重要注意事項 本書に記載された製品 および 製品の仕様につきましては 製品改善のために予告なく変更することがあります 従いまして ご使用を検討の際には 本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当 あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください 本書に記載された周辺回路 応用回路 ソフトウェア

ASAHI Hall Effect ICs

2015−16

本社

〒101-8101 東京都千代田区神田神保町一丁目105番地 神保町三井ビルディング

TEL. （03）3296-3961 FAX. （03）3296-3962

Headquarters

1-105 Kanda, Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8101, Japan Phone +81-3-3296-3961 Fax +81-3-3296-3962

●本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のた

めに予告なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、

本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当、あるいは弊社

特約店営業担当にご確認ください。

●本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連す

る情報は、半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器

設計において本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこ

れらに関連する情報を使用される場合は、お客様の責任において行ってくだ

さい。本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関

連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生じた損害に対し、弊社

はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因する、工業所有

権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。

●本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資（役務

を含む）に該当する場合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です。

●医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機

器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大

な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求され

る用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面に

よる同意をお取りください。

●この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、そ

の使用から生ずる損害等の責任を一切負うものではありませんのでご了承

ください。

●お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品

が使用され、その使用から損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担また

は補償して頂きますのでご了承ください。

重要注意事項

一般事項

製品

参考資料

1. ホールICの動作 ──────────────────

P1

2. ホールICラインナップ ───────────────

P3

3. ホールICに関する用語の説明 ────────────

P4

4. ホールIC応用例 ──────────────────

P5

5. ホールICご使用上の注意事項 ────────────

_P9

6. ホールIC信頼性 ─────────────────

_P11

7. セレクション ───────────────────

_P12

1. AKシリーズ　ホールIC ──────────────

_P13

2. EMシリーズ　ホールIC ──────────────

P33

3. EWシリーズ　ホールIC ──────────────

P49

4. EZシリーズ　ホールIC ──────────────

P77

ホールICを使ったスイッチの設計 ───────────

_P81

※このカタログは2015年4月現在のデータです。

　仕様等は予告なく変更することがございますのでご了承ください。

一般事項

ホールICの回路構成 　ホールICは磁気センサであるホール素子とその出力信号をデジタル信号に変換するICが1パッケージ化された素子で、入力端子、 GND端子、出力端子の3端子構成となっています。 　ホールIC内部の、ホール素子の駆動方式としては、常時通電しているタイプと省エネのためパルス駆動しているタイプがあります。 　（ホール素子常時駆動タイプ） 　出力方式にはオープンコレクタとプルアップ抵抗付の2タイプがあります。オープンコレクタタイプのホールICは通常は図2のよ うに負荷抵抗RLを接続して使用します。このタイプは通常動作温度−30～＋115℃となります。 　（ホール素子パルス駆動タイプ） 　ホール素子は図4に示すような電流でパルス駆動されており、その際の出力は図5に示すようになります。 　駆動されていない時の出力はその直前の状態が保持されています。 　なお、パルス駆動の周期はホールICのグレードごとに決まっており外部からコントロールすることは出来ません。 　このタイプは通常動作温度−30～＋85℃になります。

1.ホールICの動作

安定化電源 ホール素子 出力トランジスタ シュミットトリガ回路 増幅回路 1:VCC 3:OUT 2:GND Reg. Amp. 図2 負荷抵抗RLの接続 図1 オープンコレクタタイプの回路構成 VOUT GND HIC RL VCC IDD t IDD t 図3 ホール素子パルス駆動タイプの回路構成 図4 パルス駆動消費電流（EW-6672の例） 3:OUT 2:VSS Output Stage Schmitt trigger &Latch Amplifier Chopper Stabilizer Hall Element Pulse Regulator

Dynamic Offset Cancellator

1:VDD Switch 50ms time 12μs IDD IDD ON （TYP : 3mA） IDD off （TYP : 4μA） IDD （TYP : 5μA）

2

片極検知タイプホールICの動作説明 両極検知タイプホールICの動作説明 交番検知タイプホールIC出力波形 交番検知タイプホールICの動作説明 両極検知タイプホールIC出力波形 片極検知タイプホールIC出力波形 Bh 0 0 0 Brp

磁束密度 Hall Effect Switch Magnet 磁石の位置を検出 Bop S N VOUT Bop Brp S極 0 0 N極 片極検知動作タイプ ホールIC出力波形

磁束密度 Hall Effect Switch Magnet 磁石の位置を検出 SorN NorS VOUT BhN BhS BopN BrpN BrpSBopS Bop Brp S or N極 N or S極 両極検知動作タイプ ホールIC出力波形

磁束密度 Hall Effect Latch

磁石の回転を検出 Rotation Magnet VOUT _N N S S Bh Brp Bop Bop Brp S極 N極 交番検知動作タイプ ホールIC出力波形 0 　主に磁石の位置検出に用いられます。 　（両極検知タイプ） 　磁石のＳ極またはN極の磁場の強弱に対してON/OFFの動作をします。 　主に磁石の位置検出に用いられます。（磁極の向きに依存しません） 　（交番検知タイプ） 　磁石のＳ極Ｎ極の磁場が交互に印加される場合に対してON/OFFの動作をします。 　主に回転数の検出に用いられます。

一般事項

2.ホールICラインナップ

【片極検知ーホール素子常時駆動】

電源電圧 2.5∼5.5 [V] typ 3 [V] 3∼26.4 [V] typ 12 [V] パッケージ形状 動作磁束密度（Bop） 動作磁束密度（Bop） TYP 1.5[mT] ページ TYP 3[mT] EW-463 ページ 59 TYP 6[mT] EW-650B EW-652B EW-750B EW-752B ページ 67 75 TYP 10[mT] EW-453 ページ 57 出力形態 オープンコレクタ オープンコレクタ プルアップ抵抗付 オープンコレクタ プルアップ抵抗付 表面実装 パッケージ 薄型表面実装 パッケージ 薄型シングルインライン パッケージ 4000系 6000系 7000系

【片極検知ーホール素子パルス駆動】

電源電圧 2.4∼3.3 [V] typ 3 [V] 1.6∼5.5 [V] typ 1.85 [V] パッケージ形状 _{TYP 1.5[mT]} EW-6672 ページ 69 TYP 3[mT] EM-1771 EM-1791 AK8789 ページ 41 45 25 TYP 6[mT] ページ TYP 10[mT] ページ 出力形態 CMOS形式 CMOS形式 CMOS形式 SN極2出力 CMOS形式 SN極2出力 薄型表面実装 パッケージ 小型表面実装 パッケージ 小型表面実装 パッケージ 超小型SON パッケージ 6000系 1000系 1000系

【交番検知ーホール素子常時駆動】

電源電圧 2.5∼5.5 [V] typ 3 [V] 2.2∼18 [V] typ 12 [V] 3.5∼18 [V] typ 12 [V] 4.5∼18 [V] typ 12 [V] 3∼26.4 [V] パッケージ形状 _{TYP 1.5[mT] ページ TYP 3[mT]} EW-413 EW-632 EW-732 EM-1011 EW-410B EW-412B EW-610B ページ 55 65 73 33 53 63 TYP 6[mT] ページ TYP 10[mT] EW-403 EW-400 EW-402 EW-500 EW-502 ページ 51 49 61 出力形態 オープンコレクタ プルアップ抵抗付 プルアップ抵抗付 オープンドレイン オープンコレクタ プルアップ抵抗付 オープンコレクタ プルアップ抵抗付 オープンコレクタ プルアップ抵抗付 オープンコレクタ 表面実装 パッケージ 薄型表面実装 パッケージ 薄型シングルインライン パッケージ 小型表面実装 パッケージ 表面実装 パッケージ シングルインライン パッケージ 表面実装 パッケージ 薄型表面実装 4000系 6000系 7000系 1000系 4000系 5000系 4000系 6000系

