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エピタキシャル鉄基合金薄膜の構造および磁気特性解析

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1

エピタキシャル鉄基合金薄膜の構造および磁気特性解析

Crystallographic and Magnetic Properties of Epitaxial Fe-based Alloy Thin Films

電気電子情報通信工学専攻 相田 拓也

Takuya AIDA

1.

はじめに

世界のエネルギー消費量は増加の一途をたどっており,今 後も世界人口の増加や新興国における工業化の進展に伴い,

より一層のエネルギーが必要になると考えられている.省エ ネルギー技術が進んだ現代でもエネルギー消費量は年平均 2.6%で増加を続けており,エネルギー資源の節約が求められ ている.世界でも有数のエネルギー消費国家である日本の全 消費電力の3.4%は,変圧器やモータで用いられている磁性材 料での鉄損である.鉄損は,鉄心を磁束が通ることにより発 生する渦電流に起因する渦電流損と,磁化が反転する際に生 じるヒステリシス損からなる.鉄損を抑制するためには,鉄 心材料の電気抵抗率の増大や優れた軟磁気特性が必要となる.

鉄(Fe)や鉄基合金は高い飽和磁化と透磁率を持った代表的 な軟磁性材料であり,鉄心に多く用いられている.特に,ケ イ素(Si)を6 at. %含んだ合金はケイ素鋼と呼ばれ,比較的高 い透磁率と電気抵抗率をもつことから幅広く利用されている [1].実用材料であるケイ素鋼板は,結晶の磁化容易軸を揃え た方向性ケイ素鋼板と,各結晶の結晶軸をランダムに配置し た無方向性ケイ素鋼板に大別される.変圧器では方向性ケイ 素鋼板が主に用いられており,材料の結晶性や表面形態が鉄 損に影響をおよぼすことから,結晶構造や磁気特性について 様々な研究が行われてきた.Siの他に,ホウ素(B)や炭素(C)

を含んだ合金は優れた軟磁気特性を示すことが知られており [2, 3],これらの材料の結晶構造や磁気特性の検討は,電磁変 換機器への応用に有用だと考えられる.

また,PCでは,メモリとしてSRAMDRAMなどの半導 体メモリが用いられている.これらに比べて高集積,高速処 理が期待され,不揮発性の記録が可能な磁気抵抗メモリ

MRAM)と呼ばれる次世代メモリの研究が注目を集めてい る.MRAM は強磁性体で絶縁体を挟みこむ磁気トンネル接 合(MTJ)と呼ばれる素子からなる.MTJ素子の磁化状態に よって電気抵抗が変化するため,この特性を利用してディジ タル情報を記録する.この抵抗の変化率はTMR比といい,

MTJ素子の感度を表す.MRAMの大容量記録のためには,

高いTMR比をもつ材料が必要となる.かつては絶縁体層に 非晶質の酸化アルミニウム(Al-O)を用いていたが,近年で は結晶化した酸化マグネシウム(MgO)を絶縁層として用い ると高いTMR比を得られることが理論シミュレーションに より示唆され[4],強磁性層に鉄や鉄基合金などを用いて実験 的にも確かめられている[5–7].高いTMR比を得るためには,

強磁性層とMgO層を単結晶化することが必要であり,強磁 性体層には構造が制御されたエピタキシャル膜を用いるこ とが有効である.MTJ素子の性能向上には,MgO 基板上に

形成した鉄基合金の構造や結晶性,磁気特性の検討が必要で ある.

強磁性体材料には,磁界中において寸法が変化する磁歪と いう現象がある.交流磁界中で磁歪効果によって強磁性体が 膨張収縮することによる振動が発生し,変圧器やモータでは 騒音源,センサなどのデバイスでは性能低下の懸念要素とな っている.しかしながら磁歪の研究は、静磁界中で測定した 飽和磁歪に関する実験結果報告が中心で、回転磁界中におけ る磁歪の挙動に関する報告は殆どない。磁気応用機器は,磁 界の強度や方向が連続的に変化する磁界環境で用いられるの が通例であり、このため磁性材料の回転磁界中での磁歪特性 の把握が必要となっている。これまで,方向性および無方向 性のケイ素鋼板の回転磁界中における磁歪特性を調査した報 告例がある[8].無方向性ケイ素鋼板は正弦波状の磁歪波形を 示す一方で,方向性ケイ素鋼板は正弦波と三角波が組み合わ されたような磁歪挙動が観察されている.このことから,回 転磁界中の磁歪挙動は材料の磁気異方性の影響を受けると考 えられる.磁歪特性を調査する際には,基板単結晶表面の原 子配列に対応させて磁性原子の配列を揃えて磁性材料膜を成 長させるエピタキシャル成長技術で形成された薄膜が有効で ある.エピタキシャル薄膜は,基板材料や結晶方位を変化さ せることで膜構造や磁気異方性の制御を行うことができる.

