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配布資料PDF 事業戦略説明会|IR資料室|株主・投資家情報|富士電機

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Academic year: 2018

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富士電機

株式会社

富士電機

株式会社

体事業戦略

(2)

事業概要

市場動向

事業方針

成長戦略

業績動向

目標

(3)

事業概要

電源分

産業分

自動車分

力 ンサ IGBT IPM

IGBT

IC

業界最 端 高速 低損失特性

高破壊耐 第 世代IGBT)

高信頼性 実現 K 技術

機器 型化 省 ネ 貢献

業界 低損失

高効率特性

市場要求 応え 高い信頼性技術

第6世代IGBT適用 よ 低損失

高効率特性

高エネ 耐

(4)

事業概要

市場動向

事業方針

成長戦略

業績動向

目標

(5)

体市場

動向

億 サ

M

ワ 半 体市場全体

当社該当市場

Data Sourse WSTS 富士電機推定

当社該当市場 IGBT 全

MOSFET 耐 200V以 及び200V未満 車載用

ワ SBD及びFRD

均伸長率

体市場全体

4.5%

体市場全体

5.3%

当社該当市場

7.0%

市場

10.6%

(今回見直)

( 初予想)

(+23%)

(+29%) (+7%)

(6)

事業概要

市場動向

事業方針

成長戦略

業績動向

目標

(7)

環境

大容

加え

参入

目指

●海外売

海外生産

地産地消

.

目指

基本戦略

施策

生産子会社統合効果

抽出

海外生産

市場急

対応

生産体制強化

新組立

地域

特性

合わ

た商品

開発

展開

中国

欧州

中心

投入

連携

販売施策

開発施策

注力分

エネ

環境,自動車

集中

次世代

製品化

産技術

確立

事業方針

成長戦略

度売

中期計画

目指

(8)

ラ 電鉄 新エネ 民生 電源 億

% % % % % % %

度市場規模 度市場規模 度推定 ェ

●市場規模や伸長率

高い

及び

EV/HEV

ップ

狙う

FA

設備関連

市場回復

回復

維持

目指

事業方針

成長戦略

狙う市場

IGBT

Data Sourse IMS Research CSM 富士電機推定

市 場 ェ

k 富士電機

洋 日立 ァ

a

東芝 c c

そ 他

Data Sourse IMS Research

注力分 新規参入分

IGBT

主要分

(9)

家電

EV/HEV

UPS

風力発電

電鉄

←当社従来市場

事業方針

成長戦略

狙う市場

IGBT

大市場

_

大容

高耐

←新規参入市場

高電

(10)

事業方針

成長戦略

IGBT

風力発電

市場

欧州

米州

中国

大容

IGBT

3,300V 3,600A

製品系列

RB-IGBT*

新技術

適用

*

RB-IGBT

逆阻止

特長

変換回路

損失発生

大幅

抑制

変換効率

太陽

発電用

発生損失

低減可能

UPS 使用 た場合 損失改善

ベ 従来 ベ 新 ベ

損失

約15%

改善 約10%

(11)

事業方針

成長戦略

EV

HEV

IGBT

制御,充電装置

市場

日本

中国

世代

IGBT

技術

適用

た低損失

高放熱

*

開発

展開

Æ

電流当

面積

約半分

2 in 1

従来品

6 in 1

新製品

*

高放熱

注 PKG 面積 最外郭

(12)

事業方針

成長戦略

展開

販売 点

(既存)

生産 点

(既存

生産 販売 点

(既存

移管完了

移管中 中国

検討中 欧州

検討中

新規生産 点(

(13)

事業概要

市場動向

事業方針

成長戦略

業績動向

目標

(14)

設備投資

研究開発

設備投資

度 度予想 度予想 度

海外 国

当初計画 億 →見直 億

前工程新 ン 後工程新 点

中期計画 前倒 検討

(10.2.25発表)

研究開発

度 度予想 度

そ 他 次世代

ネ 環境

主要開発

ネ 大容 ュ 開発

環境 用 開発 第 世代系列 大

高性能 開発 容 ュ 開発

次世代 i a 開発 プ全体取 組

(10.7.30発表)

海外生産比率向

海外

投資

加速

環境

次世代

開発

置く

10.5.15発表) (10.2.25発表) 中期計画 中期計画

(15)

次世代

車両

プ ョン 想定削減効果 % た場合 当社推定

サ 電源 汎用 高

損失△35%

損失△60% 体積△75%

損失△60% 体積△40%

損失△50%

損失△50% 体積△50%

独 産業技術総合研究所殿 共同開発中 SiC MOSFET

特徴 ッ

高耐

低抵抗

高速動作

機器 型化

低消費電力

高効率電力変換

次世代

研究開発

加速

対応

産業技術総合研究所

専用

新設

設備等立

完了

試作開始

◆サンプ

展開

度中

度中

産化

月開始

(16)

事業概要

市場動向

事業方針

成長戦略

業績動向

目標

(17)

売 営利 売 営利 売 営利 売 営利 売 営利

度 度予想 予想 度中期計画 度中期目標

自動車

産業

電源

発表 発表

発表

業績動向

目標

中期目標>

(18)

1.

本資料

よび本説明会

予想値

よび将来

見通

記述

言明

弊社

入手可能

情報

よび仮定

断や仮定

不確実性

よび事業運営や

状況変化

実際

結果

予測

実質的

可能性

弊社

将来予測

確実性

保証

2.

本資料

情報

提供

目的

弊社

株式

売買

勧誘

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