【両極検知ーホール素子パルス駆動】

電源電圧 1.6∼5.5 [V] typ 1.85 [V] パッケージ形状 _{TYP 1.5[mT] ページ TYP 3[mT]} EM-6781 EM-1781 AK8788 AK8788A ページ 47 43 21 29 TYP 6[mT] ページ TYP 10[mT] ページ 出力形態 CMOS形式 CMOS形式 CMOS形式 薄型表面実装 パッケージ 小型表面実装 パッケージ 超小型SON パッケージ 6000系 1000系

【片極検知ー125℃動作、ホール素子常時駆動】

電源電圧 2∼24 [V] typ 12 [V]

パッケージ形状 _{TYP 1.5[mT] ページ TYP 3[mT] ページ TYP 6[mT] ページ TYP 26[mT]} EZ-471 ページ 79 表面実装 パッケージ 4000系 出力形態 オープンコレクタ 動作磁束密度（Bop） 動作磁束密度（Bop） 動作磁束密度（Bop）

4

【最大定格】

用語 最大定格 電源電圧 出力開放電圧 出力流入電流 出力電流 PDN入力電圧 PDN入力電流 記号 − VCC VDD VO(off) ISINK IOUT VIN IIN 説明 ホール素子の駆動方式 EW 常時 ● ● ● ● EM･EW･AK87 パルス ● ● ● ● ● ● ● ● ● 該当グレード 1.6∼5.5 [V] typ 1.85 [V] EM-1711 AK8771 35 13 小型表面実装 パッケージ 超小型SON パッケージ 1000系

【交番検知ーホール素子パルス駆動ーパワーダウン機能付】

電源電圧 1.6∼5.5 [V] typ 1.85 [V] 4.0∼5.5 [V] typ 5.0 [V] パッケージ形状 _{TYP 1.8[mT]} EM-1712 AK8772 ページ 37 17

TYP 3[mT] ページ TYP 6[mT] ページ TYP 10[mT] ページ 出力形態 CMOS形式 CMOS形式 CMOS形式 CMOS形式 小型表面実装 パッケージ 超小型SON 小型表面実装 パッケージ EM-1713 39 CMOS形式 パッケージ 1000系 1000系 一瞬たりとも越えてはならない限界値 電源電圧端子(VCCまたはVDD)に印加する電圧の値 出力端子に印加する電源電圧の値 出力端子よりホールIC内部へ流れ込む電流値 パワーダウン端子への入力電圧 パワーダウン端子への入力電流 動作温度 保存温度 Ｔopr TSTG 連続的に通電できる周囲温度の範囲 通電しない状態で許される周囲温度の範囲

【電気的特性】

用語 周囲温度 磁束密度 動作電圧 電源電流 動作磁束密度 復帰磁束密度 ヒステリシス幅 出力飽和電圧 出力漏れ電流 出力電圧降下 出力High電圧 出力Low電圧 プルアップ抵抗 パルス駆動周期 記号 Ta B VCC VDD Bop BopS、BopN Brp BrpS、BrpN Bh BhS、BhN VSAT ILEAK 説明 ホール素子の駆動方式 EW 常時 ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● EM･EW･AK87 パルス ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● 該当グレード ホールICの周囲温度 磁界に垂直な単位面積あたりの磁束線の数。単位はＴ（テスラ)で表記 G(ガウス)を使用の時は、1(mT)=10(G)で換算 電源電圧端子(VCCまたはVDD)に印加する電圧の値 出力がH状態でVCC-GND間を流れる電流 VDD-GND間を流れる平均電流 出力がHからL状態となる磁束密度(S極) 出力がHからL状態となる磁束密度(BopSはS極、BopNはN極) 出力がLからH状態となる磁束密度(S極) 出力がLからH状態となる磁束密度(BrpSはS極、BrpNはN極) Bh=Bop-Brp BhS=BopS-BrpS、BhN=BopN-BrpN 出力がL状態のOUT端子に一定電流を流した時のOUT端子の電圧 出力電圧 VOUT ホールICの出力電圧 出力がH状態のOUT端子に一定電圧を印加した時、OUT端子からホールICへ流れ込む電流 出力がH状態でのVCC-OUT端子間電圧 出力がH状態でのVSS-OUT端子間電圧 出力がL状態でのVSS-OUT端子間電圧 プルアップ抵抗の値 ホール素子をパルス駆動する周期（間欠駆動周期） ICC IDD Vd VOH VOL RL Tp PDN"H"入力パルス幅 TW パワーダウン信号のパルス幅 PDNによる状態遷移時間 TPD パワーダウン信号により出力状態が変化するまでの時間 PDN入力L電圧 VIL パワーダウン端子をL状態とするためのPDN-VSS端子間電圧 PDN入力H電圧 VIH パワーダウン端子をH状態とするためのPDN-VSS端子間電圧 PDN印加電圧 VPDN パワーダウン端子の電圧 動作磁束密度（Bop）

3.ホールICに関する用語の説明

一般事項

　ホールICの主な用途の例を紹介します。 　なお、本資料に掲載している応用回路等は使用上の参考のために示したもので、掲載回路の使用に起因する第三者の特許権その 他の権利侵害に関して弊社では一切の責任を負いかねますのでご了承ください。

4.ホールIC応用例

〈DCBLモータ（ロータ位置検出）〉

ロータ（周方向に着磁の永久磁石） 駆動コイル コア ホールIC ホールIC ホールIC 磁 石

〈ホールモータ（インデックス位置検出）〉

〈バルブ〉

〈ブラインド〉

〈液面計2〉

位置検出

6

SS

S N

_S

_N

S

〈エンコーダ〉

〈ベーン回転検出〉

〈マグネットキャッチ〉

〈流量計〉

〈電流スイッチ〉

〈ホールDCCT〉

ホールIC ホールIC ホールIC ホールIC コア オペアンプ 液 体

磁性材料検出

電流計

PCB ホールIC 磁性板 磁性材 磁 石 磁 石 ホールIC _{磁 束} 磁 石

一般事項

〈ドアスイッチ〉

〈フリップスイッチ〉

〈CPUファン〉

〈マイクロスイッチ〉

〈ベーンセンサ〉

〈パワーウィンド〉

磁石 磁石 磁石 磁石 磁性体 ホールIC ホールIC ホールIC ホールIC

8

〈バタフライバルブ〉

〈重量センサ〉

ホールIC ホールIC ホールIC ホールIC 磁石 磁石 磁石

一般事項

①耐電圧 　最大定格を遵守し、かつ推奨動作条件でご使用ください。ホールICは極性を有しますので逆接続をしないよう、充分ご注意くださ い。特に直接素子に高電圧が加わらないようにご配慮ください。定格を超えた範囲でご使用された場合、素子が破壊に至ることが ございます。またサージ電圧、静電気に対しても、保管、取り扱い、回路実装上充分ご配慮ください。さらに素子が駆動部と接触し ないようにご使用ください。 ②リードフォーミング（EW-500系などのリードタイプ） 　ホールICのリードフォーミングをされる場合には、以下の事項にご注意ください。 　　1）素子モールド部に外力が加わらないようにしてください。 　　2）リードに加える力は、図１の保証範囲内にしてください。 　　3）リードにねじり方向の力が加わらないようにしてください。

