NJG1157PCD GPS and GLONASS フロントエンドモジュール 概要 NJG1157PCD は GPS 及び GLONASS での使用を主目的としたフロントエンドモジュールです 本製品は内蔵する高性能 SAW フィルタ及び LNA による高利得 低雑音指数 高線形性 及び高帯域外減衰

NJG1157PCD

Pre-Filter RF OUT RF IN VDD VCTL LNA Post-Filter

GPS and GLONASS フロントエンドモジュール

フロントエンドモジュール

フロントエンドモジュール

フロントエンドモジュール

<sub>概要概要概要 概要



外形外形外形 外形</sub> NJG1157PCD は GPS 及び GLONASS での使用を主目的としたフロントエ ンドモジュールです。本製品は内蔵する高性能 SAW フィルタ及び LNA によ る高利得、低雑音指数、高線形性、及び高帯域外減衰特性を特徴とします。 本製品は 1.5V~3.3V の広い電源電圧で動作するとともに、スタンバイ機能に より通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は-40~+105℃の広い温 度範囲で動作可能です。 本製品は外部回路をわずか 2 素子で構成し、小型・薄型かつ RoHS 対応 / ハ ロゲンフリーの HFFP10-CD パッケージを採用することで実装面積の低減に 貢献します。



_特徴特徴特徴 特徴  _{GPS 及び GLONASS 対応} _{低動作電圧 1.8/ 2.8V typ.} 低消費電流 _{2.6/3.3mA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V}

0.1µA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode)

_{高利得 17.5/18.5dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V,} f=1575MHz, 1597~1606MHz _{低雑音指数 1.65/1.60dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz} 1.75/1.70dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1597~1606MHz _{高帯域外減衰 85dBc typ. @f=704~915MHz, relative to 1575MHz} 75dBc typ. @f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz _{小型パッケージ HFFP10-CD: 2.5mmx2.5mmx0.63mm max.}  <sub>RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1



端子配列</sub>端子配列端子配列 端子配列



ブロックダイアグラムブロックダイアグラムブロックダイアグラムブロックダイアグラム



_真理値表真理値表真理値表 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL モード H アクティブモード L スタンバイモード

(Top View)

端子配列 1. GND 2. VCTL 3. VDD 4. NC(GND) 5. PreIN 6. GND 7. PreOUT 8. LNAIN 9. NC(GND) 10. PostOUT Exposed pad: GND Pre-Filter LNA Post-Filter GND 3 2 4 VCTL 5 1 8 9 7 6 10 VDD NC(GND) PreIN PreOUT GND LNAIN NC (GND) PostOUT

NJG1157PCD

絶対最大定格絶対最大定格絶対最大定格絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5.0 V 切替電圧 VCTL 5.0 V 入力電力 PIN (inband) VDD=2.8V, f=1575, 1597~1606MHz +15 dBm PIN (outband) VDD=2.8V, f=50~1460, 1710~4000MHz +27 dBm 消費電力 PD 4 層スルーホール付き FR4 基板実装時 (101.5x114.5mm), Tj=110°C 580 mW 動作温度 Topr -40~+105 °C 保存温度 Tstg -40~+110 °C



電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 1 (DC 特性特性特性) 特性 (共通条件: Ta=+25°C) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 電源電圧 VDD 1.5 - 3.3 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V 動作電流 1 IDD1 RF OFF, _V DD=2.8V, VCTL=1.8V - 3.3 6.4 mA 動作電流 2 IDD2 RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=1.8V - 2.6 5.9 mA 動作電流 3 IDD3 RF OFF, _V DD=2.8V, VCTL=0V - 0.1 5.0 µA 動作電流 4 IDD4 RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=0V - 0.1 5.0 µA 切替電流 ICTL VCTL=1.8V - 5.0 15.0 µA

NJG1157PCD

電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 2 (RF) 共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597~1606MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 小信号利得(GPS)1 GainGPS1 f=1575MHz (GPS), コネクタ損失 除く (0.19dB) 17.0 18.5 - dB

小信号利得(GLONASS)1 GainGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS)

