EM-1011
EM-1011はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。
電源電圧 3.5～18Ｖ
高感度 Bop：3mT
出力形式 オープンドレイン
小型表面実装 パッケージ ホール素子
常時駆動 交番検知
梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。
性 特 度 温 度 密 束 磁 作 動
● 囲
範 圧 電 用 使
●
●電源立ち上がり時の出力波形
●（参考）ランド形状（単位：mm）
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
20
15
0 5 10
電源電圧［V］
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
周囲温度［℃］
0
−2
−4 2 4 6
動作磁束密度［mT］ Bop
Brp
−6
周囲温度［℃］
外付けコンデンサ（0.1μF）
1:TEST
3:VDD 4:VSS
プルアップ抵抗 EM-1011
VDD
GND VOUT
2:OUT
VDD＝12V
●外付け部品推奨回路
注１） センサ中心はφ0.3mmの 円内に位置します。
注２） 公差は特に定める以外は
±0.1mmとします。
注３） リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。
注4）センサ感磁部は マーキング面からの深さ 0.4mm（typ.）に位置します。
0.250.3 0.4
5°
5°
5°
5°
0.1 0〜0.1 0.3
2.1 1.3
2.1±0.2 1.25 0.25
1
4 3
2
φ0.3 Sensor center
Sensor center
＋0.1 −00.55
端子番号 1 2 3 4
端子名称 TEST
OUT VDD VSS
機能 テストピン
信号出力 電源 グラウンド
備考 N.C
1.30
0.90
1.90
0.50
0
［mT］
［V］
［V］
0
VDD＞3.5V
B＞Bop S極
0
0
［mT］
［V］
［V］
0
VDD＞3.5V
B＞Bop N極
0 B
VDD
VOUT
34
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
c
f
j
p
q
●磁電変換特性
●磁気特性○及び電気的特性（Ta=25℃ VDD=3.0V）
●磁気特性○（Ta=−30〜＋85℃ VDD=3.0V）
1
2
項 目 記号 測定条件 最小 単位
−4.0
0.7VDD
VDD−0.4 1.8
−1.8 3.6
4.0
0.3
0.4 mT mT mT V V V V 標準 最大
ヒ ス テリシ ス 幅 P D N 入 力 Hレ ベ ル P D N 入 力 Lレ ベ ル 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧
Io=−0.5mA Io=＋0.5mA Bop
Brp Bh VIH VIL VOH VOL
項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位
−4.2 1.8
−1.8 3.6
4.2 mT mT mT 標準 最大
ヒ ス テリシ ス 幅 Bop
Brp Bh
1 2
S
N
マーク面
2：OUT 1：VDD
3：PDN Switch
Dynamic Offset Cancellation
Output Stage Latch Logic Amplifier
Chopper Stabilizer Hall Element Oscillator &
Timing Logic
Schmitt Trigger
4：VSS
●回路構成
出力H→L磁束密度 出力L→H磁束密度
出力L→H磁束密度 出力H→L磁束密度
注）本特性は設計保証になります。
磁束密度
極 S 極
N 0
H
Bop Brp
Bh
VOH
VOL L
VOUT
印加磁束の方向
●絶対最大定格（Ta=25℃）
●推奨動作条件
Topr
電 源 電 圧
動 作 温 度
1.6 3.0 5.5 V
項 目 記号 最小 標準 最大 単位 VDD
VIN IIN
TSTG
−0.1 6.0 V
−0.1 VDD＋0.1 V
−10 ＋10 mA
−40 ＋125 ℃
−30 ＋25 ＋85 ℃ 項 目 記号 最小 最大 単位
VDD
電 源 電 圧 PDN端子印加電圧 PDN端子入力電流
保 存 温 度
IOUT −0.5 ＋0.5 mA 出 力 電 流
モノリシック型 ホールIC EMシリーズ
EM-1711
EM-1711はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。
パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。
電源電圧 1.6～5.5Ｖ
超高感度 Bop：1.8mT
出力形式 CMOS出力