5.ホールICご使用上の注意事項

③ハンダ付け条件 　以下に参考条件を記載致しますが、お客様で充分ご検討・ご確認の上、ご使用ください。 　（1）ディップ　（素子全体を浸漬） ハンダディップを行う場合は、図2に示した温度負荷以内の条件での処理をお勧めします。 ハンダディップ回数は、1回でお願いします。 　（2）手ハンダ　（ハンダゴテ使用の場合） 260℃・10秒間あるいは350℃・3秒間以下の熱負荷で、かつ、素子本体に触れないようにハンダ付けしていただく事をお勧 めします。手ハンダ回数は2回以内でお願いします。 　（3）リフロー　 リフローを行う場合は、図3に示した温度プロファイル以下の条件での処理をお勧めします。 リフロー回数は、2回以内でお願いします。 　（4）ハンダフラックス ハンダフラックスはロジン系のものをお勧めします。なお、有機酸系、無機酸系、水溶性のフラックスのご使用はお避けくださ い。 引張強度 曲げ強度（1） 曲げ強度（2） 繰り返し曲げ強度 13.7N以内 7.8N以内 2.9N以内 3回以内 図1 ホールICの端子の強度 250 260 270 280 290 300 310 320 槽温度 ［ ℃ ］ 300 250 200 150 リフロープロファイル Reflow Profile 260℃ 10sec 230℃ 40sec 180℃ Peak 150℃

10

　（2）温　度　・・・　50℃以下 　（3）超音波を使用される場合 　　　　周波数；　45ｋHz以下　　 　　　　出　力；　40W/ℓ以下 ⑤保管環境のご注意 　製品を保管される場合、直射日光を避け、出来るだけ常温の室内に保管してください（望ましい保管条件は、5～35℃、40～ 85%RHです）。 ⑥長期保管のご注意 　一般的な半導体の保管条件でも長期(2年以上)に保管した場合は、リード端子のハンダ付け性が悪くなったり電気特性等が不良に なる場合がありますので、長期保管した場合は、ハンダ付け性や電気特性等を十分ご確認の上ご使用ください。 　保管が長期に及ぶ場合は、窒素雰囲気での保管をお勧めします。大気中で保管されますと、大気中の酸素により素子のリード部分 が酸化され、リード端子のハンダ付け性が悪くなります。

一般事項

弊社では、定期的に信頼性試験を行いホールICの信頼性を確保しています。 ◆定期信頼性試験項目 代表的な製品に於いて、定期的に、以下の信頼性試験項目を実施します。

6.ホールIC信頼性

試験項目 湿度放置試験 【JIS C 7021 B-11に準拠】 高温通電試験 ハンダ耐熱試験 【JIS C 7021 A-1に準拠】 高温放置試験 温度サイクル試験 【JIS C 7021 A-4に準拠】 試験条件 Ta=85℃ 相対湿度＝85% Ta=125℃ VCC、VDDは規格値 槽温度：300±5℃ Ta=150℃ −55℃ 常温 ＋150℃ 判定基準 N 22 22 22 22 22 試験時間 1000hr 1000hr 5±2秒 1000hr 50サイクル 30分 5分 30分 試験後、電気的特性の仕様を満たすこと。Bop、Brpは 標準・低感度品については初期値に対して±20%以内と する。

12

a

片極検知

両極検知

b

交番検知

c

低感度 Bop　TYP.10mT

d

標準感度 Bop　TYP.6mT（5mT）

e

高感度 Bop　TYP.3mT

f

超高感度 Bop　TYP.1.5mT

g

表面実装パッケージ 4系

h

薄型表面実装パッケージ 6系

i

小型表面実装パッケージ 1系

j

超小型SONパッケージ AK87系

k

シングルインライン 5系

パッケージ（SIP）

l

薄型シングルインライン 7系

パッケージ(薄型SIP)

m

1.85V

n

3V

o

5V

p

12V

q

24V

r

２．感度

３．パッケージ

４．電源電圧

モノリシック型　ホールIC　AKシリーズ

●磁電変換特性

●回路構成

4：OUT 1：VDD 3：PDN Switch

Dynamic Offset Cancellation

Output Stage Latch Logic AMP Chopper SW Hall Element OSC & Timing Logic Schmitt Trigger 2：VSS S or N N or S マーク面 印加磁束の方向 Package bottom 磁束密度 極 N 極 S 0 H Bop Brp Bh VOH VOL L VOUT

●概要

・高感度交番動作型ホールIC

・パワーダウン機能により、休止時の消費電流を大幅に削減

・超小型SONパッケージ：1.1×1.4×t0.37mm,　ハロゲンフリー

AK8771

AK8771は、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。 パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

超高感度

Bop：1.8mT

出力形式

CMOS出力

超小型SON

パッケージ

パワーダウン機能付

交番検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。 項 目 OSC Timing Logic Hall Element Chopper SW AMP Schmitt Trigger Latch Logic 発振回路です。 Chopper SW, AMP及び比較回路の為のタイミングを作ります。 磁場を感知するホール素子です。 ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセッ ト、ノイズを軽減するため、内部クロックでチョッピングします。 ホール素子の出力電圧を増幅します。 シュミットトリガ回路です。増幅されたホール出力電圧と 閾値と比較します。 出力を保持する回路です。

Output Stage 磁場検知結果を出力します。CMOS出力です。 機 能

14

•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

k

c

g

n

o

p

●絶対最大定格

●推奨動作条件

●電気的特性（Ta=25℃ V

DD

=3.0V）

●磁気特性①（Ta=25℃ V

DD

=3.0V）

●磁気特性②（Ta=−30∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

VDD VDD IOUT VIN IIN TSTG 項 目 記号 最小 単位 備考 ＋6.5 ＋0.5 VDD＋0.3＊ ＋10 ＋125 ー0.3 ー0.5 ー0.3 ー10 ー55 V mA V mA ℃ OUT端子 PDN端子 PDN端子 最大 保 存 温 度 Ta 項 目 記号 標準 単位 5.5 ＋85 3.0 最小 1.6 ー30 V ℃ 最大 IDD1 IDD2 IIN VIH VIL VOH VOL TPD1 TPD2 項 目 記号 標準 単位 1 6 1 0.3 0.4 100 100 2.5 最小 ー1 0.7VDD VDDー0.4 μA mA μA V V V V μs μs 備考 PDN=0V（パワーダウン） PDN=3V（動作時） IOUT IOUT =ー0.5mA =＋0.5mA 動作→PDN PDN→動作 最大 Bop Brp Bh 項 目 記号 標準 単位 4.0 1.8 ー1.8 3.6 最小 ー4.0 mT mT mT 最大 Bop Brp Bh 項 目 記号 標準 単位 4.2 1.8 ー1.8 3.6 最小 ー4.2 mT mT mT 最大 出 力 電 流 入 力 電 圧 入 力 電 流 電 源 電 圧 動 作 温 度 電 源 電 圧 消 費 電 流 2 P D N 入 力 電 流 PDN入力H電圧 PDN入力L電圧 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 遷 移 時 間 1 遷 移 時 間 2 消 費 電 流 1 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 注）「磁気特性②」に示す項目は、設計目標値です。 ＊）上限は＋6.5Vです。 注）絶対最大定格を超えて使用した場合、ICを破壊するおそれがあります。