コネクタ損失除く (0.19dB) 17.0 18.5 - dB 雑音指数(GPS)1 NFGPS1 f=1575MHz (GPS) , コネクタ損 失除く (0.09dB) - 1.6 2.1 dB 雑音指数(GLONASS)1 NFGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS) , コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.7 2.2 dB 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 P-1dB(IN)1 f=1575, 1597~1606MHz - -15.0 - dBm 入力 3 次インター セプトポイント 1 IIP3_1 f1=1575MHz, f2=f1+/-1MHz, Pin=-30dBm - -3.0 - dBm アウトバンド 入力 2 次インター セプトポイント 1 IIP2_OB1 f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +72 - dBm アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 1 IIP3_OB1 f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +50 - dBm 700MHz 帯 高調波 1 2fo1 妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm 高調波測定周波数: 1575.52MHz - -30 - dBm アウトバンド 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 P-1dB(IN) _OB1-1 fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm P-1dB(IN) _OB1-2 fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm ローバンド減衰量 1 BR_L1 f=704~915MHz, relative to 1575MHz - 85 - dBc ハイバンド減衰量 1 BR_H1 f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz - 75 - dBc WLAN バンド減衰量 1 BR_W1 f=2400~2500MHz, relative to 1575MHz - 72 - dBc RF IN ポートリターン ロス(GPS)1 RLiGPS1 f=1575MHz (GPS) - 7.5 - dB RF IN ポートリターン

ロス(GLONASS)1 RLiGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS) - 7.5 - dB

RF OUT ポートリターン

ロス(GPS )1 RLoGPS1 f=1575MHz (GPS) - 11 - dB

RF OUT ポートリターン

ロス(GLN)1 RLoGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS) - 15 - dB

NJG1157PCD

電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 3 (RF) 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597~1606MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 小信号利得(GPS)2 GainGPS2 f=1575MHz (GPS), コネクタ損失 除く (0.19dB) 15.5 17.5 - dB

小信号利得(GLONASS)2 GainGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS)

コネクタ損失除く (0.19dB) 15.5 17.5 - dB 雑音指数(GPS)2 NFGPS2 f=1575MHz (GPS) , コネクタ損 失除く (0.09dB) - 1.65 2.20 dB 雑音指数(GLONASS)2 NFGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS) , コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.75 2.35 dB 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 P-1dB(IN)2 f=1575, 1597~1606MHz - -17.0 - dBm 入力 3 次インター セプトポイント 2 IIP3_2 f1=1575MHz, f2=f1+/-1MHz, Pin=-30dBm - -6.0 - dBm アウトバンド 入力 2 次インター セプトポイント 2 IIP2_OB2 f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +72 - dBm アウトバンド 入力 3 次インター セプトポイント 2 IIP3_OB2 f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz - +50 - dBm 700MHz 帯 高調波 2 2fo2 妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm 高調波測定周波数: 1575.52MHz - -30 - dBm アウトバンド 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 P-1dB(IN) _OB2-1 fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm P-1dB(IN) _OB2-2 fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm - +24 - dBm ローバンド減衰量 2 BR_L2 f=704~915MHz, relative to 1575MHz - 85 - dBc ハイバンド減衰量 2 BR_H2 f=1710~1980MHz, relative to 1575MHz - 75 - dBc WLAN バンド減衰量 2 BR_W2 f=2400~2500MHz, relative to 1575MHz - 72 - dBc RF IN ポートリターン ロス(GPS)2 RLiGPS2 f=1575MHz (GPS) - 7.5 - dB RF IN ポートリターン

ロス(GLONASS)2 RLiGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS) - 7.5 - dB

RF OUT ポートリターン

ロス(GPS)2 RLoGPS2 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB

RF OUT ポートリターン

ロス(GLN)2 RLoGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS) - 13 - dB

NJG1157PCD

端子情報

端子情報

端子情報

端子情報

番号 端子名 機能説明 1 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接 続してください。 2 VCTL 切替電圧印加端子です。 3 VDD 電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続して下さ い。 4 NC(GND) この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して 下さい。 5 PreIN RF 信号入力端子です。pre-SAW フィルタの入力側に接続されます。 6 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。

7 PreOUT pre-SAW フィルタの出力側に接続されます。外部整合回路 L1 を介して LNAIN 端子と接続されます。 8 LNAIN LNA の RF 信号入力端子です。外部整合回路 L1 を介して RF 信号が入力され ます。この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 9 NC(GND) この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続して 下さい。 10 PostOUT RF 信号出力端子です。この端子は post-SAW フィルタと接続されます。SAW フィルタは構造上 DC 信号をブロックするため、基本的には外部 DC ブロッ キングキャパシタは不要です。 Exposed Pad GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。

