SRAM

低消費電力SRAM

Low Power SRAM

シンクロナス

高速SRAM

Fast SRAM エイ-シンクロナス

シリアル EEPROM

パラレル EEPROM



“One-Renesas” として 様々なアプリケーションに最適のメモリソリューションを提供して行きます

メモリ製品ポートフォリオ

Types of Memory

Products

Offered by

低消費電力SRAM

 (5V, 3V) 256Kb, 1Mb, 4Mb  _{(3V) 2Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb}

非同期高速SRAM

 (5V, 3.3V) 4Mb  (5V), 16Kb, 64Kb  (5V, 3.3V) 256Kb, 1Mb  _{(3.3V) 4Mb}

同期式（超高速）SRAM

 Pipeline Burst / Flow-through

1Mb, 2Mb (x32), 4Mb, 9Mb (x18, x36)

 Zero Bus Turnaround (ZBT)

4Mb, 9Mb, 18Mb (x18,x36)

特殊メモリ（専用メモリ）



_

Multi-port Memory

_FIFO

MRAM

 Q-SPI (up to 108MHz): 4Mb, 8Mb, 16Mb

EEPROM

 Serial I/F: I2C / SPI, 1.8 ~ 5.5V

2Kb, 4Kb, 8Kb, 16Kb, 32Kb, 64Kb, 128Kb, 256Kb, 512Kb  _{Parallel I/F: 1.8 ~ 5.5V} 64Kb, 256Kb, 1Mb

本資料にて

ご紹介

ルネサス汎用SRAM：特長と用途

特長



高信頼性



ECC内蔵不要の卓越したソフトエラー耐性



ラッチアップの発生しないメモリセル構造



長期安定供給



長期製品供給プログラム（PLP）対応



豊富なラインナップ



256Kビットから 業界最大容量64Mビットまで

すべてがソフトエラー対策製品



根強い要求のある電源電圧5V品の継続対応



容量互換性のある多彩なパッケージ展開

用途・分野別採用実績



一般産業



FA機器, CNC機器, PLC, 自動販売機, 自動改札機, 銀行ATM,

etc.



通信機器



ルーター, 交換機, 基地局装置, etc.



社会インフラ



エレベータ, 輸送システム, 鉄道システム, 交通信号システム,

スマートグリッド機器, etc.



OA機器



多機能プリンタ（複合機）, etc.



民生機器



アミューズメント機器, 電子楽器, 電卓, etc.



車載アクセサリ（非駆動系機器）



ETC関連機器, デジタルタコメーター, etc.



医療・ヘルスケア



医療用電子機器, etc.

汎用SRAMロードマップ

量産中

新製品



256Kbから64Mbまで、幅広いラインナップで長期安定供給中



新製品：0.11um 32Mb / 64Mb LP-SRAM 量産中

Pag

e 5

SRAM type

容量・電源電圧

CY2019

2020

2021

2022

2023

2024

0.15um Advanced LPSRAM

256Kb 5V/3V, 1Mb 5V/3V,

2Mb 3V, 4Mb 5V

32Mb 3V

0.11um Advanced LPSRAM

低消費電力

SRAM

16Mb 3V

0.13um CMOS (ECC

内蔵)

非同期

高速SRAM

4Mb 3V/5V

0.18um CMOS (ECC

非内蔵)

4Mb 3V, 8Mb 3V,

16Mb 3V,32Mb 3V(16Mbx2)

0.11um Advanced LPSRAM

MP NOW

64Mb 3V

0.15um

0.11um Advanced LPSRAM

0.15um

2021年2月現在

0.11um 32Mb/64Mb製品仕様【新製品】

32Mb

48-TSOP(I) 48-FBGA 52-uTSOP

製品型名

R1LV3216R シリーズ

RMLV3216A シリーズ

アクセス時間

tAA

55ns

55ns

動作時電流

Icc1

55mA (Max.)

35mA (Max.)

待機時電流

ISB1

4uA (Typ.)@25℃

_{80uA (Max.)@85℃}

0.6uA (Typ.)@25℃

_{24uA (Max.)@85℃}

データ保持電圧

VDR

2.0V

1.5V

64Mb

(MCP:32Mb x2) 48-TSOP(I) 48-FBGA 52-uTSOP

製品型名

R1WV6416R シリーズ

RMWV6416A シリーズ

アクセス時間

tAA

55ns

55ns

動作時電流

Icc1

60mA (Max.)