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

●

（参考）ランド形状（単位：ｍｍ）

1.10 0.80 0.50 0.22 0.60 1.40 1.70 0.35 0.22 0.50 1.00 (0.125) 0.37 (0.23) 0.20 1.40 0.80 0.60 Sensor Center ※注1） センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 注2） 公差は特に定める以外は±0.05mmとします。 注3） ハッチング部は端子のメッキエリアを示します。 注4） 端子裏側中心部（TAB）はオープンもしくはVSSと 接続してください。 端子番号 1 2 3 4 端子名称 VDD VSS PDN OUT 機能 プラス電源端子 グラウンド端子 PDN端子 H:Device active L:Device power down 出力端子 備考 CMOS入力。Lでパワーダウン。 パワーダウン機能を使わない場合 には、VDD端子に接続。 CMOS出力

●動作タイミング

●推奨動作回路

CMOS出力 GND VDD=3.0V 0.1μF CMOS入力 VDD PDN VSS AK8771 OUT Bop Brp VPDN［V］ VOUT［V］ IDD［mA］ B［mT］ Undefined TPD2（＜100μs） t t t t 0 N 0 0 0 S 注1：パワーダウン時、出力データは保持されます。 注2：電源投入直後、VDD端子の電圧が1.6Vを超えてから、 PDN端子の制御によって出力が確定するまでの時間は、TPD2 と TPD2（＜100μs） TPD1（＜100μs） TPD1（＜100μs） 動作タイミング図

AK8771

●標準温度特性（参考）

-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 Bop -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Brp Bop, Brp ［ mT ］ Bop, Brp ［ mT ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=1.6V) Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=3.0V) -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 Bop -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Brp Bop, Brp ［ mT ］ Bop, Brp ［ mT ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=2.0V) Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=5.5V) -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 1 2 3 4 5 6 I DD 2［ mA ］ I DD 2［ mA ］ Ambient Temperature Ta［℃］ IDD2 vs. Ta(in various VDD) VDD［V］ Bop Brp VDD=5.5V VDD=3.0V VDD=2.0V VDD=1.6V 85℃ 25℃ 0℃ -30℃ Bop Brp

IDD2 vs.VDD(in various Ta)

16

c

g

k

n

o

p

4：OUT 1：VDD

3：PDN Switch

Dynamic Offset Cancellation

2：VSS Output Stage Latch Logic AMP Chopper SW Hall Element OSC & Timing Logic Schmitt Trigger

●回路構成

●磁電変換特性

S or N N or S マーク面 Package bottom 磁束密度 極 N 極 S 0 H Bop Brp Bh VOH VOL L VOUT 印加磁束の方向 項 目 OSC Timing Logic Hall Element Chopper SW AMP Schmitt Trigger Latch Logic 発振回路です。 Chopper SW, AMP及び比較回路の為のタイミングを作ります。 磁場を感知するホール素子です。 ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセッ ト、ノイズを軽減するため、内部クロックでチョッピングします。 ホール素子の出力電圧を増幅します。 シュミットトリガ回路です。増幅されたホール出力電圧と 閾値と比較します。 出力を保持する回路です。

Output Stage 磁場検知結果を出力します。CMOS出力です。 機 能

モノリシック型　ホールIC　AKシリーズ

●概要

・高感度交番動作型ホールIC

・パワーダウン機能により、休止時の消費電流を大幅に削減

・間欠駆動により、動作時の消費電流を削減

・超小型SONパッケージ：1.1×1.4×t0.37mm,　ハロゲンフリー

AK8772

AK8772は、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。 パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

超高感度

Bop：1.8mT

出力形式

CMOS出力

超小型SON

パッケージ

パワーダウン機能付

パルス駆動

交番検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

●電気的特性（Ta=25℃ V

DD

=3.0V）

IDD1 IDD2 IIN VIH VIL VOH VOL TPD1 TPD2 TPD3 TPD4 TW 項 目 記号 標準 単位 1 150 1 0.3 0.4 （36.6） 100 60 最小 ー1 0.7VDD VDDー0.4 100 μA μA μA V V V V μs μs μs 備考 PDN=0V（パワーダウン） PDN=3V（動作）,平均値 IOUT=ー0.5mA IOUT=＋0.5mA ＊_動作→PDN PDN→動作 1.5 36.6 1.0 24.4 0.5 12.2 ms μs PDN＝3V（動作時） 最大 消 費 電 流 2 P D N 入 力 電 流 PDN入力H電圧 PDN入力L電圧 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 遷 移 時 間 1 遷 移 時 間 2 パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 PDN“H”入力パルス幅 消 費 電 流 1 ＊外部からのPDN入力タイミングと内部の動作とは非同期なので、この遷移時間は量産検査されません。

●絶対最大定格

●推奨動作条件

●磁気特性①（Ta=25℃ V

DD

=3.0V）

●磁気特性②（Ta=−30∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

VDD VDD IOUT VIN IIN TSTG 項 目 記号 最小 単位 備考 ＋6.5 ＋0.5 VDD＋0.3＊ ＋10 ＋125 ー0.3 ー0.5 ー0.3 ー10 ー55 V mA V mA ℃ OUT端子 PDN端子 PDN端子 最大 保 存 温 度 Ta 項 目 記号 標準 単位 5.5 ＋85 3.0 最小 1.6 ー30 V ℃ 最大 Bop Brp Bh 項 目 記号 標準 単位 4.0 1.8 ー1.8 3.6 最小 ー4.0 mT mT mT 最大 Bop Brp Bh 項 目 記号 標準 単位 4.2 1.8 ー1.8 3.6 最小 ー4.2 mT mT mT 最大 出 力 電 流 入 力 電 圧 入 力 電 流 電 源 電 圧 動 作 温 度 電 源 電 圧 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 注）「磁気特性②」に示す項目は、設計目標値です。 ＊）上限は＋6.5Vです。 注）絶対最大定格を超えて使用した場合、ICを破壊するおそれがあります。

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•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

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●外形寸法図（単位：ｍｍ）

端子番号 1 2 3 4 端子名称 VDD VSS PDN OUT 機能 プラス電源端子 グラウンド端子 PDN端子 H:Device active L:Device power down 出力端子 備考 CMOS入力。Lでパワーダウン。 パワーダウン機能を使わない場合 には、VDD端子に接続。 CMOS出力 t t t t VPDN［V］ VOUT［V］ IDD［mA］ B［mT］ 0 0 N N S S Bop Brp 0 0 磁界サンプリングが行われていない期間内にPDN端子をHからL にした場合、ICはそのままパワーダウンし、出力は保持されます。 また、磁界サンプリング中にPDN端子をHからLにした場合、ICは TPD2（＜100μs） TPD4（typ.24.4μs） IDD2（typ.2.5mA） IDDOFF IDD1（<1μA） TPD3（typ.1ms） TPD1（＜36.6μs） 磁界検知動作のタイミング図（詳細）

