シート / Datasheet F3L400R12PT4_B26

NTCサーミスタ

EconoPACK™4modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC

暫定データ/PreliminaryData

V

CES

= 1200V

I

C nom

= 400A / I

CRM

= 800A

一般応用

TypicalApplications

•

ソーラーアプリケーション

•

SolarApplications

•

UPSシステム

•

UPSSystems

電気的特性

ElectricalFeatures

•

拡張された動作温度T

vjop

•

ExtendedOperationTemperatureT

vjop

•

低スイッチング損失

•

LowSwitchingLosses

•

低V

CEsat

飽和電圧

•

LowV

CEsat

•

トレンチIGBT4

•

TrenchIGBT4

•

T

vjop

=150°C

•

T

vjop

=150°C

•

正温度特性を持ったV

CEsat

飽和電圧

•

V

CEsat

withpositiveTemperatureCoefficient

機械的特性

MechanicalFeatures

•

絶縁されたベースプレート

•

IsolatedBasePlate

•

コンパクトデザイン

•

Compactdesign

•

PressFIT接合技術

•

PressFITContactTechnology

•

標準ハウジング

•

StandardHousing

ModuleLabelCode

BarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23

PreliminaryData

IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4

最大定格/MaximumRatedValues

コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V 連続DCコレクタ電流

ContinuousDCcollectorcurrent TTCC = 100°C, T = 25°C, Tvj maxvj max = 175°C = 175°C

IC nom IC  400 600  AA 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A トータル損失

Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  2150  W

ゲート・エミッタ間ピーク電圧

Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IICC = 400 A, V = 400 A, VGEGE = 15 V = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V VCE sat 1,75 2,05 2,10 2,15 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧

Gatethresholdvoltage IC = 15,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG  3,30  µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,8  Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  25,0  nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  1,35  nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   100 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGon = 1,5 Ω td on _ 0,20_0,22 0,23  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGon = 1,5 Ω tr _ 0,11_0,12 0,12  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGoff = 1,5 Ω td off _ 0,40_0,48 0,50  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGoff = 1,5 Ω tf _ 0,07 0,10 0,11  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失

Turn-onenergylossperpulse IVC = 400 A, VGE = ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (TCE = 300 V, LS = 35 nHvj = 150°C) RGon = 1,5 Ω Eon  8,75 13,0 13,5  mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IVC = 400 A, VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (TCE = 300 V, LS = 35 nHvj = 150°C) RGoff = 1,5 Ω Eoff  18,0 26,0 28,5  mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 短絡電流

SCdata VVCEmaxGE≤ 15 V, V = VCES -LCC = 800 V sCE ·di/dt ISC  2200 1900  A A Tvj = 25°C Tvj = 150°C tP≤ 10 µs, tP≤ 10 µs, ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC   0,07 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,046 K/W 動作温度

PreliminaryData

ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3

最大定格/MaximumRatedValues

ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  650  V 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent  IF  400  A ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM  800  A 電流二乗時間積 I²t-value VVRR = 0 V, t = 0 V, tPP = 10 ms, T = 10 ms, Tvjvj = 125°C = 150°C I²t  6700 6150  A²sA²s

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage IIFF = 400 A, V = 400 A, VGEGE = 0 V = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V VF 1,55 1,50 1,45 1,95 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IVF = 400 A, - diR = 300 V F/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) VGE = -15 V IRM  145 205 215  AA A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復電荷量 Recoveredcharge IVF = 400 A, - diR = 300 V F/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) VGE = -15 V Qr  13,5 26,0 28,5  µCµC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IVF = 400 A, - diR = 300 V F/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) VGE = -15 V Erec  3,40 6,35 7,15  mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC   0,22 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,077 K/W 動作温度

PreliminaryData

IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3

最大定格/MaximumRatedValues

コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  650  V 連続DCコレクタ電流

ContinuousDCcollectorcurrent TTCC = 0°C, T = 25°C, Tvj maxvj max = 175°C = 175°C

IC nom IC  400 360  AA 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A トータル損失

Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  880  W

ゲート・エミッタ間ピーク電圧

Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IICC = 400 A, V = 400 A, VGEGE = 15 V = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V VCE sat 1,75 2,00 2,10 2,15 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧

Gatethresholdvoltage IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG  3,20  µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,0  Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  18,5  nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,57  nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   100 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGon = 1,5 Ω td on _ 0,08_0,10 0,10  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGon = 1,5 Ω tr _ 0,09_0,10 0,10  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGoff = 1,5 Ω td off _ 0,35_0,37 0,38  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IVC = 400 A, VGE = ±15 VCE = 300 V RGoff = 1,5 Ω tf _ 0,08 0,11 0,11  µsµs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失