NJG1157PCD

_{特性例特性例特性例特性例} 共通条件

: V

DD

=2.8V, V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

,

指定の外部回路による S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout

NJG1157PCD

0 1 2 3 4 0 5 10 15 20 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64

NF, Gain vs. frequency

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V) N o is e F ig u re ( d B ) G a in ( d B ) frequency (GHz) Gain NF

(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 2 3 4 5 6 7 8 9 -40 -30 -20 -10 0 10

Pout, I

DD

vs. Pin

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) P o u t (d B m ) I D D ( m A ) Pin (dBm) IDD P-1dB(IN)=-14.1dBm P-1dB(OUT)=+3.4dBm Pout -100 -80 -60 -40 -20 0 20 -40 -30 -20 -10 0 10

Pout, IM3 vs. Pin

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) P o u t , IM 3 ( d B m ) Pin (dBm) Pout IM3 IIP3=-2.1dBm OIP3=+15.7dBm -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 S 2 1 ( d B ) Frequency (GHz) S21 vs. Frequency (V DD=2.8V, VCTL=1.8V)

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=2.8V, V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

, 指定の外部回路による

0 10 20 30 40 50 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64

Group Delay vs. frequency

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V) G ro u p D e la y ( n s ) frequency (GHz)

NJG1157PCD

-100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 -40 -20 0 20 40 60 80

Out-of-band IIP2

(V DD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz, f2=2400MHz) P o u t , IM 2 ( d B m ) Pin (dBm) Pout IM2 IIP2_OB=+73.2dBm 6 8 10 12 14 16 18 20 22 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30

Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz)

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f meas=1575MHz at Pin=-40dBm) G a in ( d B ) Pin at 1710MHz (dBm) Gain P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 6 8 10 12 14 16 18 20 22 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30

Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f meas=1575MHz at Pin=-40dBm) G a in ( d B ) Pin at 900MHz (dBm) Gain P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-120 -100 -80 -60 -40 -20 0 -30 -20 -10 0 10 20 30

2nd Harmonics

(V DD=2.8V, VCTL=1.8V, fin=787.76MHz, f meas=1575.52MHz) 2 n d H a rm o n ic s (d B m ) Pin(dBm) 2fo=-30.7dBm -100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 -40 -20 0 20 40 60

Out-of-band IIP3

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) P o u t , IM 3 ( d B m ) Pin (dBm) Pout IM3 IIP3_OB=+57.8dBm

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=2.8V, V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

, 指定の外部回路による

NJG1157PCD

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=1.8V, V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

, 指定の外部回路による

S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout

NJG1157PCD

-100 -80 -60 -40 -20 0 20 -40 -30 -20 -10 0 10

Pout, IM3 vs. Pin

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz) P o u t , IM 3 ( d B m ) Pin (dBm) Pout IM3 IIP3=-5.8dBm OIP3=+11.5dBm -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 2 3 4 5 6 7 8 9 -40 -30 -20 -10 0 10

Pout, I

DD

vs. Pin

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) P o u t (d B m ) I D D ( m A ) Pin (dBm) IDD P-1dB(IN)=-17.0dBm P-1dB(OUT)=-0.7dBm Pout 0 10 20 30 40 50 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64

Group Delay vs. frequency

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V) G ro u p D e la y ( n s ) frequency (GHz) 0 1 2 3 4 0 5 10 15 20 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64

NF, Gain vs. frequency

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V) N o is e F ig u re ( d B ) G a in ( d B ) frequency (GHz) Gain NF

(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 S 2 1 ( d B ) Frequency (GHz) S21 vs. Frequency (V DD=1.8V, VCTL=1.8V)

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=1.8V, V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

, 指定の外部回路による

NJG1157PCD

-100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 -40 -20 0 20 40 60 80

Out-of-band IIP2

(V DD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz, f2=2400MHz) P o u t , IM 2 ( d B m ) Pin (dBm) Pout IM2 IIP2_OB=+72.1dBm 6 8 10 12 14 16 18 20 22 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30

Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz)

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f meas=1575MHz at Pin=-40dBm) G a in ( d B ) Pin at 1710MHz (dBm) Gain P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses) 6 8 10 12 14 16 18 20 22 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30

Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f meas=1575MHz at Pin=-40dBm) G a in ( d B ) Pin at 900MHz (dBm) Gain P-1dB(IN)_OB > +24.0dBm (Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-120 -100 -80 -60 -40 -20 0 -30 -20 -10 0 10 20 30