●（参考）ランド形状（単位：ｍｍ）

1.10 0.80 0.50 0.22 0.60 1.40 1.70 0.35 0.22 0.50 1.00 (0.125) 0.37 (0.23) 0.20 1.40 0.80 0.60 Sensor Center ※注1） センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 注2） 公差は特に定める以外は±0.05mmとします。 注3） ハッチング部は端子のメッキエリアを示します。 注4） 端子裏側中心部（TAB）はオープンもしくはVSSと 接続してください。

●動作タイミング

Bop Brp VPDN［V］ VOUT［V］ IDD［mA］ B［mT］ Undefined TPD2（＜100μs） t t t t 0 N 0 0 0 S 注1：パワーダウン時、出力データは保持されます。 注2：電源投入直後、VDD端子の電圧が1.6Vを超えてから、 PDN端子の制御によって出力が確定するまでの時間は、TPD2 と TPD2（＜100μs） TPD1（＜36.6μs） TPD1（＜36.6μs） 動作タイミング図

AK8772

●標準温度特性（参考）

-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 Bop -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Brp Bop, Brp ［ mT ］ Bop, Brp ［ mT ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=1.6V) Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=3.0V)

●推奨動作回路

CMOS出力 GND VDD=3.0V 0.1μF CMOS入力 VDD PDN VSS AK8772 OUT -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 0 -1 -2 -3 -4 1 2 3 4 Bop -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Brp Bop, Brp ［ mT ］ Bop, Brp ［ mT ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=2.0V) Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=5.5V) -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 20 40 60 80 100 120 0 20 40 60 80 100 120 1 2 3 4 5 6 Ambient Temperature Ta［℃］ VDD［V］ 85℃ 25℃ 0℃ -30℃ Bop Brp Bop Brp VDD=5.5V VDD=3.0V VDD=2.0V VDD=1.6V I DD 2［ μ A ］ I DD 2［ μ A ］

IDD2 vs. Ta(in various VDD) IDD2 vs.VDD(in various Ta)

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H 極 S 極 N BopN BrpN BrpS BopS L BhS VOL VOH VOUT 0 BhN

●磁電変換特性

磁束密度 4：OUT 1：VDD Switch

Dynamic Offset Cancellation

Output Stage AMP Chopper SW Hall Element OSC & Timing Logic Schmitt Trigger & Latch 2：VSS 項 目 OSC Timing Logic Hall Element Chopper SW AMP Schmitt Trigger & Latch Output Stage 発振回路です。 Chopper SW, AMP及び比較回路の為のタイミングを作ります。 磁場を感知するホール素子です。 ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセッ ト、ノイズを軽減するため、内部クロックでチョッピングします。 ホール素子の出力電圧を増幅します。 シュミットトリガ回路です。増幅されたホール出力電圧と 閾値と比較し保持します。 磁場検知結果を出力します。CMOS出力です。 機 能

●回路構成

S or N N or S マーク面 印加磁束の方向 Package bottom 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

モノリシック型　ホールIC　AKシリーズ

●概要

・高感度両極検知動作型ホールIC

・間欠駆動による低消費電流

　Typ.4.5μA（平均・1.85V動作時）

・超小型SONパッケージ：1.1×1.4×t0.37mm,　ハロゲンフリー

AK8788

AK8788は、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型スイッチタイプホールICです。 ホール素子はパルス駆動されているため、VDD=1.85V時平均消費電流4.5μAときわめて低消費電力です。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

高感度

Bop：3mT

出力形式

CMOS出力

超小型SON

パッケージ

ホール素子

パルス駆動

両極検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。

●絶対最大定格

●推奨動作条件

●電気的特性①（特記のない限りTa=25℃ V

DD

=1.85V）

●電気的特性②（Ta=−30∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

●磁気特性①（Ta=25℃ V

DD

=1.85V）

●磁気特性②（Ta=−30∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

VDD IOUT TSTG 項 目 記号 最小 単位 ＋6.5 ＋0.5 ＋125 ー0.3 ー0.5 ー55 V mA ℃ 最大 保 存 温 度 VDD Ta 項 目 記号 標準 単位 5.5 ＋85 1.85 最小 1.6 ー30 V ℃ 最大 IDD IDD2 VOH VOL TPD1 TPD2 項 目 記号 標準 単位 9 12 0.4 100 170 4.5 7.5 50 85.4 最小 VDDー0.4 25 43 μA μA V V ms μs 備考 平均値 平均値、VDD=5.5V IOUT=ー0.5mA IOUT=＋0.5mA 最大 IDD VOH VOL TPD1 TPD2 項 目 記号 標準 単位 15 0.4 100 170 4.5 50 85.4 最小 VDDー0.4 25 43 μA V V ms μs 備考 平均値 IOUT=ー0.5mA IOUT=＋0.5mA 最大 BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN 項 目 記号 標準 単位 4.0 ＊_ー1.4 ＊_3.7 ー1.1 ＊_1.5 3.0 ー3.0 2.2 ー2.2 ＊_0.8 最小 ＊_1.4 ー4.0 1.1 ＊_ー3.7 ＊_0.3 mT mT mT mT mT 最大 BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN 項 目 記号 標準 単位 4.4 ー1.2 4.1 ー0.9 1.7 3.0 ー3.0 2.2 ー2.2 0.8 最小 1.2 ー4.4 0.9 ー4.1 0.1 mT mT mT mT mT 最大 出 力 電 流 電 源 電 圧 注）絶対最大定格を超えて使用した場合、ICを破壊するおそれがあります。 注）「電気的特性②」に示す項目は、設計目標値です。 動 作 温 度 電 源 電 圧 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 消 費 電 流 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 平 均 消 費 電 流 注）＊のある数値は設計目標値です。 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 注）「磁気特性②」に示す項目は、設計目標値です。 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度

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•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

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●パルス駆動消費電流

50ms（typ.） time 85.4μs（typ.） IDD IDD ON （typ : 1.7mA） IDD OFF （typ : 1.3μA） IDD （typ : 4.5μA）

●動作タイミング

IDD B Bop VOUT High Low time time

Operating Point Timing IDD B Brp VOUT _{12.2μs（typ.）} 12.2μs（typ.） _High Low time time e m i t e m i t

Releasing Point Timing 磁界判定結果は、内部回路 OFF（IDD OFF）直前に内部データとして保持され、 それから12.2μs（Typ.）経って出力端子に結果を出力します。

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

●（参考）ランド形状（単位：ｍｍ）

1.10 0.80 0.50 0.22 0.60 1.40 1.70 0.35 0.22 0.50 1.00 (0.125) 0.37 (0.23) 0.20 1.40 0.80 0.60 Sensor Center ※注1） センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 注2） 公差は特に定める以外は±0.05mmとします。 注3） ハッチング部は端子のメッキエリアを示します。 注4） 端子裏側中心部（TAB）はオープンもしくはVSSと 接続してください。 端子番号 1 2 3 4 端子名称 VDD VSS N.C. OUT 機能 プ ラ ス 電源端子 グ ラ ウ ン ド 端子 （ 内部接続 な し ） 出力端子 備考 VSSと 接続 CMOS出力