Turn-onenergylossperpulse IVC = 400 A, VGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (TCE = 300 V, LS = 35 nHvj = 150°C) RGon = 1,5 Ω Eon  6,30 9,40 11,0  mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IVC = 400 A, VGE = ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (TCE = 300 V, LS = 35 nHvj = 150°C) RGoff = 1,5 Ω Eoff  20,0 23,5 24,5  mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 短絡電流

SCdata VVCEmaxGE≤ 15 V, V = VCES -LCC = 360 V sCE ·di/dt ISC  1800 1400  A A Tvj = 25°C Tvj = 150°C tP≤ 10 µs, tP≤ 10 µs, ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC   0,17 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,074 K/W 動作温度

PreliminaryData

ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4

最大定格/MaximumRatedValues

ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent  IF  400  A ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM  800  A 電流二乗時間積 I²t-value VVRR = 0 V, t = 0 V, tPP = 10 ms, T = 10 ms, Tvjvj = 125°C = 150°C I²t  15500 11500  A²sA²s

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage IIFF = 400 A, V = 400 A, VGEGE = 0 V = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V VF 1,80 1,85 1,90 2,30 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IVF = 400 A, - diR = 300 V F/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) IRM  255 310 325  AA A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復電荷量 Recoveredcharge IVF = 400 A, - diR = 300 V F/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Qr  29,0 56,0 65,0  µCµC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復損失

Reverserecoveryenergy IVF = 400 A, - diR = 300 V F/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Erec  8,70 16,5 19,0  mJmJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC   0,16 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,056 K/W 動作温度

Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  150 °C

NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R25  5,00  kΩ R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 % 損失 Powerdissipation TC = 25°C P25   20,0 mW B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  3411  K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  3433  K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

PreliminaryData

モジュール/Module

絶縁耐圧

Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV

ベースプレート材質

Materialofmodulebaseplate    Cu  

内部絶縁

Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140)   Al2O3   沿面距離

Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   25,012,5  mm 空間距離

Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   11,07,0  mm 相対トラッキング指数

Comperativetrackingindex  CTI  > 200  

min. typ. max. 内部インダクタンス

Strayinductancemodule  LsCE  38  nH

パワーターミナル・チップ間抵抗

Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE'  0,75  mΩ 保存温度 Storagetemperature  Tstg -40  125 °C 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM6適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm 質量 Weight  G  400  g

PreliminaryData

出力特性IGBT,T1/T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 出力特性IGBT,T1/T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 伝達特性IGBT,T1/T4(Typical) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] I C [A] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V IC [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C

PreliminaryData

スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V RG [Ω] E [mJ] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0 10 20 30 40 50 60 70 80 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 過渡熱インピーダンスIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 ZthJC : IGBT i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,00481 0,00048 2 0,00743 0,00808 3 0,05654 0,03994 4 0,00346 4,14691 逆バイアス安全動作領域IGBT,T1/T4（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C VCE [V] I C [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 IC, Modul IC, Chip 順電圧特性ダイオード,D2/D3（typical) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

PreliminaryData

スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=1.5Ω,VCE=300V IF [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=300V RG [Ω] E [mJ] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 ZthJC : Diode i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,02066 0,00031 2 0,03561 0,0085 3 0,14341 0,04141 4 0,02234 0,9406 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 80 160 240 320 400 480 560 640 720 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

PreliminaryData

出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 伝達特性IGBT,T2/T3(Typical) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] I C [A] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V IC [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V RG [Ω] E [mJ] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C

PreliminaryData

過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 ZthJC : IGBT i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,01921 0,00113 2 0,12312 0,03104 3 0,02338 0,17309 4 0,00837 3,25128 逆バイアス安全動作領域IGBT,T2/T3（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C VCE [V] I C [A] 0 100 200 300 400 500 600 700 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 IC, Modul IC, Chip 順電圧特性ダイオード,D1/D4（typical) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=1.5Ω,VCE=300V IF [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C

PreliminaryData

スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=300V RG [Ω] E [mJ] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 ZthJC : Diode i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,02046 0,00108 2 0,10956 0,03036 3 0,02205 0,16873 4 0,00681 3,29829 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[ Ω ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp

PreliminaryData

回路図/circuit_diagram_headline

J

PreliminaryData

この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。

 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー　リスク　及び　品質の評価 ー　品質契約 ー　アプリケーションの共同評価　 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。

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 Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.