38mA (Max.)

待機時電流

ISB1

8uA (Typ.)@25℃

_{160uA (Max.)@85℃}

1.2uA (Typ.)@25℃

_{46uA (Max.)@85℃}

データ保持電圧

VDR

2.0V

1.5V

0.15umプロセス品 0.11umプロセス品

単なる世代交代でなく、消費電力の大幅低減による付加価値を提供します！

スタンバイ電流

大幅に低減！

スタンバイ電流

大幅に低減！

SRAM＋電池バックアップの基本的構成

CS#

SRAM

VCC VSS

システム (レギュラー) 電源

VBK VBAT CS#

MCU

VCC VSS *SRAM チップセレクト VCC IN VSS RESET VBAT VOUT CEOUT CEIN OE# WE# RD# WR# Address Bus Data (I/O) Bus

SRAM電源切替え回路

VCC バックアップ 電池

電源監視IC（一例）

不揮発RAM（NVRAM）を構成し、電源遮断時にもデータを保持する用途

・低スタンバイ電流 ＝ 電池の長寿命化に寄与

・低ソフトエラー率 ＝ 長期データ保持への信頼度

ソフトエラーについて

図２．宇宙線によるソフトエラー

磁気

大気との核反応

対流圏

地球磁場

北極

成層圏 電離層

地

球

海面高度20km 50km 500km

二次宇宙線(主に中性子)

大気中分子との核反応

ｿﾌﾄｴﾗｰ

一次宇宙線（銀河系深遠から）

N拡散層 Pウェル

絶縁膜

素子分離 ゲート電極

モールド樹脂

配線

図１．アルファ線によるソフトエラー

※主にフィラー材（シリカ粒）中の 天然放射性元素に因る。

α

線



メモリの内容が、ごくまれにビット反転を起こして不良として顕在化する現象。別にSingle Event Upset（SEU）

とも呼ばれる。恒久的なハード不良ではなく、MCU側から正しいデータに書き直すことができる。



’90年代初め頃までは、半導体パッケージ材料にごく微量に含まれる放射性同位元素から発生する

アルファ線（α線）が主因とされた。（図１）



‘90年代以降、半導体デバイスのプロセスルールが0.1um (100nm)以下に微細化されてくると、

他社製品との差別化

ルネサス製品は、256Kbから64Mbまで 全てがソフトエラーフリー！

Supplier Process 256Kb 1Mb 2Mb 4Mb 8Mb 16Mb 32Mb 64Mb Remarks

ルネサス

LP-SRAM

0.13um CMOS

ECC内蔵

✔

2003年 量産開始（16Mbのみ）

0.15um

Advanced

✔

✔

✔

_(5V品)

✔

0.11um Advanced へ 世代交代 2004年 量産開始（16Mbから）

0.11um Advanced _(3V品)

✔

✔

✔

✔

✔

2013年 量産開始（4Mbから）

A社

LP-SRAM 90nm CMOS ECC無し

EOL

✔

✔

✔

✔

✔

✔

✔

90nmプロセス製品（注） 65nm CMOS ECC内蔵

✔

✔

✔

✔

✔

65nmプロセス製品（注）

B社

LP-SRAM CMOS ECC無し

✔

✔

✔

✔

✔

✔

32Mb以上の製品無し（注） CMOS ECC内蔵

✔

✔

16Mb以上の製品無し（注）

✔ 量産中

（注） 一般公開情報や営業情報等に基づくルネサスの認識。 他社殿の公式アナウンス情報ではありません。

ソフトエラー対策？

YES

NO

R1LV1616Hシリーズ

（ECC内蔵）

ECC: Error Check and Correction；誤り検出＆訂正



0.13um CMOSプロセス



Full CMOS (6ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ) メモリセル



45ns アクセス



低スタンバイ電流：

0.5uA Typ. / 8uA Max.