AK8788

●標準温度特性（参考）

-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 -6 -4 -2 0 2 4 6 BopS -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 BopN BrpS BrpN VDD=1.85V VDD=3V VDD=5.5V Bop, Brp ［ mT ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=1.85V) 感度の温度特性 I DD ［ μ A ］ Ambient Temperature Ta［℃］ IDD vs. Ta 消費電流（平均値）の温度特性

●推奨動作回路

CMOS出力 GND VDD=1.85V 0.1μF VDD N.C. VSS AK8788 OUT

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p

項 目 OSC Timing Logic Hall Element Chopper SW AMP Schmitt Trigger & Latch Output Stage 発振回路です。 Chopper SW, AMP及び比較回路の為のタイミングを作ります。 磁場を感知するホール素子です。 ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセッ ト、ノイズを軽減するため、内部クロックでチョッピングします。 ホール素子の出力電圧を増幅します。 シュミットトリガ回路です。増幅されたホール出力電圧と 閾値と比較し保持します。 磁場検知結果を出力します。CMOS出力です。 機 能 4：OUT1 （N極） 3：OUT2 （S極） 1：VDD Switch

Dynamic Offset Cancellation

2：VSS Output Stage AMP Chopper SW Hall Element OSC & Timing Logic Schmitt Trigger & Latch

●回路構成

●磁電変換特性

0 BrpN BopN BhN H VOL N極 S極 L VOUT1 VOH VOH 度 密 束 磁 度 密 束 磁 0 BopS BrpS BhS H VOL L VOUT2 S or N N or S マーク面 印加磁束の方向 Package bottom 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

モノリシック型　ホールIC　AKシリーズ

●概要

・高感度両極検知2出力動作型ホールIC

・間欠駆動による低消費電流

Typ.6.5μA（平均・1.85V動作時）

・超小型SONパッケージ：1.1×1.4×t0.37mm,　ハロゲンフリー

AK8789

AK8789は、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型スイッチタイプホールICです。ホール素子はパルス駆動されている ので、VDD=1.85V時平均消費電流6.5μAときわめて低消費電力です。さらにS,N極用の2つの出力を有しています。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

高感度

Bop：2.5mT

出力形式

CMOS型式　S.N極用2出力

超小型SON

パッケージ

ホール素子

パルス駆動

両極検知

S,N極用2出力

梱包は10,000個/巻のテ－ピングとなります。

●絶対最大定格

●推奨動作条件

●電気的特性（Ta=25℃ V

DD

=1.85V）

●磁気特性①（Ta=25℃ V

DD

=1.85V）

●磁気特性②（Ta=−30∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

VDD IOUT TSTG 項 目 記号 最小 単位 ＋6.5 ＋0.5 ＋125 ー0.3 ー0.5 ー55 V mA ℃ 最大 保 存 温 度 VDD Ta 項 目 記号 標準 単位 5.5 ＋85 V ℃ 1.85 最小 1.6 ー30 最大 IDD VOH VOL TPD1 TPD2 項 目 記号 標準 単位 9 0.4 100 220 6.5 50 146 最小 VDDー0.4 25 73 μA V V ms μs 備考 平均値 IOUT=ー0.5mA IOUT=＋0.5mA 最大 BopN BopS BrpN BrpS BhN,BhS 項 目 記号 標準 単位 3.2 ー1.4 3.0 ー1.2 2.5 ー2.5 2.0 ー2.0 0.5 最小 1.4 ー3.2 1.2 ー3.0 0.1 mT mT mT mT mT 最大 BopN BopS BrpN BrpS BhN,BhS 項 目 記号 標準 単位 3.9 ＊_ー1.3 ＊_3.7 ー0.9 2.5 ー2.5 2.0 ー2.0 0.5 最小 ＊_1.3 ー3.9 0.9 ＊_ー3.7 ＊_0.1 mT mT mT mT mT 最大 出 力 電 流 電 源 電 圧 注）絶対最大定格を超えて使用した場合、ICを破壊するおそれがあります。 動 作 温 度 電 源 電 圧 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 平 均 消 費 電 流 注）「磁気特性①」に示す項目は、設計目標値です。 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 注）＊のある数値は設計目標値です。 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度

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•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

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●パルス駆動消費電流

50ms（typ.） Time 146μs（typ.） IDD ON （typ＝1.8mA） IDD （typ＝6.5μA） IDD OFF （typ＝1.3μA）

●動作タイミング

IDD B Bop VOUT High Low t t t IDD B Brp VOUT _{48.8μs（typ.）} 48.8μs（typ.） _High Low t t t

Operating Point Timing Releasing Point Timing 磁界判定結果は、内部回路 OFF（IDD OFF）直前に内部データとして保持され、 それから48.8μs（Typ.）経って出力端子に結果を出力します。

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

●（参考）ランド形状（単位：ｍｍ）

1.10 0.80 0.50 0.22 0.60 1.40 1.70 0.35 0.22 0.50 1.00 (0.125) 0.37 (0.23) 0.20 1.40 0.80 0.60 Sensor Center ※注1） センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 注2） 公差は特に定める以外は±0.05mmとします。 注3） ハッチング部は端子のメッキエリアを示します。 注4） 端子裏側中心部（TAB）はオープンもしくはVSSと 接続してください。 端子番号 1 2 3 4 VDD VSS OUT2 OUT1 機能 プ ラ ス 電源端子 グ ラ ウ ン ド 端子 S極検知出力端子 N極検知出力端子 備考 CMOS出力 CMOS出力 端子名称

AK8789

●標準温度特性（参考）

-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 -6 -4 -2 0 2 4 6 BopN -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 BrpN BrpS BopS VDD=1.85V VDD=3.0V VDD=5.5V Bop, Brp ［ mT ］ I DD ［ μ A ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=1.85V) 感度の温度特性 Ambient Temperature Ta［℃］ IDD vs. Ta 消費電流（平均値）の温度特性

●推奨動作回路

CMOS出力（N極） GND VDD=1.85V 0.1μF CMOS出力（S極） VDD OUT2 VSS AK8789 OUT1

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●回路構成

H 極 S 極 N BopN BrpN BrpS BopS L BhS VOL VOH VOUT 0 BhN

●磁電変換特性

S or N N or S マーク面 印加磁束の方向 Package bottom 磁束密度 4：OUT 1：VDD Switch

Dynamic Offset Cancellation

Output Stage AMP Chopper SW Hall Element OSC & Timing Logic Schmitt Trigger & Latch 2：VSS 項 目 OSC Timing Logic Hall Element Chopper SW AMP Schmitt Trigger & Latch Output Stage 発振回路です。 Chopper SW, AMP及び比較回路の為のタイミングを作ります。 磁場を感知するホール素子です。 ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセッ ト、ノイズを軽減するため、内部クロックでチョッピングします。 ホール素子の出力電圧を増幅します。 シュミットトリガ回路です。増幅されたホール出力電圧と 閾値と比較し保持します。 磁場検知結果を出力します。CMOS出力です。 機 能 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

モノリシック型　ホールIC　AKシリーズ

●概要

・高感度両極検知動作型ホールIC

・間欠駆動による低消費電流

Typ.4.5μA（平均・1.85V動作時）

・超小型SONパッケージ：1.1×1.4×t0.37mm,　ハロゲンフリー

AK8788A

AK8788Aは、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型スイッチタイプホールICです。 ホール素子はパルス駆動されているため、VDD=1.85V時平均消費電流4.5μAときわめて低消費電力です。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