本研究では,高効率エネルギー変換機器や次世代の情報記 憶装置で活用される機能材料候補として有力な Fe および Fe 基合金(Fe-SiFe-CFe-B)を対称に,GaAsMgO基板上 に結晶方位が制御されたエピタキシャル膜を作製した.結晶 方位,組成,および基板温度が,結晶構造および磁気特性に 及ぼす影響を検討した.また,一般には静磁界中での挙動の みが検討されている磁歪について,回転磁界中での挙動を調 べた.

2.

実験方法

超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法により,

MgO(001)単結晶基板上に薄膜試料を形成した.基板表面洗浄

化を目的に,製膜に先立って超高真空下で600 °C1時間の 基板加熱を行った.製膜中のアルゴンガス圧を0.67 Pa,ター ゲット基板間距離を150 mmで一定とした.膜形成後の表面構 造を反射高速電子回折(RHEED)により観察した.膜構造解 析にはX線回折(XRD)を用い,合金の組成分析にはエネル ギー分散型蛍光X線分析法を用いた.作製した薄膜の表面形 態観察には原子間力顕微鏡,磁化曲線測定には試料振動型磁 力計(VSM)を用いた.回転磁界中の磁歪挙動測定にはレー ザ変位計を用いた片持ち梁磁歪測定装置を用いて調べた.

修士論文要旨2015年度)

(2)

2

(a) Fe (c) Fe94Si6

(b) Fe98Si2 (d) Fe90Si10

002 112_ 112_

(e) A2

004 115_

115 _ 224_

224 _

(f) D03

(a) Fe (c) Fe94Si6 004

(b) Fe98Si2 (d) Fe90Si10

002 112_ 112_

(e) A2

004 115_ 115_

115 _ 115 _ 224_ 224_

224 _ 224 _

(f) D03

004

Fig. 1 RHEED patterns observed for (a) Fe, (b) Fe98Si2, (c) Fe94Si6, and (d) Fe90Si10 films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C. [(e), (f)]

Schematic diagrams of RHEED patterns of (e) A2(001) and (f) D03(001) single-crystal surfaces simulated by using the lattice constants of bulk (e) Fe (a = 0.2866 nm) and (f) Fe3Si (a = 0.5653 nm), respectively. The incident electron beam is parallel to (a)–(d) MgO[100], (e) A2[110], or (f) D03[110]. The filled and open circles in (f) respectively correspond to the fundamental and the superlattice reflections.

–4%

Fe-Si[001] Fe-Si[110]_ Fe-Si[110]

Fe-Si MgO

–4%

Fe-Si[001] Fe-Si[110]_ Fe-Si[110]

Fe-Si MgO

Fe-Si MgO

Fig. 2 Epitaxial orientation relationship of Fe-Si(001) || MgO(001).

3. MgO

単結晶基板上に形成した

Fe-Si

膜の構造および磁気特性解析

MgO基板上に基板温度200 °CFe-Si膜を40 nm形成し,

Si組成が膜構造および磁気特性に及ぼす影響を調べた.Fig. 1 に作製したFe100–xSix0 ≤ x ≤10 at. %)合金膜から得られた RHEEDパターンを示す.RHEED観察は,MgO[100]と平行に 電子線を入射させて行った.形成した全ての組成の膜から鮮 明な回折パターンが観察されたことから,Fe-Si合金膜が基板 上にエピタキシャル成長していることが確認できる.バルク Fe-Si合金の平衡状態図[9]では,Feリッチ側にbcc構造を 基にした不規則構造であるA2相と規則構造であるD03相が混 在する.A2(001)および D03(001)単結晶表面に対応する回折パ ターンをバルクの格子定数(aFe = 0.2866 nm [10], aFe3Si = 0.5653 nm [11])を用いて算出した.Fig. 1(e)および(f)に,A2(001)およ

D03(001)表面に対応する回折パターンの模式図をそれぞれ

示す.観察されたRHEEDパターンはA2(001)表面の回折パタ ーンに一致していることから,エピタキシャル方位関係は以 下のように決定した.

