２００７年 ノーベル物理学賞
アルベール・フェール
（フランス・パリ南大学）
ペーター・グリュンベルク
（ドイツ・ユーリヒ固体物理研究所）
巨大磁気抵抗効果の発見
２氏は１９８８年、別々に独立して、強磁性薄膜と非強磁性薄膜を重ねた多層膜で、金属の 電気抵抗が大きくなる「巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）」を発見した。
この現象は、コンピューターで使われるハードディスク（ＨＤ）の小型化、大容量化に応用さ れ、家電並に普及するパソコンをはじめ、インターネットやＩＴ技術の進化に、大きく貢献して いる。（CNN.co.jp）
ハードディスクの構造
関西外国語大学 短期大学部 上山清二氏のＨＰより
磁気ヘッド 磁気ディスク
アニメ http://www.sugilab.net/jk/joho-kiki/ （情報機器と情報社会のしくみ素材集）
磁気抵抗効果，巨大磁気抵抗効果
磁場をかけると電気抵抗が変化する現象
磁気抵抗効果
ローレンツ力
量子力学的効果（ゼーマン効果） 等によって誘起される
)
( E v B
e
F v v v
× +
=
巨大磁気抵抗効果
電気抵抗の変化が数１０％程度 電気抵抗の変化は数％程度
強磁性体（例えばCo）と非磁性体（例えばCu）の薄膜を積層
Ｃｕ
～1nm Ｃｏ
小さな磁場変化で大きな電気抵抗変化が生じる 磁気記憶装置の高密度化，小型化が可能
巨大磁気抵抗効果の定性的な説明
強磁性体層
（Ｃｏ，Ｆｅ）
非磁性体層
（Ｃｕ，Ｃｒ）
強磁性層の磁化の向きは反平行．
この場合右向きスピンを持った電子が下の 強磁性層境界面に来た場合，大きな抵抗 を受ける．
抵抗大
強磁性層の磁化の向きが平行．
この場合右向きスピンを持った電子が 下の強磁性層境界面に来た場合，抵 抗が小さい．
磁化方向
磁場が無い場合 磁場がある場合
素過程は未解明の点が多い
電子 スピン 抵抗小
抵抗小
抵抗小 界面散乱
