●ベ ー シ ッ ク ・サ イ エ ン ス ・シ リ ー ズ
〔
第20回
〕●
AFM/STMの
原 理 と応 用
Principle and Application
of AFM/STM
森 田
清 三*
1.は じ め に1) 走 査 型 トン ネ ル 顕 微 鏡(STM)は,Fig.1に 示 す よ う に,先 端 が 鋭 く尖 っ た 「金 属 の 探 針 」 を 導 電 性 の 試 料 表 面 に 近 づ け た 状 態 で,探 針 と試 料 の 間 に か け た トン ネ ル 電 圧 に 起 因 す る トンネ ル 電 流 を 測 定 す る 顕 微 鏡 で,原 子 的 分 解 能 が 得 られ る。 他 方,原 子 問 力 顕 微 鏡(AFM)は,Fig.2に 示 す よ う に,先 端 が 鋭 く尖 っ た 突 起 を持 つ 「小 さ な て こ 」 を 試 料 表 面 に 接 触 さ せ た 状 態 で,て こ の 変 形 を測 定 す る。 こ の AFMは 力 を測 定 す るの で,導 電 体 や 絶 縁 体 は も ち ろ ん, 摩 擦 力 や 静 電 気 力 や 磁 気 力 も測 定 で き る。 STMやAFMを 普 遍 化 す る と,Fig.3の モ デ ル 図 の よ う な 小 さ な プ ロー ブ を 走 査 す る 走 査 型 プ ロ ー ブ 顕 微 鏡 (SPM)の 概 念 が 得 られ る 。 2.STMやAFMの 応 用 分 野1) 絶 縁 体 を測 定 で き な いSTMは,空 気 中 に 放 置 さ れ 酸 化 さ れ た 金 属 や 半 導 体 表 面 の 測 定 も で き な い 。 そ の 結 果, 開 発 初 期 に 期 待 さ れ た 空 気 中 で の エ ン ジニ ア リ ン グ ・ツ ー ル と して の 応 用 は 限 ら れ た もの と な り,超 高真 空 中や 溶 液 中 で の 導 電 体 材 料 の サ イ エ ン ス ・ツ ー ル と して の 応 用 や,最 近 注 目 を 集 め て い る 原 子 ・分 子 マ ニ ピ ュ レ ー タ と して の 応 用 が 主 と な っ て い る。 Fig.1 Schematic model of the scanningtunneling microscope (STM).
Fig.2
Schematic model of the atomic force microscope (AFM).
*Seizo Morita
広 島 大 学 理 学 部 物 理 学 科/Hiroshima University, Surface Science Laboratory
Fig.3 Schematic model of the scanning probe microscope (SPM). STMと は 逆 に,絶 縁 体 も測 定 で き るAFMは,微 小 寸 法 計 測,デ バ イ ス 評 価,材 料 物 性 評 価,プ ロ セ ス 加 工 評 価 な ど の 空 気 中 で の エ ン ジ ニ ア リン グ ・ツー ル と し て の 応 用 分 野 が 主 と な っ て い る。 ま た,絶 縁 体 材 料 の 原 子 ・分 子 観 察 や 厚 い 絶 縁 性 の 高 分 子 や バ イ オ 材 料 の 高 分 解 能 測 定,摩 擦 力 や 静 電 気 力 や 磁 気 力 の 高 分 解 能 測 定 の よ う なSTMと は 異 な る新 しい 応 用 分 野 が 拓 け て き て い る 。
3.走 査 型 原 子 間 力/ト
ンネ ル 顕 微 鏡
(AFM/STM)