Fe-Si(001)[110] || MgO(001)[100]

A2構造のFe-Si(001)単結晶膜は,Fig. 2に示すようにMgO(001) 格子に対して45度回転した方位関係で成長している.この方 位関係では,Si組成が0から10 at. %に増加する際に,格子ミ スマッチが–4.0%から–4.4%にわずかに増加する.格子定数の 値は,バルクのMgO (a = 0.4217 nm [12])Fe (a = 0.2866 nm) およびFe89.5Si10.5 (a = 0.2853 nm [13])を用いた.

RHEED 観察によって決定した結晶構造とエピタキシャル

方位関係をXRD測定からも確認した.Fig. 3(a)Fe-Si合金膜 の格子定数のSi組成依存性を示す.格子定数は,XRD測定に

(b)

Δθ50, Δθχ50(deg.)Orientation dispersion

2 4 10

0 6 8

Δθχ50 Δθ50 0.6

0.8 1.0 1.2

Si composition (at. %)

5 4 3 2 1

0 Si composition (wt. %)

c a

2

5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4 6 8

Si composition (wt. %) 0.288

0.287 0.286 0.285

Lattice constant c, a(nm)

Bulk (a)

(b)

Δθ50, Δθχ50(deg.)Orientation dispersion

2 4 10

0 6 8

Δθχ50 Δθ50 0.6

0.8 1.0 1.2

Si composition (at. %)

5 4 3 2 1

0 Si composition (wt. %) (b)

Δθ50, Δθχ50(deg.)Orientation dispersion

2 4 10

0 6 8

Δθχ50 Δθ50 Δθχ50 Δθ50 0.6

0.8 1.0 1.2

Si composition (at. %)

5 4 3 2 1

0 Si composition (wt. %)

c a

2

5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4 6 8

Si composition (wt. %) 0.288

0.287 0.286 0.285

Lattice constant c, a(nm)

Bulk (a)

c a c a

2

5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4 6 8

Si composition (wt. %) 0.288

0.287 0.286 0.285

Lattice constant c, a(nm)

Bulk (a)

Fig. 3 Compositional dependences of (a) lattice constants of a and c and (b) orientation dispersion values of Δθ50 and Δθχ50 of Fe-Si films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C. The lattice constants of bulk Fe-Si crystals are cited from Ref. 13.

Ra: 4

0.5 nm 0(nm)

0 Ra: 2

0.2 nm (nm)

0 Ra: 2

0.1 nm (nm)

0 Ra: 2

0.2 nm (nm) (d) Fe90Si10

(c) Fe94Si6

(b) Fe98Si2

(a) Fe

Ra: 4

0.5 nm 0(nm)

0 Ra: 2

0.2 nm (nm)

0 Ra: 2

0.1 nm (nm)

0 Ra: 2

0.2 nm (nm) (d) Fe90Si10

(c) Fe94Si6

(b) Fe98Si2

(a) Fe

Fig. 4 AFM images observed for (a) Fe, (b) Fe98Si2, (c) Fe94Si6, and (d) Fe90Si10 films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C.

よ っ て 得 ら れ た 面 外 お よ び 面 内 方 向 の 面 間 隔(dFe-Si(200)

dFe-Si(002))と,(a, c) = (2dA2(200), 2dA2(002)) の関係から算出した.バ

ルクFe-Si結晶に比べて面直方向に縮小し,面内方向に膨張し

ていることが分かる.MgO 格子に対するFe-Si格子の格子ミ スマッチは約–4%であり,MgO 格子に引っ張られることで

Fe-Si膜の格子が面内に膨張したと考えられる.また,Si組成

が増加するにつれてaおよびcの値が減少していることが分か る.面外および面内方向における配向分散を面外および面内 XRDパターンの Fe-Si膜の反射角に回折角を固定して測定し たロッキングカーブの半値幅により概算した.Fig. 3(b)Fe-Si 膜の面外および面内方向の配向分散(Δθ50Δθχ50)のSi組成 依存性を示す.Si組成の増加につれて,Δθ50およびΔθχ50が増 加していることがわかる.これらの結果は,Fe-Si膜における Si 組成が結晶サイズや結晶性に影響することを示唆している.