小型表面実装 パッケージ パワーダウン機能付
交番検知
梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。
性 特 度 温 度 密 束 磁 作 動
● 囲
範 圧 電 用 使
●
●動作タイミング
●（参考）ランド形状（単位：mm）
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
3 4
2
0 1
動作磁束密度［mT］ Bop
Brp
−4−40
−3
−2
−1
−20 0 20 40 60 80 100
−40 −20 0 20 40 60 80 100
周囲温度［℃］
外付けコンデンサ VDD
PDN VSS CMOS出力
CMOS入力
EM-1711
GND VDD
0.1μF OUT
VDD＝3V
●外付け部品推奨回路
6 5 4 3 2 1 0
電源電圧［V］
周囲温度［℃］
5°
5°
0.1 0〜0.1 0.3
2.1 1.3
0.05
2.1±0.2 1.25 0.25
1
4 3
2
φ0.3 Sensor center
端子番号 1 2 3 4
端子名称 VDD OUT PDN VSS
機能 電源 信号出力 パワーダウン
グラウンド
1.30
0.90
1.90
0.50
0.250.3 0.4
5°
5°
＋0.1 −00.55
注１） センサ中心はφ0.3mmの Sensor
center
円内に位置します。
注２） 公差は特に定める以外は
±0.1mmとします。
注３） リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。
注4）センサ感磁部は マーキング面からの深さ 0.4mm（typ.）に位置します。
Bop Brp VPDN［V］
VOUT［V］
IDD［mA］
B［mT］
Undefined
TPD2（＜100μs）
t
t
t
t 0
N
0
0
0 S
注1：パワーダウン時、出力データは保持されます。
注2：電源投入直後、VDD端子の電圧が1.6Vを超えてから、PDN端子の 制御によって出力が確定するまでの時間は、TPD2と同じです。
TPD2（＜100μs）
TPD1（＜100μs）
TPD1（＜100μs）
動作タイミング図
36
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
c
g
j
n
o
p
●磁電変換特性
●磁気特性○及び電気的特性（Ta=25℃ V1 DD=3.0V）
●磁気特性○（Ta=−30〜＋85℃ V2 DD=3.0V）
項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位
−4.2 1.8
−1.8
4.2 mT mT 標準 最大
ヒ ス テリシ ス 幅
1 2
S
マーク面
2：OUT 1：VDD
3：PDN Switch
Dynamic Offset Cancellation
Output Stage Latch Logic Amplifier
Chopper Stabilizer Hall Element Oscillator &
Timing Logic
Schmitt Trigger
4：VSS
項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位
PDN=H
標準 最大
パ ル ス駆 動 時 間 TPD3
TPD4 パ ル ス駆 動 周 期
●回路構成
出力L→H磁束密度 出力H→L磁束密度
注）本特性は設計保証になります。
磁束密度
極 S 極
N 0
H
Bop Brp
Bh
VOH
VOL L
VOUT
印加磁束の方向N
項 目 記号 測定条件 最小 単位
−4.0
0.7VDD
VDD−0.4 1.8
−1.8 3.6
4.0
0.3
0.4 mT mT mT V V V V 標準 最大
ヒ ス テリシ ス 幅 P D N 入 力 Hレ ベ ル P D N 入 力 Lレ ベ ル 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧
Io=−0.5mA Io=＋0.5mA Bop
Brp Bh VIH VIL
VOH VOL 出力H→L磁束密度 *1 出力L→H磁束密度 *1
0.5 1.0
PDN=H 1.5 ms
100 μs
TW PDN入力パルス幅
12.2 24.4 36.6 μs
Bop Brp
3.6 mT
Bh
●絶対最大定格（Ta=25℃）
●推奨動作条件
Topr
電 源 電 圧
動 作 温 度
1.6 3.0 5.5 V
項 目 記号 最小 標準 最大 単位 VDD
VIN IIN
TSTG
−0.1 6.0 V
−0.1 VDD＋0.1 V
−10 ＋10 mA
−40 ＋125 ℃
−30 ＋25 ＋85 ℃ 項 目 記号 最小 最大 単位
VDD
電 源 電 圧 PDN端子印加電圧 PDN端子入力電流
保 存 温 度
IOUT −0.5 ＋0.5 mA 出 力 電 流
モノリシック型 ホールIC EMシリーズ
