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マイクロ波を用いた金属表面傷検出に関する研究

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Academic year: 2021

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マイクロ波を用いた金属表面傷検出に関する研究

日大生産工(院)○志久間  仁 日大生産工        黒岩  孝 日大生産工        坂口  浩一 日大生産工        松原  三人 溝が開口部の中心となるように同軸導波管変 換器を配置した.このときの金属表面上電流 分布や開口部上電界強度等を求め,実験結果 との関連性について検討する. 

 

3. 結果 

はじめに導波管開口部の電界方向と溝を平 行にし,x方向に導波管を移動させて溝の有無 によるS11振幅差を調べた実験結果[2]を図 2 に 示す.図は溝幅wをλ/33,深さdをλ/66,距 離 h をλ/33 にしたときの開口部中心からの 1. はじめに 

現在,金属表面傷を検出する非破壊検査技 術は種々あるがマイクロ波を用いたものは少 ない[1].これは,金属表面傷が散乱電磁波へ及 ぼす影響を検出するとき,金属表面でマイク ロ波がほぼ完全反射されるため,小さな傷を 検出するのが困難なためである.しかしマイ クロ波を用いることにより,金属表面傷が塗 装等で見えない状態での検出や,被検査物に 非接触状態で検出できるという利点がある.

そこで我々は,先に市販のX帯同軸導波管変換 器を用い金属表面傷を非接触状態で検出でき ることを実験より示した[2][3].しかしこのとき は,傷検出原理が明確となっていなかった.

そこで,傷と金属表面上電流および散乱電界 との関係を,実験結果を基にその関連性につ いて検討を行ったので結果を報告する. 

  

2. 検討方法 

  本研究では X 帯の同軸導波管変換器を用い て金属表面傷検出の検討を行った.図1に解 析モデルを示す.解析には FDTD 法を用い,周 波数は 9[GHz]とした.金属表面上の傷として 幅 w,深さ d の導波管開口部に対して十分に長 い溝を設けた.使用した導波管の開口部の寸 法は電界方向が 10[mm],磁界方向が 23[mm]で ある.開口部と金属表面との距離を h とした.

また,導波管の開口部中心を原点として磁界 方向を x 軸,電界方向を z 軸と座標を定め,

w d

z y

x h

1  解析モデル

同軸導波管変換器 金属板

h d

Study on detection of surface cracks in metals using microwave

Jin SHIKUMA,Takashi KUROIWA,Koichi SAKAGUCHI and Mitsuhito MATSUBARA

(2)

の結果は先の報告[2]で溝幅λ/66 の溝が検出 できなかったことと関係すると考えられる.

距離hに関する検討として,距離変化に対する エッジ部電流 Ie を解析より求めた.図 5 に  

溝の位置に対するS11変化量を示す.S11変化量 とは金属表面溝の有無によるS11振幅の差であ る.溝が開口部より離れているとその変化は ほとんどないが,開口部に溝が来ると変化量 が大きくなっていき開口部中央で最大とな る.このS11変化量より,マイクロ波を用いた 非接触での金属表面溝検出が可能であること がわかる.また,導波管開口部の磁界方向と 溝を平行にした場合では,溝が電界方向と平 行の場合に検出できていた溝幅w=λ/33 の検 出が困難となった.以上の結果より傷検出原 理は,マイクロ波を照射することにより金属 表面上に電流が発生し,それが傷により変化 することで散乱電界が傷情報を持つためと考 えられる.そこで,数値解析より金属表面上 電流や開口面上電界強度を求め実験結果との 関連性について検討する. 

  図 1 に示す解析モデルを制作し FDTD 法によ り数値解析を行い,金属表面上の電流値を求 めた.溝寸法は図 2 に示した実験と同様に,

溝幅 w=λ/33,深さ d=λ/66,距離 h=λ/33 と している.図 3 に溝と平行である z 軸方向の 電流振幅の差を示す.この電流振幅の差とい うのは,溝が開口部中心前方にあるときの表 面電流と,溝の無いとき同位置に流れる電流 値との差としている.結果より溝の縁である エッジ部(図中①)には強く電流が流れてい るが,それ以外では溝の有無による差は僅か しかないことがわかる.これより金属表面傷 検出には,エッジ部の電流が強く影響してい ると考えられる. 

  次に溝幅や開口部からの距離,溝の長さな どを変化させ解析を行った.まず,溝幅に対 するエッジ部の電流の関係を調べた.図 4 に 開口部中心前方に配置した溝幅に対するエッ ジ部の電流振幅の差を示す.これより,溝幅 を狭くするにつれエッジ部の電流振幅が小さ くなり,特にこの場合,λ/33 より狭い溝幅 になると急激に小さくなることがわかる. こ

-0.01 0 0.01 0.02

開口部中心からの溝の位置

S

  変化量

8.10[GHz]

9.20[GHz]

9.85[GHz]

11.05[GHz]

w=λ/33 d=λ/66 h=λ/33

11

-λ/2 0

λ

/2

開口部

2  開口部中心からの溝の位置に対する

S11変化量特性(実験値)

0 0.02 0.04 0.06 0.08

Z 電流振幅の差ΔI [mA] λ/66(エッジ部)

2λ/66

4λ/66

X f=9.0[GHz]

w=λ/33 d =λ/66 h =λ/33

-

λ

0

λ

開口部

z

0

①②

z軸方向の電流振幅の差

0 0.05 0.1

0 λ/33 2λ/33 4λ/33

f=9.0[GHz]

d=λ/66 h=λ/33

電流振幅の差ΔI[mA]

溝幅 w

4  溝幅変化に対する電流振幅の差

(3)

溝エッジ部が溝検出の大きな要因の一つであ ることが確認できる.