Fig. 4Fe-Si膜の表面形態像を示す.いずれの膜でも平均

表面粗さRa1 nm以下の平坦な表面が観察された.この結果 から,表面形態におよぼすSi組成の影響はほとんどないと考 えられる.

(3)

3

Magnetization (kemu/cm3)

Applied field (kOe)

θH= 0º (Fe-Si[100]) θH= 45º (Fe-Si[110])

1.0

–1.0 –2.0 2.0

0 (a) Fe

1.0

–1.0 –2.0 2.0

0

(b) Fe98Si2

0 0.5 1

–0.5 –1

(d) Fe90Si10

(c) Fe94Si6

0 0.5 1

–0.5 –1 Magnetization (kemu/cm3)

Applied field (kOe) θH= 0º (Fe-Si[100])

θH= 0º (Fe-Si[100]) θθHH= 45º (Fe-Si[110])= 45º (Fe-Si[110])

1.0

–1.0 –2.0 2.0

0 (a) Fe

1.0

–1.0 –2.0 2.0

0

(b) Fe98Si2

0 0.5 1

–0.5 –1

(d) Fe90Si10

(c) Fe94Si6

0 0.5 1

–0.5 –1

Fig. 5 Magnetization curves measured for (a) Fe, (b) Fe98Si2, (c) Fe94Si6, and (d) Fe90Si10 films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C.

5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4

2 6 8

Si composition (wt. %)

1.4 1.8

Saturation magnetization MS(kemu/cm3) 1.7 1.6 1.5 5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4

2 6 8

Si composition (wt. %)

10 20 30

CoercivityHC(Oe)

(a) (b)

0

5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4

2 6 8

Si composition (wt. %)

1.4 1.8

Saturation magnetization MS(kemu/cm3) 1.7 1.6 1.5 5

Si composition (at. %)

0 10

4 3 2 1 0

4

2 6 8

Si composition (wt. %)

10 20 30

CoercivityHC(Oe)

(a) (b)

0

Fig. 6 Compositional dependences of (a) Hc and (b) Ms values of Fe-Si films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C.

Fig. 5MgO(001)単結晶基板上に基板温度200 °Cで形成し Fe-Si 膜の磁化曲線を示す.ここで,θH Fe-Si(001)面の

Fe-Si[100]方向を基準とした印加磁界方向の角度である.これ

らの膜は,Fe-Si[110]方向に磁界を印加した場合に比べ,Fe-Si

[100]方向に磁界を印加した方が容易に磁化が飽和することが

分かる.したがって,形成した膜は 4回対称性の面内磁気異 方性を示している.また,Si組成が0から10 at. %に増加する に従って,Fe-Si[110]方向に磁界を印加した際の磁化曲線がよ り低い磁界値で飽和していることが分かる.この磁気特性は,

磁気異方性エネルギーを検討することで説明することができ

る.Fe-Si(001)面内を磁化が回転するとき,磁気自由エネルギ

Eaは以下のように表される.

Ea = (1/8) ⋅ K1 ⋅ (1 – cos4θM)

ここで,K1は磁気異方性エネルギー,θMFe-Si[100]を基準 とした磁化方向の角度である.Fe-Si合金のK1は正であるから,

EaθM = 0°, 90°のときに最小,θM = 45°のときに最大となる.

つまり,Fe-Si[100]方向が磁化容易軸,Fe-Si[110]方向が磁化困 難軸となる.この計算結果は,磁化曲線測定結果と合致して

いる.Fig. 6に保磁力HC,および飽和磁化MSSi組成依存性 を示す.Si組成が0から10 at. %に増加するにつれて,膜の磁

化は11%まで線形に減少し,保磁力は24から16 Oeまで減少

していることが分かる.