STMは,(1)「 試 料 表 面 の 導 電 性 や 電 子 の 状 態 密 度 等 の 情 報 が得 られ る 」 こ とや,(2)「 局 所 的 な 強 い 電 界 を外 部 か ら掛 け られ る 」 こ と等 の 『利 点 』 が あ るが,他 方, 「測 定 す る 試 料 表 面 に は 導 電 性 が 必 要 」 と い う 『欠 点 (限 界)』 が あ る。 そ れ ゆ え,試 料 に 導 電 性 が 必 要 と い う STMの 欠 点(限 界)を 克 服 して 真 の 凹 凸 を 測 定 す る た め に,絶 縁 体 も測 定 で き る 原 子 間 力 顕 微 鏡(AFM)が 開 発 され た 。 こ のAFMは,(1)「 試 料 表 面 に 導 電 性 が 不 必 要 」 で, (2)「様 々 な 力 の 測 定 が で き る」 こ とや,(3)「 局 所 的 な 強 い 力 を外 部 か ら掛 け ら れ る 」 こ と等 の 『利 点 』 が あ る が, 他 方,STMの 利 点 で あ る 「試 料 表 面 の 導 電 性 等 の 情 報 」 が 得 ら れ な い と い う 『欠 点(限 界)』 が あ る。 し た が っ て,STMとAFMを 『複 合 化 』 す る と,場 所 に よ り導 電 性 の 異 な る 試 料 で も,導 電 性 に よ ら な い 正 し い 表 面 凹 凸 がAFM凹 凸 像 と し て 測 定 で き て,同 時 に 同 じ場 所 の 試 料 表 面 の 導 電 性 が,STM電 流 像 と し て 凹 凸 と導 電 性 を完 全 に 分 離 し て 測 定 で き る こ とが 期 待 で き る 。 つ ま り,STMとAFMを 複 合 化 す る こ とに よ り,そ れ ぞ れ の 利 点 を生 か した ま ま 欠 点 を克 服 で き る だ け で な く,同 じ場 所 で の 導 電 性 と堅 さ(ま た は 凹 凸)の 情 報 が 同 時 に 分 離 して 得 ら れ る と い う新 た な装 置 的 特 長 が 出 て くる 。 AFMとSTMの 複 合 化 と は,具 体 的 に は Fig.4に 示 す よ う に,AFM測 定 に 用 い る 突 起 付 きの て こ を 『導 電 性 の て こ 』 に し て,て こ と試 料 との 間 に 『バ イ ア ス 電 圧VT』 を 加 え て,て こ と試 料 との 問 に 流 れ る 『電 流IT測 定 回 路 』 を付 け 加 え る こ とに よ り可 能 とな る。 つ ま り, AFM/STMと はAFMを 基 本 と し て,て こ と 試 料 の 間 に 流 れ る電 流 を 測 定 す る 機 構 を付 加 し た装 置 で あ る。4.電 子 デバ イ スの ナ ノ スケ ー ル 評 価 の
問 題 点 と方 法
集 積 度 の 向 上 に 伴 い,電 子 デ バ イ ス の デ バ イ ス 特 性 等 の ナ ノ ス ケー ル ・レベ ル の 局 所 的 評 価 の 必 要 性 が 急 速 に 増 しつ つ あ る。 電 子 デ バ イ ス は,電 流 や 電 界 を 制 御 す る デ バ イ ス な の で,電 子 密 度 や 正 孔 密 度(不 純 物 濃 度 ま た は 導 電 性)や 電 界(ま た は ポ テ ン シ ャ ル)等 の ナ ノ ス ケ ー ル の 電 気 的 情 報 を得 る こ とが 非 常 に 重 要 と な る。 電 気 的 情 報 の 測 定 はSTMで は 可 能 だ がAFMで は で き な い 。 他 方,電 子 デ バ イ ス に は,電 流 や 電 界 を制 御 す る た め, 電 流 が 流 れ な い 部 分,つ ま り,絶 縁 性 の 部 分 も 存 在 して い る 。 こ の よ う な 絶 縁 性 の 部 分 の 測 定 はSTMに は 不 可 能 で,AFMを 使 わ ざ る を得 な い 。 結 局,電 子 デ バ イ スFig.4 Schematic model of the scanning force/tunneling microscope (AFM/STM) under contact mode.