2nd Harmonics

(V DD=1.8V, VCTL=1.8V, fin=787.76MHz, f meas=1575.52MHz) 2 n d H a rm o n ic s (d B m ) _2fo=-30.3dBm -100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 -40 -20 0 20 40 60

Out-of-band IIP3

(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=1712.7MHz, f2=1850MHz) P o u t , IM 3 ( d B m ) Pin (dBm) Pout IM3 IIP3_OB=+52.6dBm

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=1.8V, V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

, 指定の外部回路による

NJG1157PCD

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=2.8V, V

CTL

=1.8V, Z

s

=Z

l

=50

Ω

,指定の外部回路による

0 5 10 15 20 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 R e tu rn L o s s ( d B ) Temperature (oC) RLin

Return Loss vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) RLout 50 60 70 80 90 100 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 R e je c ti o n ( d B c ) Temperature (oC) 1980MHz

Rejection vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V) 915MHz 2500MHz 0 5 10 15 20 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 G ro u p D e la y T im e D e v ia ti o n ( n s e c ) Temperature (oC)

Group Delay Time Deviation

vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1597~1606MHz) 0 1 2 3 4 5 6 7 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 I D D ( m A ) @ a c ti v e m o d e I D D ( u A ) @ s ta n d -b y m o d e Temperature (oC) IDD (stand-by mode)

I

DD

vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF) IDD (active mode) 10 12 14 16 18 20 22 24 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 G a in ( d B ) N o is e F ig u re ( d B ) Temperature (o_C) NF

Gain, NF vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) Gain

NJG1157PCD

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

DD

=2.8V, V

CTL

=1.8V, Z

s

=Z

l

=50

Ω

,指定の外部回路による

-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 P -1 d B (I N ) (d B m ) Temperature (oC) P-1dB(IN)

P-1dB(IN) vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) 6 8 10 12 14 16 18 20 22 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 O IP 3 ( d B m ) II P 3 ( d B m ) Temperature (oC) IIP3

OIP3, IIP3 vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) OIP3 30 40 50 60 70 80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 O u t-o f-b a n d I IP 2 ( d B m ) Temperature (o_C) IIP2_OB

Out-of-band IIP2 vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm) 30 40 50 60 70 80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 O u t-o f-b a n d I IP 3 ( d B m ) Temperature (o_C) IIP3_OB

Out-of-band IIP3 vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz, f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm) -50 -40 -30 -20 -10 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 2 n d H a rm o n ic s ( d B m ) 2fo

2nd Harmonics vs. Temperature

(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=787.76MHz) 0 1 2 3 4 5 0 5 10 15 20 k -f a c to r k-factor vs. frequency (VDD=2.8V, VCTL=1.8V) -40 o_C -25 o_C 0 o_C +25 o_C +50 o_C +85 o_C

NJG1157PCD

0 5 10 15 20 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 G ro u p D e la y T im e D e v ia ti o n ( n s e c ) VDD (V)

Group Delay Time Deviation vs. V

DD

(V DD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1597~1606MHz) 0 5 10 15 20 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 R e tu rn L o s s ( d B ) VDD (V) RLin

Return Loss vs. V

DD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) RLout 14 15 16 17 18 19 20 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 G a in ( d B ) N o is e F ig u re ( d B ) VDD (V) NF

Gain, NF vs. V

DD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) Gain

(Gain, NF: Exclude PCB, Connector Losses)

0 1 2 3 4 5 6 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 I D D ( m A ) @ a c ti v e m o d e I D D ( u A ) @ s ta n d -b y m o d e VDD (V) IDD (stand-by mode)

I

DD

vs. V

DD (VCTL=1.8V/0V, RF OFF) IDD (active mode) 50 55 60 65 70 75 80 85 90 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 R e je c ti o n ( d B c ) VDD (V)

Rejection vs. V

DD (VCTL=1.8V) 1980MHz 915MHz 2500MHz

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

, 指定の外部回路による

NJG1157PCD

30 40 50 60 70 80 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 O u t-o f-b a n d I IP 3 ( d B m ) VDD (V) IIP3_OB

Out-of-band IIP3 vs. V

DD (VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz, f1=1713MHz at Pin=-20dBm, f2=1851MHz at Pin=-20dBm) 30 40 50 60 70 80 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 O u t-o f-b a n d I IP 2 ( d B m ) VDD (V) IIP2_OB

Out-of-band IIP2 vs. V

DD (VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz, f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm) 4 6 8 10 12 14 16 18 20 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 O IP 3 ( d B m ) II P 3 ( d B m ) VDD (V) IIP3