4. MgO(001)単結晶基板上に形成した Fe, Fe-(Si, C, B)合金薄膜の構造および磁気特性解析

MgO(001)基板上に基板温度300 °C,膜厚500 nmで形成した Fe,Fe94Si6,Fe98C2,およびFe95B5(at. %)合金薄膜の構造と 磁気特性を解析する.材料の違いが膜の結晶構造と磁気特性 に与える影響について系統的に調べた.RHEED 解析の結果,

作製した全ての膜から得られた回折パターンが,bcc(001)単結 晶膜表面に対応するパターンと一致した.エピタキシャル方

位関係はFig. 2に示す関係と同様であった.

得られたXRD反射ピークから,作製した膜の格子定数a, c およびc/aを算出した.c/aは面内方向の格子定数に対する面 直方向の格子定数の比である.また,面外および面内方向に おける配向分散(Δθ50, Δθχ50)をロッキングカーブの半値幅か ら概算した.それぞれの結果をTable 1に示す.いずれの膜で も,面内方向の格子定数が面直方向の格子定数よりも大きく,

c/aの値が1よりも小さいことが分かる.これは,MgO格子に 引っ張られる形で膜の格子が面内に膨張したためと考えられ る.配向分散の値を比較すると,いずれの膜でも面内方向よ りも面直方向の分散が少ないことが分かる.配向分散の値は,

面外および面内ともにFe膜が最も少なく,Fe95B5膜が最も大 きい結果になった.Fe95B5膜からは,特に大きな歪みが観察さ れた.

磁化曲線測定の結果,Fe,Fe94Si6,およびFe98C2膜はbcc[100]

方向が磁化容易軸,bcc[110]方向が磁化困難軸となり,4回対 称性の面内磁気異方性を示すことが分かった.これはバルク bcc構造を持つFe単結晶の結晶磁気異方性を反映したもの だと解釈できる.一方,Fe95B5膜は面内でほとんど等方的な磁 気特性を示した.Table 1に示すように,,Fe95B5膜は分散が比 較的大きく,格子が歪んでいる.このような要因が膜の磁気 異方性に影響している可能性がある.Fe,Fe94Si6,Fe98C2,お よびFe95B5膜の飽和磁界値はそれぞれ6.0,4.0,5.0,および 5.0 kOeとなった.

Fig. 7Fe,Fe94Si6,Fe98C2,およびFe95B5合金膜の回転磁 界中の磁歪特性を示す.磁歪は,bcc[100]方向を基準として回

Table 1 Lattice constant (c, a), c/a, and orientation dispersion (Δθ50, Δθχ50) measured for Fe and Fe-alloy films.

Material Lattice constant, c (nm) Lattice constant, a (nm)

c/a Orientation dispersion,

Δθ50(deg.) Orientation dispersion,

Δθχ50(deg.)

Fe 0.2863 0.2883 0.9933 0.3

0.4

Fe94Si6

0.2860 0.2875 0.9948 0.5

1.0

Fe98C2

0.2869 0.2878 0.9968 0.6

1.9

Fe95B5

0.2856 0.2867 0.9960 4.6

16.0 Material

Lattice constant, c (nm) Lattice constant, a (nm)

c/a Orientation dispersion,

Δθ50(deg.) Orientation dispersion,

Δθχ50(deg.)

Fe 0.2863 0.2883 0.9933 0.3

0.4

Fe94Si6

0.2860 0.2875 0.9948 0.5

1.0

Fe98C2

0.2869 0.2878 0.9968 0.6

1.9

Fe95B5

0.2856 0.2867 0.9960 4.6

16.0

(4)

4

Rotation angle, ϕ(deg.) 100 Oe

300 Oe 500 Oe 1000 Oe 1200 Oe

Output (V)

0.1 V

(a) Fe (b) Fe94Si6 (c) Fe98C2 (d) Fe95B5

0 90 180 270 360 0 90 180 270 360 0 90 180 270 360 0 90 180 270 360

_ _

[100] [010] [100] [010] [100]_

0.1 V 0.1 V 0.1 V

_ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _

[100] [010] [100] [010] [100]_

Rotation angle, ϕ(deg.) 100 Oe

300 Oe 500 Oe 1000 Oe 1200 Oe

Output (V)

0.1 V 0.1 V

(a) Fe (b) Fe94Si6 (c) Fe98C2 (d) Fe95B5

0 90 180 270 360

0 90 180 270 360 00 9090 180 270 360180 270 360 00 9090 180 270 360180 270 360 00 9090 180 270 360180 270 360

_ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _ [100] [010] [100] [010] [100]_

0.1 V

0.1 V 0.1 V0.1 V 0.1 V0.1 V

_ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _

[100] [010] [100] [010] [100]_ _ _ [100] [010] [100] [010] [100]_

Fig.7 Output waveforms of magnetostriction measured for (a) Fe, (b) Fe94Si6, (c) Fe98C2, and (d) Fe95B5 films deposited on MgO(001) substrates.