の デ バ イ ス特 性 等 の ナ ノス ケ ー ル 評 価 に は,AFM機 能 とSTM機 能 と を 併 せ 持 つ 顕 微 鏡,す な わ ち,AFMと STMを 複 合 化 し たAFM/STMを 使 わ ざ る を 得 な い こ
とは 明 らか で あ る。
AFM/STMに よ るFig.4の 接 触 測 定 で は,AFMに よ る 凹 凸 とSTMに よ る 電 流 変 化,す な わ ち,導 電 性 の 同 時 測 定 が 最 も 基 本 的 な測 定 量 とな る。 電 子 デ バ イ ス の デ バ イ ス 特 性 と 関 係 し た もの と して は,導 電 性 か ら 電 子 や 正 孔 濃 度,つ ま り,不 純 物 濃 度 と関 係 した 情 報 が得 られ る。 他 方,デ バ イ ス に 電 圧 をバ イ ア ス し た状 態 で は,電 界(ま た は ポ テ ン シ ャ ル)分 布 が 問 題 と な る 。 ま た,導 電 性(抵 抗)や ポ テ ン シ ャ ル だ け で な く,局 所 的 な キ ャパ シ タ ン ス や イ ン ダ ク タ ン ス の 評 価 も必 要 と 思 わ れ る が,こ れ ら に つ い て は,(1)キ ャ パ シ タ ン ス や イ ン ダ ク タ ン ス に よ る静 的 力 を(交 流)測 定 す る 方 法 と, (2)キ ャパ シ タ ン ス や イ ン ダ ク タ ン ス が 効 く高 周 波 で 電 流 や 力 を測 定 す る 方 法,(3)デ バ イ スへ の パ ル ス電 圧 印 加 に よ るバ イ ア ス の 掛 か り方 を電 流 や 静 電 気 力 の 時 間 変 化 と し て 測 定 して キ ャパ シ タ ン ス や イ ン ダ ク タ ン ス を求 め る 方 法 な ど が あ る と思 わ れ,ま た,AFM/STMに よ り実 験 可 能 と思 わ れ る例 も あ る が 実 験 例 は 見 当 た ら な い 。 5.電 子 材 料 や 電 子 デ バ イ ス のAFMISTM 評 価2)∼3) こ こ で は,AFM/STMに よ る 電 子 材 料 や 電 子 デ バ イ スの 凹 凸 と導 電 性 の 同 時 測 定 結 果 を 中 心 に紹 介 す る 。 ま た,接 触 に よ る ポ テ ン シ ャ ル の 測 定 例 や 非 接 触 測 定 に よ る 電 子 デ バ イ ス の 内 部 構 造 の 画 像 化 や,接 触 帯 電 や 電 荷 の 分 布 や 拡 散 の ナ ノス ケ ー ル の 観 察 な ど に つ い て も紹 介 す る。 5.1導 電 性 の 不 均 一 な カ ー ボ ン可 変 抵 抗 の 測 定4) カー ボ ン 可 変 抵 抗 は,STMやAFMレ ベ ル の ナ ノ メ ー トル の 接 触 面 積 で は ,導 電性部 分 と絶 縁性 部分 が混 在 し た導 電 性 の 不 均 一 な 材 料 と 考 え られ る。 そ の 結 果,導 電 性 の 不 均 一 が 見 か け 上 のSTM凹 凸 と して 見 え る こ と や,AFM(て こ の 撓 み)で フ ィ ー ドバ ッ ク を か け て 「AFM凹 凸 像 」 と 「STM電 流 像 」 を 画 像 化 し た 場 合, 凹 凸像 と導 電 性 の 像 が 完 全 に 分 離 で き る こ と な どが わ か っ た 。 カ ー ボ ン 可 変 抵 抗 の よ う な 電 子 回 路 部 品 や,イ オ ン打 ち 込 み し たSiの よ う な 半 導 体 デ バ イ ス は,一 般 的 に, 電 流 の 流 れ や す さや 電 子 の 流 れ を 制 御 し て 回路 機 能 や デ バ イ ス機 能 を持 た せ て い る。 し た が っ て,導 電 性 の 不 均 一 は 本 質 的 な もの で あ り,表 面 の凹 凸 と導 電性 の 不均 一 を 完 全 に 分 離 で き る 測 定 モ ー ド,つ ま り,AFM(て こ の 撓 み)で フ ィ ー ドバ ッ ク を か け て 「AFM凹 凸 」 と 「STM電 流 」 を 画 像 化 す る 測 定 モ ー ドが 最 も適 し て い る と考 え られ る。 5.2導 電 性 の 不 均 一 な イ オ ン打 ち 込 み したSi表 面 の 観 察2)∼3) Fig.5は,p型 シ リ コ ン に イ オ ン 打 ち 込 み し た 試 料 の
Fig.5 Simultaneously obtained (a) AFM topographic and (b) STM current images of the As' ion-implanted Si (100) surface2).