高信頼性：

ソフトエラー対策として

ECC内蔵（交互エラー訂正方式）

内部Data: 128bit

Parity: 10bit

内部Data: 128bit

外部Data: I/O 16bit

図A: ECCアーキテクチャ

※

メモリセルの内容までは修正しない。

（メモリセル） （処理用ラッチ回路） （外部I/O端子） データ読出し パリティチェック （シンドローム生成） エラー訂正 I/Oからデータ入力 データ入れ換え パリティ生成 メモリセルに 書込み

図B: 書込み時の内部フロー

（128+10 bit） （128+10 bit） （128bit） （16bit） （128bit） （128+10 bit）

ECC回路

1ビットエラー訂正可

多重セルエラー対策：

物理的に隣り合うメモリセルには、

互いに異なったWordアドレスを割り付ける。

別称 “ビット・インターリーブ方式”

Advanced LPSRAM

プロセス・デバイス技術

Advanced SRAM等価回路図



ルネサス独自技術により、高信頼性と低スタンバイ電流を両立させた低消費電力SRAM



ロードTr.をTFTとすることで Si基板内に寄生サイリスタ(PNPN構造)を作らずラッチアップフリー

“H” _“L” ON OFF OFF ON access (NMOS) driver (NMOS) capacitor node _{node #} BIT GND GND BIT# WORD Vcc TFT (PMOS) Vcc 下部構造: Si基板にNMOSを形成 第1の積層構造: P型TFTをNMOSの 上層に形成

(TFT: thin film transistor) 第2の積層構造 : 専用のキャパシタ素子 （寄生容量ではない） ラッチアップ フリー: Si基板内に 寄生サイリスタ （PNPN構造）が存在しない。 ソフトエラーフリー: 高エネルギー粒子の 入射に耐える 充分な電荷量を確保 低スタンバイ電流: トランジスタの リーク電流を最適化

Advanced LPSRAM メモリセル 3Dイメージ



記憶ノードにDRAM相当のキャパシタを付加することで ソフトエラー耐性を向上

ECC内蔵無しでソフトエラーフリー（実力値）を達成！

低消費電力SRAM パッケージラインナップ

28pin 17.5 11. 93 14. 1 20.75 11. 76 20.95 1.27 13.4 8 8 13.4 20 8 0.5 0. 55 0.5 1.27 1.27

SOP

TSOP-I

sTSOP

TSOP-II

uTSOP

FBGA

0.8 11. 76 18.41 12. 00 0.5 20.00 32pin 44pin 10.79 0.4 48pin 52pin 8. 5 7.5 10. 49 256Kb 1Mb/4Mb 1Mb 1Mb/2M/4Mb 256Kb 4Mb 8Mb /16Mb /32Mb /64Mb 2Mb/4Mb /8Mb 8Mb /16Mb /32Mb /64Mb

x8 / x16

Config.

x8 Config.

(48ball) 4Mb/8Mb /16Mb /32Mb /64Mb (0.11um) 9.5 8.0 16Mb (0.13um)

ルネサスは上位互換性のあるパッケージを6種類提供しており、

プリント基板を変更することなく メモリ容量を拡張することができます。

低消費電力SRAMラインナップ(256Kb)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.15um

Advanced 256Kbit 32K x 8

R1LP5256ESA-5SI R1LP5256ESA-5SI#B1 TSOP-I (28) Tray 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP5256ESA-5SI#S1 TSOP-I (28) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP5256ESP-5SI R1LP5256ESP-5SI#B1 SOP (28) Magazine 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP5256ESP-5SI#S1 SOP (28) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031

0.15um

Advanced 256Kbit 32K x 8

R1LV5256ESA-5SI R1LV5256ESA-5SI#B1 TSOP-I (28) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV5256ESA-5SI#S1 TSOP-I (28) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV5256ESP-5SI R1LV5256ESP-5SI#B1 SOP (28) Magazine 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV5256ESP-5SI#S1 SOP (28) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

（注）マガジン(Magazine)、チューブ(Tube)、スティック(Stick)と呼ばれる容器を、 ここではすべて「マガジン(Magazine) 」と表記します。

低消費電力SRAMラインナップ(1Mb~2Mb)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.15um