転磁界を膜面内に印加することで測定した.磁歪の観察方向 bcc[110]である.Fe,Fe94Si6,およびFe98C2膜は,低磁界で は三角波状の挙動を示した.印加磁界値の増加に伴い,出力 波形は三角波から正弦波に近づいていくのがわかる.磁歪出 力波形が三角波から正弦波に変化する回転磁界の閾値は,Fe

>Fe98C2>Fe94Si6となった.この順序は,磁化曲線における飽 和磁界の大きさの順と同様であった.一方で,Fe95B5膜はいず れの印加磁界値でも正弦波状の磁歪出力波形を示した.これ は,等方的な磁気異方性に起因するものだと推察される.

5.

まとめ

本研究では,MgO 単結晶基板上に Fe および Fe 基合金

(Fe-Si,Fe-C,Fe-B)のエピタキシャル膜を作製し,その構 造および磁気特性の解析を行った.Fe-Si 合金膜は,Si組成 の増加に伴い格子定数が減少し,配向分散の値が増加した.

Fe-Si 合金膜で観察された4 回対称の磁気異方性は磁気異方

性エネルギーの観点で説明できることを示した.Fe-Si 合金 膜の飽和磁化と保磁力はSi組成の増加に対応して減少した.

Fe98C2膜は,FeおよびFe94Si6膜と同様に4回対称性の磁気異 方性を示した.他方,Fe-B膜はほとんど等方的な磁気特性を 示した.FeFe94Si6,およびFe98C2膜は回転磁界に対して三 角波状の磁歪挙動を示したが,Fe95B5膜では正弦波状となっ た.これらの検討から,回転磁界中の磁歪挙動は磁気異方性 と関連があることが明らかになった.以上のFe基合金膜につ いての詳細な膜構造および磁気特性解析結果は,高効率のエ ネルギー変換機器や次世代の磁気記録デバイスへの応用に繋 がる重要な知見であると考えられる.

謝辞 本研究を行うに当たり,指導教員の二本正昭教授に は,懇切丁寧なご指導を賜り,深く感謝致します.大竹充助 教には,実験指導,学会発表および論文執筆指導に至るまで 研究に関する様々な場面で多くの助言を頂きました.深く感 謝致します.川井哲郎研究員には,磁性に関する幅広い知見 に基づく多くの助言を頂きました.東京藝術大学大学院の桐

野文良教授にはEDX分析でご協力頂きました.山形大学の 稲葉信幸教授には磁気特性解析でご協力頂きました.ここに 謝意を表します.本研究の一部は日本学術振興会および科学 技術振興機構の補助を受けて行ったものであり,ここに謝意 を表します.

参考文献

[1] N. Takahashi: Tetsu-to-Hagane, 80, N59 (1994).

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研究業績(有査読論文)

[1] Takuya Aida, Tetsuroh Kawai, Mitsuru Ohtake, Masaaki Futamoto, and Nobuyuki Inaba: IEEE Trans. Magn., 50, 2008504 (2014).

[2] Tetsuroh Kawai, Takuya Aida, Mitsuru Ohtake, and Masaaki Futamoto: IEEE Trans. Magn., 50, 2008004 (2014).

その他:有査読論文(投稿中)1件(筆頭1件),有査読国際会議発 3件(筆頭1件),有査読国内学会発表3件(筆頭2件)

Fig. 1    RHEED patterns observed for (a) Fe, (b) Fe 98 Si 2 , (c) Fe 94 Si 6 , and  (d) Fe 90 Si 10  films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C
Fig. 5    Magnetization curves measured for (a) Fe, (b) Fe 98 Si 2 , (c) Fe 94 Si 6 ,  and (d) Fe 90 Si 10  films prepared on MgO(001) substrates at 200 °C

参照

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