NTCサーミスタ
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
暫定データ/PreliminaryData
JV
CES= 1200V
I
C nom= 6A / I
CRM= 12A
一般応用
TypicalApplications
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スタティックインバーター
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AuxiliaryInverters
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空冷
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AirConditioning
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モーター駆動
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MotorDrives
電気的特性
ElectricalFeatures
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低スイッチング損失
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LowSwitchingLosses
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トレンチIGBT4
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TrenchIGBT4
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正温度特性を持ったV
CEsat飽和電圧
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V
CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
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低V
CEsat飽和電圧
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LowV
CEsat機械的特性
MechanicalFeatures
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低熱インピーダンスのAl
2O
3DCB
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Al
2O
3SubstratewithLowThermalResistance
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コンパクトデザイン
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Compactdesign
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半田接合技術
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SolderContactTechnology
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固定用クランプによる強固なマウンティング
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Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V 連続DCコレクタ電流ContinuousDCcollectorcurrent TTCC = 100°C, T = 25°C, Tvj maxvj max = 175°C = 175°C
IC nom IC 6 12 AA 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 12 A トータル損失
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 94,0 W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
電気的特性/CharacteristicValues
min. typ. max.コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IICC = 6 A, V = 6 A, VGEGE = 15 V = 15 V IC = 6 A, VGE = 15 V VCE sat 1,50 1,65 1,70 2,25 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,09 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,60 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,024 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IVC = 6 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGon = 47 Ω td on 0,0450,045 0,045 µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IVC = 6 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGon = 47 Ω tr 0,0450,05 0,05 µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IVC = 6 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGoff = 47 Ω td off 0,1550,235 0,275 µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IVC = 6 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGoff = 47 Ω tf 0,17 0,28 0,29 µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse IVC = 6 A, VGE = ±15 V, di/dt = 500 A/µs (TCE = 600 V, LS = 50 nHvj = 150°C)
RGon = 47 Ω Eon 0,55 0,85 0,95 mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IVC = 6 A, VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TCE = 600 V, LS = 50 nHvj = 150°C) RGoff = 47 Ω Eoff 0,35 0,50 0,55 mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 短絡電流
SCdata VVGECEmax≤ 15 V, V = VCES -LCC = 800 V sCE ·di/dt tP≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 35 A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC 1,45 1,60 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,25 K/W
動作温度
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent IF 6 A ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 12 A 電流二乗時間積 I²t-value VVRR = 0 V, t = 0 V, tPP = 10 ms, T = 10 ms, Tvjvj = 125°C = 150°C I²t 16,0 14,0 A²sA²s電気的特性/CharacteristicValues
min. typ. max.順電圧 Forwardvoltage IIFF = 6 A, V = 6 A, VGEGE = 0 V = 0 V IF = 6 A, VGE = 0 V VF 1,45 1,40 1,40 2,25 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IVF = 6 A, - diR = 600 VF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) VGE = -15 V IRM 12,0 10,0 10,0 AA A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復電荷量 Recoveredcharge IVF = 6 A, - diR = 600 VF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) VGE = -15 V Qr 0,80 1,40 1,60 µCµC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IVF = 6 A, - diR = 600 VF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) VGE = -15 V Erec 0,21 0,41 0,48 mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 2,00 2,20 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W
動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode、整流器/Diode,Rectifier
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V 最大実効順電流/chip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 30 A 整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 30 A サージ順電流 Surgeforwardcurrent ttpp = 10 ms, T = 10 ms, Tvjvj = 25°C = 150°C IFSM 300 245 AA 電流二乗時間積 I²t-value ttpp = 10 ms, T = 10 ms, Tvjvj = 25°C = 150°C I²t 450 300 A²sA²s電気的特性/CharacteristicValues
min. typ. max.順電圧 Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 6 A VF 0,75 V 逆電流 Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 1,20 1,35 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,15 K/W
動作温度
PreliminaryData
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min. typ. max.定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 % 損失 Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
モジュール/Module
絶縁耐圧Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
内部絶縁
Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
沿面距離
Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,56,3 mm 空間距離
Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,05,0 mm 相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max. 内部インダクタンス
Strayinductancemodule LsCE 30 nH
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RRCC'+EE' AA'+CC'
8,00
6,00 mΩ 最大ジャンクション温度
Maximumjunctiontemperature インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,brake-chopper
整流器/rectifier Tvj max 175 150 °C °C 動作温度
Temperatureunderswitchingconditions インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,brake-chopper
整流器/rectifier Tvj op -40 -40 150 150 °C °C 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp F 20 - 50 N
質量
Weight G 24 g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] I C [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] I C [A] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=47Ω,RGoff=47Ω,VCE=600V IC [A] E [mJ] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=6A,VCE=600V RG [Ω] E [mJ] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) t [s] Z thJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 ZthJH : IGBT i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,285 0,0005 2 0,549 0,005 3 1,08 0,05 4 0,786 0,2 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=47Ω,Tvj=150°C VCE [V] I C [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 2 4 6 8 10 12 14 IC, Modul IC, Chip 順電圧特性Diode、インバータ(typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°CPreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=47Ω,VCE=600V IF [A] E [mJ] 0 2 4 6 8 10 12 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=6A,VCE=600V RG [Ω] E [mJ] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) t [s] Z thJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 ZthJH : Diode i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,536 0,0005 2 0,757 0,005 3 1,237 0,05 4 0,82 0,2 順方向特性Diode、整流器(典型) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Tvj = 25°C Tvj = 150°CPreliminaryData
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[ Ω ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 RtypPreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J