Advanced 1Mbit 128K x 8

R1LP0108ESA-5SI R1LP0108ESA-5SI#B1 sTSOP (32) Tray 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0108ESA-5SI#S1 sTSOP (32) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0108ESF-5SI R1LP0108ESF-5SI#B1 TSOP-I (32) Tray 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0108ESF-5SI#S1 TSOP-I (32) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0108ESN-5SI R1LP0108ESN-5SI#B1 SOP (32) Magazine 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0108ESN-5SI#S1 SOP (32) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031

0.15um

Advanced 1Mbit 128K x 8

R1LV0108ESA-5SI R1LV0108ESA-5SI#B1 sTSOP (32) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0108ESA-5SI#S1 sTSOP (32) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0108ESF-5SI R1LV0108ESF-5SI#B1 TSOP-I (32) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0108ESF-5SI#S1 TSOP-I (32) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0108ESN-5SI R1LV0108ESN-5SI#B1 SOP (32) Magazine 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0108ESN-5SI#S1 SOP (32) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

0.15um

Advanced 2Mbit

256K x 8 R1LV0208BSA-5SI R1LV0208BSA-5SI#B1 sTSOP (32) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0208BSA-5SI#S1 sTSOP (32) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 128K x16 R1LV0216BSB-5SI R1LV0216BSB-5SI#B1 TSOP-II (44) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV0216BSB-5SI#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

低消費電力SRAMラインナップ(4Mb)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.15um

Advanced 4Mbit 512K x 8

R1LP0408DSB-5SI R1LP0408DSB-5SI#B1 TSOP-II (32) Tray 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0408DSB-5SI#S1 TSOP-II (32) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0408DSP-5SI R1LP0408DSP-5SI#B1 SOP (32) Magazine 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LP0408DSP-5SI#S1 SOP (32) Tape & Reel 55ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2031

0.11um

Advanced 4Mbit

512K x 8

RMLV0408EGSA-4S2 RMLV0408EGSA-4S2#AA1 sTSOP (32) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0408EGSA-4S2#KA1 sTSOP (32) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0408EGSB-4S2 RMLV0408EGSB-4S2#AA1 TSOP-II (32) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0408EGSB-4S2#HA1 TSOP-II (32) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0408EGSP-4S2 RMLV0408EGSP-4S2#CA1 SOP (32) Magazine 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0408EGSP-4S2#HA1 SOP (32) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

256K x 16

RMLV0414EGSB-4S2 RMLV0414EGSB-4S2#AA1 TSOP-II (44) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0414EGSB-4S2#HA1 TSOP-II (44) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0416EGBG-4S2 RMLV0416EGBG-4S2#AC0 FBGA (48) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0416EGBG-4S2#KC0 FBGA (48) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0416EGSB-4S2 RMLV0416EGSB-4S2#AA1 TSOP-II (44) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0416EGSB-4S2#HA1 TSOP-II (44) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

低消費電力SRAMラインナップ(8Mb)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.11um

Advanced 8Mbit

1M x 8 RMLV0808BGSB-4S2 RMLV0808BGSB-4S2#AA0 TSOP-II (44) Tray 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0808BGSB-4S2#HA0 TSOP-II (44) Tape & Reel 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 512K x 16 RMLV0816BGBG-4S2 RMLV0816BGBG-4S2#AC0 FBGA (48) Tray 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0816BGBG-4S2#KC0 FBGA (48) Tape & Reel 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 512K x 16

/ 1M x 8 RMLV0816BGSA-4S2

RMLV0816BGSA-4S2#AA0 TSOP-I (48) Tray 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0816BGSA-4S2#KA0 TSOP-I (48) Tape & Reel 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 512K x 16 RMLV0816BGSB-4S2 RMLV0816BGSB-4S2#AA0 TSOP-II (44) Tray 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0816BGSB-4S2#HA0 TSOP-II (44) Tape & Reel 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 512K x 16

/ 1M x 8 RMLV0816BGSD-4S2

RMLV0816BGSD-4S2#AA1 uTSOP (52) Tray 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV0816BGSD-4S2#HA1 uTSOP (52) Tape & Reel 45ns 2.4V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

低消費電力SRAMラインナップ(16Mb)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.13um CMOS 16Mbit ECC embedded 1M x 16