実験では金属表面を塗装したことを想定し て金属表面を誘電体膜で覆っての検討も行っ 距離変化に対する電流振幅の差を示す.これ

より,距離を離すにつれて振幅の差は小さく なり金属表面溝が検出しにくくなることがわ かる.これは,実験結果と同様な傾向であり,

現在の装置では距離は大きく取れないことが 分かる. 

実際に金属表面傷検出を行う際に傷が開口 部より長いとは限らない.そこで,溝の長さ についての検討を行った.図 6 に各溝の長さ に対する z 軸方向のエッジ部電流 Ie を示す.

開口部正面エッジ部電流の大きさは溝の長さ に影響されないが,エッジ部長が短いためそ の影響の仕方は開口部に対し狭い範囲とな る.これより,溝の長さが短くなると傷は検 出しにくくなると考えられる. 

次に実験では検出が困難となった,溝を導 波管開口部磁界方向と平行にした場合の解析 を行った.結果は示さないが,金属表面電流 は溝エッジ部が流れを横切るため切られ,電 流値変化は大きいエッジ部のみである.実験 では傷検出は困難となっている.このことか ら溝検出の検討は電流値変化だけではなく,

溝の影響を受けた電界からも行った.図 7 に z 軸方向に対する開口部中央での電界を示す.

電界が左右対称となっていないのは同軸導波 管変換器の変換部の影響である.これより,

金属表面溝の有無による電界の差を見る z=0 付近で僅かだが見ることができる.実験より 金属表面溝が開口部の磁界方向と平行の場合 に溝検出が困難なのは,この金属表面溝によ る電界の差が現在の実験系では検出できてい ないためだと考えられる. 

溝の形状による検討もあわせて行った.比 較に用いた三角溝を図 8 に示す.図 9 より溝 の形状について比較すると,三角溝とした場 合には溝内がテーパー状となっているため電 流の最大値が矩形溝より小さくなっているこ とがわかる.しかし,共に開口部中央で溝の 有無による電流振幅の差は大きいことから,

0 0.02 0.04 0.06 0.08

距離

h

電流 振幅 の 差 Δ

I[mA]

f=9.0[GHz]

d= λ/66 w=λ/33

λ

/33 2

λ

/33 3

λ

/33 4

λ

/33

5  距離変化に対する電流振幅の差

0 0.1 0.2

3.00λ 0.60λ 0.06λ

エッ ジ 部 電流

Ie [mA]

Z

溝の長さ

0

λ

f=9[GHz]

w=λ/33 d=λ/66 h=λ/33

開口部

6  溝の長さの検討

7  開口部中央におけるz軸上の

電界強度(溝が磁界と平行)

0 20 40 60

80 溝無し

溝有り

-

λ

0

λ

Z

電界

Ez(V/m)

開口部

f=9[GHz]

w=λ/33 d=λ/66 h=λ/33

(4)

矩形溝 三角溝

た.その結果,溝が誘電体で埋まっていない 場合では金属表面溝を開口部の電界方向と平 行にした場合でもS11の変化量が少なく傷検出 が困難であったが,溝を誘電体で埋めること によりS11の変化量が僅かであるが現れ傷検出 ができた.このことを調べるため,図 10 に示 す解析モデルを制作し金属表面上の電流分布 を求めたが,実験結果を裏付けるような特性 を見ることができなかった.そこで,誘電体 により開口部中央の電界が変化すると考え電 界強度より検討を行うこととした.図 11 にz 軸方向に対する電界Ez特性を示す.図中の溝 無しは金素行表面に溝が無く誘電体膜も張っ ていない場合,誘電体膜有りは溝の有る金属 表面を誘電体で覆った場合,誘電体膜+溝は誘 電体膜で覆いかつ溝も誘電体で埋めた場合を 示している.これより,溝無しと誘電体膜有 りには差が無いが,溝無しと誘電体膜+溝には 差が出ていることがわかる.これは,溝内誘 電体が散乱電界に影響しているためと考えら れ,実験結果の裏付けとなる. 

  マイクロ波を用いた金属表面傷検出につい て数値解析より金属表面上電流等を求め,実 験結果との関連性について検討を行った.そ の結果,傷エッジ部電流や散乱電界の変化よ り実験結果を裏付けることができた. 

  まとめ 

  マイクロ波を用いた金属表面傷検出につい て数値解析より検討を行い,傷エッジ部電流 や散乱電界の変化と実験結果との関係を明ら かにした.今後の課題として,解析結果を基 に同軸導波管変換器を改良する必要がある.

8  溝形状

9  溝形状変化による特性変化

0 0.02 0.04 0.06 0.08

-λ 0 λ

Z

電流振幅の差ΔI[mA] f=9[GHz]

w=λ/33 d=λ/66 h=λ/33 開口部

矩形溝 三角溝

h d

誘電体膜

同軸導波管変換器 金属板

10  金属表面上に誘電体膜を配置

εr=2.55

0 20 40 60

80 溝無し

誘電体膜有り 誘電体膜+溝

0 λ

Z

電界 Ez[V/m]

開口部

f=9[GHz]

w=λ/33 d=λ/66 h=λ/33

参考文献 

[1] C.Y.Yeh and R.Zoughi : IEEE, IM Vol.43, No.5, pp.719-725 (1994) 

[2]服部,志久間,坂口,黒岩,松原:2004 年信学      ソ大,C-2-109 

[3] 志 久 間 , 坂 口 , 黒 岩 , 松 原 :2005 年 信 学 総 大 , C-2-132 

11  開口部中央におけるz軸上の

電界強度(誘電体膜)

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