OIP3, IIP3 vs. V

DD (VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm) OIP3 -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 P -1 d B (I N ) (d B m ) VDD (V) P-1dB(IN)

P-1dB(IN) vs. V

DD (VCTL=1.8V, fRF=1575MHz) -50 -40 -30 -20 -10 0 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 2 n d H a rm o n ic s ( d B m ) VDD (V) 2fo

2nd Harmonics vs. V

DD (VCTL=1.8V, fRF=787.76MHz)

特性例

特性例

特性例

特性例

Conditions: V

CTL

=1.8V, Ta=25°C, Z

s

=Z

l

=50

Ω

,指定の外部回路による

NJG1157PCD

外部回路外部回路外部回路外部回路 部品番号 型名

L1

村 田 製 作 所 製 LQW15A シリーズ

C1

村田製作所製_シリーズ GRM03

部品リスト

(Top View)

8.2nH 1000pF RF OUT RF IN VDD VCTL L1 C1 GND 3 2 4 VCTL 5 1 8 9 7 6 10 VDD NC(GND) Pre/IN Pre/OUT GND LNAIN NC(GND) Post/OUT Pre-Filter LNA Post-Filter

NJG1157PCD

_{基板実装図} < PCB レイアウトガイドラインレイアウトガイドラインレイアウトガイドラインレイアウトガイドライン> デバイス使用上の注意事項 デバイス使用上の注意事項 デバイス使用上の注意事項 デバイス使用上の注意事項

• RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置して下さい。 •外部素子は FEM に極力近づけるように配置して下さい • RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパター ンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してくださ

PCB

基板: FR-4

基板厚: 0.2mm

マイクロストリップライン幅:

0.4mm (Z

0

=50Ω)

サイズ: 14.0mm x 14.0mm

RF IN

(Top View)

RF OUT

L1

C1

V

CTL

V

DD GND Via Hole Diameter φ= 0.2mm, 0.4mm PKG Terminal PCB PKG Outline

NJG1157PCD

■ 推奨フットパターン推奨フットパターン推奨フットパターン推奨フットパターン

(HFFP10-CD パッケージ)

: ランド

:マスク (開口部) *メタルマスク厚 : 100µm :レジスト (開口部)

Metal MASK Detail Package : 2.5mm x 2.5mm

NJG1157PCD

_{NF 測定ブロックダイアグラム} 使用測定器 ・NF アナライザ ：Agilent 8973A ・ノイズソース ：Agilent 346A NF アナライザ設定

・Measurement mode form

Device under test ：Amplifier System downconverter ：off ・Mode setup form

Sideband ：LSB

・Averages ：16

・Average mode ：Point

・Bandwidth ：4MHz

・Loss comp ：off

・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力(303.15K) キャリブレーション時 Noise Source (Agilent 346A) NF Analyzer (Agilent N8973A)

Input (50Ω) Noise Source Drive Output

* 測定精度向上のため、プリ アンプを使用しています * ノイズソース、プリアンプ、 NF アナライザは直接接続 Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB NF Analyzer (Agilent N8973A) Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB NF 測定時 Noise Source (Agilent 346A) DUT

Input (50Ω) Noise Source Drive Output IN OUT

* ノイズソース、DUT、プリ アンプ、NF アナライザは 直接接続

NJG1157PCD

パッケージ外形図パッケージ外形図パッケージ外形図 (HFFP10-CD) パッケージ外形図 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 ガリウムヒ素 ガリウムヒ素 ガリウムヒ素 ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関 連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 本製品は、中空 PKG であり、外部からのｽﾄﾚｽに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して注意していただき、評 価を行った上で、ご使用願います。 ①本製品を実装後、ﾄﾗﾝｽﾌｧｰﾓｰﾙﾄﾞやﾎﾟｯﾃｨﾝｸﾞなど行う場合は、成型上に関わる収縮ｽﾄﾚｽや温度変化に対する耐性の確認を御願いいたします。 ②本製品を実装する場合には、ｺﾚｯﾄ径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N 以下での実装を推奨いたします。 ③動荷重に関しては、接触面積/ｽﾋﾟｰﾄﾞ/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。

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BOTTOM VIEW

Exposed PAD

Ground connection is required.

パッケージサイズ :2.5±0.1mm 0.63mm max. 電極寸法公差: ±0.05mm 単位 : mm 基板 : セラミック 端子処理 : Au Lid : SnAg/Kovar/Ni 重量 (typ.) : 18.00mg