R1LV1616HBG-4SI R1LV1616HBG-4SI#B0 FBGA (48) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV1616HBG-4SI#S0 FBGA (48) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV1616HBG-5SI R1LV1616HBG-5SI#B0 FBGA (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV1616HBG-5SI#S0 FBGA (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

1M x 16 / 2M x 8

R1LV1616HSA-4SI R1LV1616HSA-4SI#B1 TSOP-I (48) Tray 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV1616HSA-4SI#S1 TSOP-I (48) Tape & Reel 45ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV1616HSA-5SI R1LV1616HSA-5SI#B1 TSOP-I (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 R1LV1616HSA-5SI#S1 TSOP-I (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

0.11um

Advanced 16Mbit

1M x 16 RMLV1616AGBG-5S2 RMLV1616AGBG-5S2#AC0 FBGA (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 RMLV1616AGBG-5S2#KC0 FBGA (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030

1M x 16 / 2M x 8

RMLV1616AGSA-5S2 RMLV1616AGSA-5S2#AA0 TSOP-I (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 RMLV1616AGSA-5S2#KA0 TSOP-I (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 RMLV1616AGSD-5S2 RMLV1616AGSD-5S2#AA1 uTSOP (52) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV1616AGSD-5S2#HA1 uTSOP (52) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

低消費電力SRAMラインナップ(32Mb~64Mb)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.11um

Advanced 32Mbit 2M x 16 RMWV3216AGBG-5S2

RMWV3216AGBG-5S2#AC0 FBGA (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 RMWV3216AGBG-5S2#KC0 FBGA (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030

0.11um Advanced

32Mbit

New product

2M x 16 RMLV3216AGBG-5S2 RMLV3216AGBG-5S2#AC0 FBGA (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV3216AGBG-5S2#KC0 FBGA (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

2M x 16 / 4M x 8

RMLV3216AGSA-5S2 RMLV3216AGSA-5S2#AA0 TSOP-I (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV3216AGSA-5S2#KA0 TSOP-I (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV3216AGSD-5S2 RMLV3216AGSD-5S2#AA0 uTSOP (52) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMLV3216AGSD-5S2#HA0 uTSOP (52) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

0.11um Advanced

64Mbit

New product

4M x 16 RMWV6416AGBG-5S2 RMWV6416AGBG-5S2#AC0 FBGA (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMWV6416AGBG-5S2#KC0 FBGA (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

4M x 16 / 8M x 8

RMWV6416AGSA-5S2 RMWV6416AGSA-5S2#AA0 TSOP-I (48) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMWV6416AGSA-5S2#KA0 TSOP-I (48) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMWV6416AGSD-5S2 RMWV6416AGSD-5S2#AA0 uTSOP (52) Tray 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031 RMWV6416AGSD-5S2#HA0 uTSOP (52) Tape & Reel 55ns 2.7V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2031

高速SRAMラインナップ(4Mb, 5V)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.18um

CMOS 4Mbit

512K x 8

R1RP0408DGE-2LR R1RP0408DGE-2LR#B1 SOJ (36) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C -R1RP0408DGE-2PI R1RP0408DGE-2PI#B1 SOJ (36) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C -R1RP0408DGE-2PR R1RP0408DGE-2PR#B1 SOJ (36) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C

-256K x 16

R1RP0416DGE-2LR R1RP0416DGE-2LR#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C -R1RP0416DGE-2PI R1RP0416DGE-2PI#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C -R1RP0416DGE-2PR R1RP0416DGE-2PR#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C -R1RP0416DGE-2SR R1RP0416DGE-2SR#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C

-256K x 16

R1RP0416DSB-0PI R1RP0416DSB-0PI#D1 TSOP-II (44) Tray 10ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-0PR R1RP0416DSB-0PR#D1 TSOP-II (44) Tray 10ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-2LR R1RP0416DSB-2LR#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-2LR#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-2PI R1RP0416DSB-2PI#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 4.5V to 5.5V -40 to 85 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-2PR R1RP0416DSB-2PR#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-2PR#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RP0416DSB-2SR R1RP0416DSB-2SR#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 4.5V to 5.5V 0 to 70 °C Mar. 2030