高感度

Bop：3mT

出力形式

CMOS出力

超小型SON

パッケージ

ホール素子

パルス駆動

両極検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。

●絶対最大定格

●推奨動作条件

●電気的特性①（特記のない限りTa=25℃ V

DD

=1.85V）

●電気的特性②（Ta=−40∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

●磁気特性①（Ta=25℃ V

DD

=1.85V）

●磁気特性②（Ta=−40∼＋85℃ V

DD

=1.6∼5.5V）

VDD IOUT TSTG 項 目 記号 最小 単位 ＋6.5 ＋0.5 ＋125 ー0.3 ー0.5 ー55 V mA ℃ 最大 保 存 温 度 VDD VDD Ta 項 目 記号 標準 単位 5.5 ＋85 1.85 最小 1.6 ー40 V ℃ 最大 IDD IDD2 VOH VOL TPD1 TPD2 項 目 記号 標準 単位 9 12 0.4 100 170 4.5 7.5 50 85.4 最小 VDDー0.4 25 43 μA μA V V ms μs 備考 平均値 平均値、 =5.5V IOUT=ー0.5mA IOUT=＋0.5mA 最大 IDD VOH VOL TPD1 TPD2 項 目 記号 標準 単位 15 0.4 100 170 4.5 50 85.4 最小 VDDー0.4 25 43 μA V V ms μs 備考 平均値 IOUT=ー0.5mA IOUT=＋0.5mA 最大 BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN 項 目 記号 標準 単位 3.7 ＊_ー1.9 ＊_3.4 ー1.6 ＊_1.5 3.0 ー3.0 2.4 ー2.4 0.6 最小 ＊_1.9 ー3.7 1.6 ＊_ー3.4 ＊_0.3 mT mT mT mT mT 最大 BopS BopN BrpS BrpN BhS,BhN 項 目 記号 標準 単位 4.1 ー1.7 3.8 ー1.4 1.7 3.0 ー3.0 2.4 ー2.4 0.6 最小 1.7 ー4.1 1.4 ー3.8 0.1 mT mT mT mT mT 最大 出 力 電 流 電 源 電 圧 注）絶対最大定格を超えて使用した場合、ICを破壊するおそれがあります。 注）「電気的特性②」に示す項目は、設計目標値です。 動 作 温 度 電 源 電 圧 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 消 費 電 流 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 平 均 消 費 電 流 注）＊のある数値は設計目標値です。 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度 注）「磁気特性②」に示す項目は、設計目標値です。 復 帰 磁 束 密 度 ヒ ス テリシ ス 幅 動 作 磁 束 密 度

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•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

b

f

k

n

o

p

●パルス駆動消費電流

50ms（typ.） time 85.4μs（typ.） IDD IDD ON （typ : 1.7mA） IDD OFF （typ : 1.3μA） IDD （typ : 4.5μA）

●動作タイミング

IDD B Bop VOUT High Low time time

Operating Point Timing IDD B Brp VOUT _{12.2μs（typ.）} 12.2μs（typ.） _High Low time time e m i t e m i t

Releasing Point Timing 磁界判定結果は、内部回路 OFF（IDD OFF）直前に内部データとして保持され、 それから12.2μs（Typ.）経って出力端子に結果を出力します。

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

●（参考）ランド形状（単位：ｍｍ）

1.10 0.80 0.50 0.22 0.60 1.40 1.70 0.35 0.22 0.50 1.00 (0.125) 0.37 (0.23) 0.20 1.40 0.80 0.60 Sensor Center ※注1） センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 注2） 公差は特に定める以外は±0.05mmとします。 注3） ハッチング部は端子のメッキエリアを示します。 注4） 端子裏側中心部（TAB）はオープンもしくはVSSと 接続してください。 端子番号 1 2 3 4 端子名称 VDD VSS N.C. OUT 機能 プ ラ ス 電源端子 グ ラ ウ ン ド 端子 （ 内部接続 な し ） 出力端子 備考 VSSと 接続 CMOS出力

AK8788A

●標準温度特性（参考）

-30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 -6 -4 -2 0 2 4 6 BopS -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 BopN BrpS BrpN VDD=1.85V VDD=3V VDD=5.5V Bop, Brp ［ mT ］ Ambient Temperature Ta［℃］ Bop, Brp vs. Ta(VDD=1.85V) 感度の温度特性 I DD ［ μ A ］ Ambient Temperature Ta［℃］ IDD vs. Ta 消費電流（平均値）の温度特性

●推奨動作回路

CMOS出力 GND VDD=1.85V 0.1μF VDD N.C. VSS AK8788A OUT

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b

f

k

n

o

p

●磁電変換特性

1 2 S N マーク面 1：TEST 3：VDD REG.

Dynamic Offset Cancellation

Output Stage Amplifier Hall Element Schmitt r o t a l u g e R Trigger 4：VSS 2：OUT

●回路構成

磁束密度 極 S 極 N 0 H Bop Brp Bh L VOUT 印加磁束の方向

●磁気特性及び電気的特性（Ta=25℃ V

DD

=12V）

項 目 記号 測定条件 最小 単位 0.5 −6 1 0.5 3 −3 6 0.2 3 6 −0.5 12 0.4 1 6 mT mT mT V μA mA 標準 最大 ヒ ス テリシ ス 幅 出 力 飽 和 電 圧 出 力 漏 れ 電 流 電 源 電 流

OUT="L"ISINK=10mA

OUT="H" OUT="H" Bop Brp Bh VSAT ILEAK IDD 出力H→L磁束密度 出力L→H磁束密度 1［mT］=10［Gauss］

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr 電 源 電 圧 動 作 温 度 3.5 12 18 V 項 目 記号 最小 標準 最大 単位 VDD ISINK VOUT TSTG −_{0.3 25 V} 0 12 mA −_{0.3 25 V} −₄₀ ＋₁₂₅ ℃ −30 ＋25 ＋115 ℃ 項 目 記号 最小 最大 単位 VDD 電 源 電 圧 出 力 流 入 電 流 出 力 印 加 電 圧 保 存 温 度

モノリシック型　ホールIC　EMシリーズ

EM-1011

EM-1011はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。

電源電圧

3.5～18Ｖ

高感度

Bop：3mT

出力形式

オープンドレイン

小型表面実装

パッケージ

ホール素子

常時駆動

交番検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

性

特

度

温

度

密

束

磁

作

動

●

囲

範

圧

電

用

使

●

●電源立ち上がり時の出力波形

●（参考）ランド形状（単位：mm）

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

20 15 0 5 10 電 源 電圧 ［ V ］ –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度［℃］ 0 −2 −4 2 4 6 動作磁束密度 ［ mT ］ Bop Brp −6 周囲温度［℃］ 外付けコンデンサ（0.1μF） 1:TEST 3:VDD 4:VSS プルアップ抵抗 EM-1011 VDD GND VOUT 2:OUT VDD＝12V