AFM/STM像 で,表 面 の 酸 化 膜 は フ ッ酸 で 除 去 し た 後 に 測 定 して い る。 左 側 がAFM凹 凸像 で,右 側 が 同 時 に 測 定 し たSTM電 流 像 で,走 査 範 囲 は 約10μm角 で あ る。 幅 の 細 い 直 線 状 の 部 分 が イ オ ン 打 ち 込 み し て い な い 基 板 部 分 で,残 りの 広 い部 分 が イ オ ン 打 ち込 み し た部 分 で あ る。AFM凹 凸 像 で は,イ オ ン 打 ち 込 み し て い な い 細 い 線 状 の 部 分 が,イ オ ン 打 ち 込 み し た 部 分 よ り,約15A高 くな っ て い るが,こ れ はSTM凹 凸像 とは 異 な り導 電 性 の 不 均 一 性 の 影 響 を受 け て い な い正 しい 凹 凸 差 で,凹 凸 の 原 因 と して は エ ッ チ ン グ 速 度 の違 い 等 が 考 え ら れ る。 他 方,イ オ ン 打 ち 込 み し て い な い 細 い 線 状 の 部 分 の STM電 流像 か ら,こ の 部 分 で は 電 流 が ほ と ん ど流 れ な い こ とが わ か る 。 しか し,両 方 の 像 を比 較 す る と,(1)AFM凹 凸 像 で は 真 っ す ぐに 見 え る イ オ ン 打 ち 込 み の 境 界 部 分 が,STM 電 流 像 で は 少 し真 っ す ぐで は 無 い こ とや,(2)イ オ ン 打 ち 込 み した 部 分 の 先 端 が,書 き込 ん だ 白の 実 線 が 示 す よ う に,AFM凹 凸 像 で は オ ー バ ー ラ ッ プ し て い な い の に STM電 流 像 で は オ ー バ ー ラ ッ プ し て お り,STM電 流 像 の ほ う が イ オ ン 打 ち込 み して い な い 細 い 線 状 の部 分 の 広 さ がAFM凹 凸 像 よ り広 く見 え て,形 状 も異 な っ て 見 え る こ と が 明 らか で あ る。 5.3多 結 晶Si表 面 の 酸 化 サ イ トの プ ロ セ ス 依 存 性 の 観 察5)∼6) フ ッ 酸 処 理 し た 多 結 晶Si表 面 のAFM/STM観 察 を 空 気 中 で行 っ た 。 そ の 結 果,AFM凹 凸像 は 変 化 し な い が,STM電 流 像 は 時 間 と共 に 電 流 が 流 れ な く な る こ と, つ ま り,多 結 晶 シ リ コ ン表 面 が 時 間 と共 に 酸 化 し て い る こ とが 判 明 した 。 さ ら に,AFM凹 凸 像 とSTM電 流 像 の 比 較 に よ り,熱 酸 化 処 理 し な い 試 料 で は,グ レ イ ン境 界 か ら酸 化 が 進 行 し て い る こ とが 判 明 し た。 こ の 理 由 は, 熱 酸 化 処 理 し な い 多 結 晶Siに は,グ レ イ ン 境 界 に 欠 陥 や 格 子 歪 み の よ う な 活 性 な 酸 化 サ イ トが 数 多 く存 在 す る た め と考 え られ る。 他 方,熱 酸 化 処 理 し た 多 結 晶Si試 料 のAFM/STM 観 察 に よ り,熱 酸 化 処 理 し た 多 結 晶Siで は,グ レ イ ン 境 界 か ら の 酸 化 が 抑 制 さ れ て い る こ とが 判 明 した 。 こ の 理 由 は,熱 酸 化 処 理 に よ り ドー パ ン トのPの グ レ イ ン 境 界 へ の 偏 析 が 起 こ り,そ の 結 果,グ レ イ ン境 界 の 欠 陥 や 格 子 歪 み が 緩 和 さ れ 酸 化 に 不 活 性 に な る た め と考 え ら れ る。 5.4薄 い 熱 酸 化 膜 を持 つSi表 面 のAFM/STMに よ る 実 験2),7)∼9) Fig.6の よ う な,熱 酸 化 膜 と し て は 薄 い が トン ネ ル 電 流 が 流 れ な い程 度 は 厚 い 酸 化 膜 を持 つSi表 面 の 測 定 は, STM単 独 で は で き な い 。 他 方,AFM単 独 で も 凹 凸 測 定 以 外 は で き な い 。 し か し,AFM/STMを 用 い て, STM機 能 で て こ 先 端 と試 料 表 面 の 間 に バ イ ア ス 電 圧 や 強 い 電 界 をか け る こ と に よ り,Fig.6(a)に 示 す ミ ク ロ な 接 触 帯 電2)や(b)に 示 す ミ ク ロ な 電 荷 の 分 布 と拡 散 の 非 接 触 の 静 電 気 力 観 察2)と 制 御7),コ ロ ナ 放 電 の 測 定2)や 絶 縁 破 壊 の 経 時 変 化 の 観 察2)・8)とナ ノ ス ケ ー ル の 絶 縁 耐 圧 分 布2),9)の測 定 な どが 可 能 と な る。 以 上 のAFM/STMに よ る接 触 帯 電 や 静 電 気 力 測 定 な ど の 応 用 と して は,絶 縁 耐 圧 の ナ ノ ス ケ ー ル の 空 間分 布 の 測 定 や 電 荷 の トラ ップ サ イ ト密 度 の 測 定 な ど の 絶 縁 体 の 膜 質 評 価,高 密 度 電 荷 メ モ リー の 実 現 な どが 期 待 され る。 5.5イ オ ン 打 ち 込 み したSi酸 化 膜 表 面 の 静 電 気 力 観 察 静 電 気 力 測 定 を 用 い て,Fig.7の 約10μm角 の 走 査 範 囲 の(a)AFM凹 凸 像(接 触 測 定)と(b)静 電 気 力像(非 接 触 測 定)に 示 す よ う に,Si基 板 の 上 に 熱 酸 化 膜(厚 さ は9.6nm)が 成 長 し た 試 料 の,イ オ ン打 ち込 み し た 部 分 (P原 子 打 ち 込 み の 加 速 高 圧+50kV,1019cm-3)と イ オ Fig.6 (a) Schematic model of the voltage controllable