高速SRAMラインナップ(4Mb, 3.3V)

Wafer

Process Density Config.Bit Catalog Part Name Orderable Part Name (pinout)Package PackingType Access Time OperatingVoltage TemperatureOperating periodPLP

0.18um

CMOS 4Mbit

512K x 8

R1RW0408DGE-2LR R1RW0408DGE-2LR#B1 SOJ (36) Magazine 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C -R1RW0408DGE-2PI R1RW0408DGE-2PI#B1 SOJ (36) Magazine 12ns 3.0V to 3.6V -40 to 85 °C -R1RW0408DGE-2PR R1RW0408DGE-2PR#B1 SOJ (36) Magazine 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C

-256K x 16

R1RW0416DGE-2LR R1RW0416DGE-2LR#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C -R1RW0416DGE-2PI R1RW0416DGE-2PI#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 3.0V to 3.6V -40 to 85 °C -R1RW0416DGE-2PR R1RW0416DGE-2PR#B1 SOJ (44) Magazine 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C

-256K x 16

R1RW0416DSB-0PI R1RW0416DSB-0PI#D1 TSOP-II (44) Tray 10ns 3.0V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-0PI#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 10ns 3.0V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-0PR R1RW0416DSB-0PR#D1 TSOP-II (44) Tray 10ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-0PR#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 10ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-2LR R1RW0416DSB-2LR#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-2PI R1RW0416DSB-2PI#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 3.0V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-2PI#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 12ns 3.0V to 3.6V -40 to 85 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-2PR R1RW0416DSB-2PR#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-2PR#S1 TSOP-II (44) Tape & Reel 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C Mar. 2030 R1RW0416DSB-2SR R1RW0416DSB-2SR#D1 TSOP-II (44) Tray 12ns 3.0V to 3.6V 0 to 70 °C Mar. 2030

低消費電力SRAM 発注型名

R1 L V 5256 E SA - 5 S I #B1

R1 L P 04 08 D SP - 5 S I #B0

RM L V 04 16 E G SB - 4 S 2 #A A 1

RENESAS Memory Chip configuration

L LPSRAM, Single chip

W LPSRAM, Two chips

Operating Voltage V 3V P 5V 5256 256Kb (x8) 01 1Mb 02 2Mb 04 4Mb 08 8Mb 16 16Mb 32 32Mb 64 64Mb Memory Density 08 x8 16 x16 Bus Width Industrial Grade Chip Generation Packing Environmental

#B0 / #B1 Tray or Magazine Pb free

#S0 / #S1 Tape & Reel Pb free

Packing, Environmental

Assembly Site Rev. , etc.

0 Rev. Code

1 Rev. Code

Environment

A Pb free (pure-Tin plating)

C Pb free (non pure-Tin plating)

Packing A Tray

C Magazine

H Tape & Reel (TSOP, uTSOP, SOP)

K Tape & Reel (FBGA, sTSOP)

Operating Temperature

R 0 to 70 deg. C

I -40 to 85 deg. C

2 -40 to 85 deg. C

Stand-by current / Data retention current

L Standard

S Low power version

Access time 5 55 ns 4 45 ns SA TSOP-I (256Kb/8Mb/16Mb/32Mb/64Mb) sTSOP (1Mb/2Mb/4Mb) SB TSOP-II SD μTSOP SF TSOP-I (1Mb) SP SOP (256Kb, 4Mb) SN SOP (1Mb) Package Type

高速 4Mb SRAM 発注型名

R1 R W 04 16 D SB - 2 P I #D1

RENESAS Memory Fast SRAM Operating Temperature Chip generation 04 4Mb R 0 to 70 deg C I -40 to 85 deg C

Example shown here: Part number R1RW0416DSB-2PI#D1

Packing Environmental

#B0 / #B1 Magazine (SOJ) Pb free #D0 / #D1 Tray (TSOP) Pb free #S0 / #S1 Tape & Reel Pb free

Memory density 08 x8 16 x16 Package type GE SOJ SB TSOP-II

Stand by current / Data retention current

P Standard

L Low power version S Super Low power version

Packing, Environmental Operation Voltage W 3.3V P 5V Bus Width Access time 2 12 ns 0 10 ns