●外付け部品推奨回路

注１） センサ中心はφ0.3mmの 円内に位置します。 注２） 公差は特に定める以外は ±0.1mmとします。 注３） リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。 注4）センサ感磁部は マーキング面からの深さ 0.4mm（typ.）に位置します。 0.25 0.3 0.4 5° 5° 5° 5° 0.1 0∼0.1 0.3 2.1 1.3 2.1 ± 0.2 1.25 0.25 1 4 3 2 φ0.3 Sensor center Sensor center ＋ 0.1 − 0 0.55 端子番号 1 2 3 4 端子名称 TEST OUT VDD VSS 機能 テストピン 信号出力 電源 グラウンド 備考 N.C 1.30 0.90 1.90 0.50 0 ［mT］ ［V］ ［V］ 0 VDD＞3.5V B＞Bop S極 0 0 ［mT］ ［V］ ［V］ 0 VDD＞3.5V B＞Bop N極 0 B VDD VOUT

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•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

c

f

j

p

q

●磁電変換特性

●磁気特性○及び電気的特性（Ta=25℃ V

DD

=3.0V）

●磁気特性○（Ta=−30∼＋85℃ V

DD

=3.0V）

1 2 項 目 記号 測定条件 最小 単位 −4.0 0.7VDD VDD−0.4 1.8 −1.8 3.6 4.0 0.3 0.4 mT mT mT V V V V 標準 最大 ヒ ス テリシ ス 幅 P D N 入 力 Hレ ベ ル P D N 入 力 Lレ ベ ル 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 Io=−0.5mA Io=＋0.5mA Bop Brp Bh VIH VIL VOH VOL 項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位 −4.2 1.8 −1.8 3.6 4.2 mT mT mT 標準 最大 ヒ ス テリシ ス 幅 Bop Brp Bh 1 2 S N マーク面 2：OUT 1：VDD 3：PDN Switch

Dynamic Offset Cancellation

Output Stage Latch Logic Amplifier Chopper Stabilizer Hall Element Oscillator & Timing Logic Schmitt Trigger 4：VSS

●回路構成

出力H→L磁束密度 出力L→H磁束密度 出力L→H磁束密度 出力H→L磁束密度 注）本特性は設計保証になります。 磁束密度 極 S 極 N 0 H Bop Brp Bh VOH VOL L VOUT 印加磁束の方向

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr 電 源 電 圧 動 作 温 度 1.6 3.0 5.5 V 項 目 記号 最小 標準 最大 単位 VDD VIN IIN TSTG −_{0.1 6.0 V} −_{0.1 V}DD＋0.1 V −10 ＋10 mA −₄₀ ＋₁₂₅ ℃ −₃₀ ＋₂₅ ＋₈₅ ℃ 項 目 記号 最小 最大 単位 VDD 電 源 電 圧 PDN端子印加電圧 PDN端子入力電流 保 存 温 度 IOUT −_0.5 ＋_{0.5 mA} 出 力 電 流

モノリシック型　ホールIC　EMシリーズ

EM-1711

EM-1711はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。 パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

超高感度

Bop：1.8mT

出力形式

CMOS出力

小型表面実装

パッケージ

パワーダウン機能付

交番検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

性

特

度

温

度

密

束

磁

作

動

●

囲

範

圧

電

用

使

●

●動作タイミング

●（参考）ランド形状（単位：mm）

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

3 4 2 0 1 動作磁束密度 ［ mT ］ Bop Brp −40 −4 −3 −2 −1 −20 0 20 40 60 80 100 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度［℃］ 外付けコンデンサ VDD PDN VSS CMOS出力 CMOS入力 EM-1711 GND VDD 0.1μF OUT VDD＝3V

●外付け部品推奨回路

6 5 4 3 2 1 0 電 源 電圧 ［ V ］ 周囲温度［℃］ 5° 5° 0.1 0∼0.1 0.3 2.1 1.3 0.05 2.1 ± 0.2 1.25 0.25 1 4 3 2 φ0.3 Sensor center 端子番号 1 2 3 4 端子名称 VDD OUT PDN VSS 機能 電源 信号出力 パワーダウン グラウンド 1.30 0.90 1.90 0.50 0.25 0.3 0.4 5° 5° ＋ 0.1 − 0 0.55 注１） センサ中心はφ0.3mmの Sensor center 円内に位置します。 注２） 公差は特に定める以外は ±0.1mmとします。 注３） リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。 注4）センサ感磁部は マーキング面からの深さ 0.4mm（typ.）に位置します。 Bop Brp VPDN［V］ VOUT［V］ IDD［mA］ B［mT］ Undefined TPD2（＜100μs） t t t t 0 N 0 0 0 S 注1：パワーダウン時、出力データは保持されます。 注2：電源投入直後、VDD端子の電圧が1.6Vを超えてから、PDN端子の 制御によって出力が確定するまでの時間は、TPD2と同じです。 TPD2（＜100μs） TPD1（＜100μs） TPD1（＜100μs） 動作タイミング図

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•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

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●磁電変換特性

●磁気特性○及び電気的特性（Ta=25℃ V

1 DD

=3.0V）

●磁気特性○（Ta=−30∼＋85℃ V

2 DD

=3.0V）

項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位 −4.2 1.8 −1.8 4.2 mT mT 標準 最大 ヒ ス テリシ ス 幅 1 2 S マーク面 2：OUT 1：VDD 3：PDN Switch

Dynamic Offset Cancellation

Output Stage Latch Logic Amplifier Chopper Stabilizer Hall Element Oscillator & Timing Logic Schmitt Trigger 4：VSS 項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位 PDN=H 標準 最大 パ ル ス駆 動 時 間 TPD3 TPD4 パ ル ス駆 動 周 期

●回路構成

出力L→H磁束密度 出力H→L磁束密度 注）本特性は設計保証になります。 磁束密度 極 S 極 N 0 H Bop Brp Bh VOH VOL L VOUT N 印加磁束の方向 項 目 記号 測定条件 最小 単位 −4.0 0.7VDD VDD−0.4 1.8 −1.8 3.6 4.0 0.3 0.4 mT mT mT V V V V 標準 最大 ヒ ス テリシ ス 幅 P D N 入 力 Hレ ベ ル P D N 入 力 Lレ ベ ル 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧 Io=−0.5mA Io=＋0.5mA Bop Brp Bh VIH VIL VOH VOL 出力H→L磁束密度 *1 出力L→H磁束密度 *1 0.5 1.0 PDN=H 1.5 ms 100 μs TW PDN入力パルス幅 12.2 24.4 36.6 μs Bop Brp 3.6 mT Bh

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr 電 源 電 圧 動 作 温 度 1.6 3.0 5.5 V 項 目 記号 最小 標準 最大 単位 VDD VIN IIN TSTG −_{0.1 6.0 V} −_{0.1 V}DD＋0.1 V −10 ＋10 mA −₄₀ ＋₁₂₅ ℃ −₃₀ ＋₂₅ ＋₈₅ ℃ 項 目 記号 最小 最大 単位 VDD 電 源 電 圧 PDN端子印加電圧 PDN端子入力電流 保 存 温 度 IOUT −_0.5 ＋_{0.5 mA} 出 力 電 流

モノリシック型　ホールIC　EMシリーズ

EM-1712

EM-1712はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。 パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。

電源電圧

1.6～5.5Ｖ

超高感度

Bop：1.8mT

出力形式

CMOS出力

小型表面実装

パッケージ

パワーダウン機能付

パルス駆動

交番検知

梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。