struc-ture of contact electrification on an insulator with the 0 FM/STM.
(b)Schematic model of the noncontact DC mode mea-surement of electrostatic force with the AFM/
STM2),7).
Fig.7 (a) AFM topographic image under contact mode and (b) electrostatic force image under noncontact mode of the P+ ion-implanted Si (100) surface with 9.6nm oxide thickness at tip-sample distance of 200nm and tip bias voltage of
- 5V.
Fig.8 Schematic model of scanning contact potentiometry (SCP) combined with the AFM (AFM/SCP)10).
ン 打 ち 込 み し な い 部 分(1012cm-3)を,非 接 触 距 離200 nmの 静 電 気 力 測 定 で 判 別 す る こ と も で き る。Fig.7(a)の AFM凹 凸像 で は ほ と ん ど 凹 凸 の 区 別 が で き な い ほ ど 表 面 は 平 ら で も,(b)の 静 電 気 力 像 で は,白 く表 示 さ れ た イ オ ン 打 ち込 み し た部 分 が 静 電 気 力 が 強 く,相 対 的 に 黒 い イ オ ン 打 ち 込 み さ れ な い 部 分 は 静 電 気 力 が 弱 い こ と が わ か る。 5.6イ オ ン打 ち 込 み したSi表 面 の ポ テ ン シ ャ ル 分 布 の 直 接 測 定11) Fig,8の モ デ ル 図 に 示 す よ う に, AFMを 使 う と試 料 表 面 の ポ テ ン シ ャ ル を 直 接 測 定 す る こ と が 可 能 と な る。 こ の 走 査 型 原 子 間 力/接 触 ポ テ ン シ ャ ル 顕 微 鏡(AFM/SCM)を 用 い て,Fig.9(b)に 示 す よ う な,As+ イ オ ン を 打 ち 込 ん だSi表 面 の ポ テ ン シ ャ ル 像 を 約6.4μm角 で,(a)の AFM凹 凸 像 と 同 時 測 定 し た 報 告 例 が あ る。 約2mVの 表 面 の ポ テ ン シ ャ ル 差 をFig.9(b)で は 明 瞭 に 画 像 化 で き て い る 。 ま た,Fig.5(b)の AFM/STMに よ るSTM電 流 像 と 同 様 に,イ オ ン 打 ち 込 み し な い 部 分 の ポ テ ン シ ャ ル 像 の ほ うがAFM凹 凸 像 よ り も広 く見 え た り,AFM凹 凸 像 で は 見 え な い 構 造 がポ テ ン シ ャ ル 像 に現 れ て い るが,原 因 は 不 明 で あ る 。 6.お わ り に 集 積 度 の 向 上 に 伴 い 半 導 体 デ バ イ ス の デ バ イ ス 特 性 の ナ ノ ス ケ ー ル ・ レベ ル の 評 価 が 必 要 と な っ て き て お り,新 し い評 価 方 法 の 開 発 が 緊 急 の 課 題 と な っ て い る。 他 方,AFMと STMを 複 合 化 し たAFM/STMは, 半 導 体 デ バ イ ス の よ う な 導 電 性 の 不 均 一 な 試 料 表 面 の 凹 凸 と同 時 に 導 電 性 や ポ テ ン シ ャ ル な ど の デ バ イ ス 特 性 をナ ノ ス ケ ー ル で 画 像 化 で き る こ とが 判 明 して きた の で,今 後 の 応 用 研 究 が 緊 急 の 課 題 と な りつ つ あ る。 参 考 文 献 1) 森 田 清 三:「AFMの 原 理 と 実 際」,固 体 物 理,第27巻,第8 号 (1992) pp.531-539,
2) S. Morita, Y. Sugawara and Y. Fukano: “Atomic Force Microscope Combined with Scanning Tunneling Micro-scope [AFM/STM]”, Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993) pp. 2983-2988.
