シート / Datasheet F4-50R12KS4

暫定データ

PreliminaryData

IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter

最大定格/MaximumRatedValues

コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V 連続DCコレクタ電流

ContinuousDCcollectorcurrent TTCC = 70°C, T = 25°C, Tvj maxvj max = 150°C = 150°C

IC nom IC  50 70  AA 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  100  A トータル損失

Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  355  W

ゲート・エミッタ間ピーク電圧

Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IICC = 50 A, V = 50 A, VGEGE = 15 V = 15 V VCE sat 3,20 3,85 3,75 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧

Gatethresholdvoltage IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,5 5,5 6,5 V

ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG  0,60  µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  5,0  Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  3,40  nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,21  nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IVC = 50 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGon = 13 Ω td on _ 0,12_{0,13 } µs_µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IVC = 50 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGon = 13 Ω tr _ 0,05 0,06  µsµs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IVC = 50 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGoff = 13 Ω td off _ 0,31_{0,36 } µs_µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IVC = 50 A, VGE = ±15 VCE = 600 V RGoff = 13 Ω tf _ 0,02 0,03  µsµs Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IVC = 50 A, VGE = ±15 VCE = 600 V, LS = 30 nH RGon = 13 Ω Eon  6,00  mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IVC = 50 A, VGE = ±15 VCE = 600 V, LS = 30 nH RGoff = 13 Ω Eoff  2,50  mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C 短絡電流

SCdata VVGECEmax≤ 15 V, V = VCES -LCC = 900 V sCE ·di/dt tP≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC  300  A

ジャンクション・ケース間熱抵抗

Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC   0,35 K/W

動作温度

PreliminaryData

Diode、インバータ/Diode,Inverter

最大定格/MaximumRatedValues

ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent  IF  50  A ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM  100  A 電流二乗時間積

I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  1250  A²s

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

順電圧 Forwardvoltage IIFF = 50 A, V = 50 A, VGEGE = 0 V = 0 V VF 2,00 1,70 2,55 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IVF = 50 A, - diR = 600 V F/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) VGE = -15 V IRM  28,0 41,0  A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C 逆回復電荷量 Recoveredcharge IVF = 50 A, - diR = 600 V F/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) VGE = -15 V Qr  3,00 8,50  µCµC Tvj = 25°C Tvj = 125°C 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IVF = 50 A, - diR = 600 V F/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) VGE = -15 V Erec  1,10 3,10  mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC   0,70 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 °C

NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor

電気的特性/CharacteristicValues

min. typ. max.

定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R25  5,00  kΩ R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 % 損失 Powerdissipation TC = 25°C P25   20,0 mW B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  t.b.d.  K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  t.b.d.  K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

PreliminaryData

モジュール/Module

絶縁耐圧

Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV

ベースプレート材質

Materialofmodulebaseplate    Cu  

内部絶縁

Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140)   Al203  

沿面距離

Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   10,0  mm 空間距離

Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   7,5  mm 相対トラッキング指数

Comperativetrackingindex  CTI  > 225  

min. typ. max. ケース・ヒートシンク間熱抵抗

Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permoduleλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,02 K/W

内部インダクタンス

Strayinductancemodule  LsCE  30  nH

パワーターミナル・チップ間抵抗

Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE'  2,20  mΩ

保存温度 Storagetemperature  Tstg -40  125 °C 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm 質量 Weight  G  180  g

PreliminaryData

出力特性IGBT-　インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 出力特性IGBT-　インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C VCE [V] I C [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V 伝達特性IGBT-　インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] I C [A] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)

Eon=f(IC),Eoff=f(IC)

VGE=±15V,RGon=13Ω,RGoff=13Ω,VCE=600V IC [A] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C

PreliminaryData

スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V RG [Ω] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 ZthJC : IGBT i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,06832 0,009 2 0,22997 0,045 3 0,01825 0,073 4 0,03346 0,229 逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=13Ω,Tvj=125°C VCE [V] I C [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 20 40 60 80 100 120 IC, Modul IC, Chip 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] I F [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C

PreliminaryData

スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=13Ω,VCE=600V IF [A] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 Erec, Tvj = 125°C スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=600V RG [Ω] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 Erec, Tvj = 125°C 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] Z thJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 ZthJC : Diode i: ri[K/W]: τi[s]: 1 0,04146 0,003 2 0,3053 0,022 3 0,27151 0,064 4 0,08173 0,344 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[ Ω ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp

PreliminaryData

回路図/circuit_diagram_headline

J

PreliminaryData

この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。

 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー　リスク　及び　品質の評価 ー　品質契約 ー　アプリケーションの共同評価　 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。

Terms&Conditionsofusage

 Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.