3) 森 田 清 三,菅 原 康 弘,深 野 善 信:「 走 査 型 プ ロ ー プ 顕 微 鏡 の 開 発 」,走 査 型 ト ン ネ ル 顕 微 鏡/原 子 間 力 顕 微 鏡 利 用 技 術 集 成
Fig.9 Simultaneously obtained (a) AFM topographic and (b) SCP potential images of the As' ion-implanted Si (100) surface at substrate bias voltage of
Vin=-5V. Scanning area is 6.4ƒÊmx6.4ƒÊm10).
(編 集 ・ナ ノ表 面 研 究 会) (1994) pp.349∼354.
4) 森 田 清 三,菅 原 康 弘:「AFM/STMに よ る 導 体 表 面 の 評 価 」, 日 本 学 術 振 興 会 マ イ ク ロ ビ ー ム ア ナ リ シ ス 第141委 員 会,第67 回 研 究 会 資 料 (1991) pp.1∼6.
5) Y. Sugawara, Y. Fukano, Y. Kamihara, S. Morita, A. Nakano, T. Ida and R. Kaneko: •gAFM/STM investigation of polycrystalline Si surface•h, Ultra microscopy, 42-44 (1992) pp.1372-1375.
6) Y. Sugawara, Y. Fukano, A. Nakano, T. Ida and S. Morita: •gOxidation Site of Polycrystalline Silicon Surface Studied Using Scanning Force/Tunneling Microscope
(AFM/STM) in Air•h, Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1992) pp. L725•`L727.
7) S. Morita, Y. Fukano, T. Uchihashi, T. Okusako, Y. Sugawara, Y. Yamanishi and T. Oasa: •gReproducible and Controllable Contact Electrification on a Thin Insulator•h, Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993) pp.L1701•`L1703.
8) Y. Fukano, K. Hontani, T. Uchihashi, T. Okusako, A. Chayahara, Y. Sugawara, Y. Yamanishi, T. Oasa and S.
Morita: •gTime Dependent Dielectric Breakdown of Thin Silicon Oxide using Dense Contact Electrification•h, Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1994) pp.3756•`3760.
9) Y. Fukano, Y. Sugawara, Y. Yamanishi, T. Oasa and S. Morita: •gScanning Force/Tunneling Microscopy as a Novel Technique for the Study of Nanometer-Scale Dielectric Breakdown of Silicon Oxide Layer•h, Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993) pp.290-293
10) T. Uchihashi, Y. Fukano, Y. Sugawara, S. Morita, A. Nakano, T. Ida and T. Okada: •gPotentiometry Combined with Atomic Force Microscope•h, Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1994) pp.L1562•`L1564. 〔執 筆 者 紹 介 〕 森 田清 三(も りた せ い ぞ う) 1975年,大 阪大 学 ・理 学研 究科 博 士 課 程 修 了(物 理 学 専 攻)。 同 年,東 北大 学 助 手 。1988年,岩 手 大 学 教 授 。1989年,広 島 大 学教 授 。理 学博 士 。 応 用 物 理 学会,日 本 物 理 学 会,日 本 表 面科 学 会,電 子情 報 通 信 学会 各 会 員 。 Vol.11, No.2 7