EM-1712
EM-1712はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。
パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。
電源電圧 1.6～5.5Ｖ
超高感度 Bop：1.8mT
出力形式 CMOS出力
小型表面実装 パッケージ パワーダウン機能付
パルス駆動 交番検知
梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。
性 特 度 温 度 密 束 磁 作 動
● 囲
範 圧 電 用 使
●
●動作タイミング1
3 4
2
0 1
動作磁束密度［mT］ Bop
Brp
−4
−3
−2
−1
周囲温度［℃］
VDD＝3V 6
5 4 3 2 1 0
電源電圧［V］
周囲温度［℃］
●動作タイミング2（PDN＝H）
Releasing Point Timing Operating Point Timing
IDD
t
t
t
t
t
t B
High
Low Bop
VOUT
IDD
B
High
Low Brp
VOUT
TPD3
TPD4
●（参考）ランド形状（単位：mm）
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
5°
5°
0.1 0〜0.1 0.3
2.1 1.3
0.05
2.1±0.2 1.25 0.25
1
4 3
2
φ0.3 Sensor center
端子番号 1 2 3 4
端子名称 VDD OUT PDN VSS
機能 電源 信号出力 パワーダウン
グラウンド
1.30
0.90
1.90
0.50
−40 −20 0 20 40 60 80 100
−40 −20 0 20 40 60 80 100
0.250.3 0.4
5°
5°
＋0.1 −00.55
注１） センサ中心はφ0.3mmの 円内に位置します。
注２） 公差は特に定める以外は
±0.1mmとします。
注３） リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。
注4）センサ感磁部は マーキング面からの深さ 0.4mm（typ.）に位置します。
Sensor center
Bop Brp VPDN［V］
VOUT［V］
IDD［mA］
B［mT］
Undefined
TPD2（＜100μs）
t
t
t
t 0
N
0
0
0 S
注1：パワーダウン時、出力データは保持されます。
注2：電源投入直後、VDD端子の電圧が1.6Vを超えてから、PDN端子 の制御によって出力が確定するまでの時間は、TPD2と同じです。
TPD2（＜100μs）
TPD1（＜36.6μs）
TPD1（＜36.6μs）
動作タイミング図
38
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
c
g
j
n
o
p
●磁電変換特性
●電気的特性（Ta=−40〜＋120℃ VDD=4.0〜5.5V） ●磁気特性（Ta=−40〜＋120℃ VDD=4.0〜5.5V）
項 目 記号 測 定 条 件 最小 単位
−6.2 2.5
−2.5 −0.1 6.2 mT
mT 標準 最大
ヒ ス テリシ ス 幅
1 2
S
マーク面
2：OUT 3：TEST 1：VDD
Switch
Dynamic Offset Cancellation
Output Stage Latch Logic Amplifier
Chopper Stabilizer Hall Element Oscillator &
Timing Logic
Schmitt Trigger
4：VSS
●回路構成
出力L→H磁束密度 出力H→L磁束密度 磁束密度
極 S 極
N 0
H
Bop Brp
Bh
VOH
VOL L
VOUT
印加磁束の方向N
項 目 記号 条件、備考 最小 単位
VDD−0.4
0.4 21.0 40.4 84.2
3.9 7.6 15.8
1.5 2.1 3.1
90 145 265
V V
mA μA μA 標準 最大
パ ル ス駆 動 周 期 パ ル ス駆 動 時 間 消 費 電 流 1 消 費 電 流 2 平 均 消 費 電 流
Iout=−0.5mA Iout=＋0.5mA
Active Sleep VOH VOL TPD1 TPD2 IDD1 IDD2 出 力 H i g h 電 圧 出 力 L o w 電 圧
1［mT］=10［Gauss］ Bop
Brp
5.0 0.1
0.2 mT
Bh
●絶対最大定格（Ta=25℃）
●推奨動作条件
Topr 電 源 電 圧 動 作 温 度
4.0 5.0 5.5 V
項 目 記号 最小 標準 最大 単位 VDD
VOUT
TSTG
−0.3 6.5 V
−0.3 6.5 V
−40 ＋125 ℃
−40 ＋25 ＋120 ℃ 項 目 記号 最小 最大 単位
VDD 電 源 電 圧 出 力 印 加 電 圧
保 存 温 度
IOUT −0.5 ＋0.5 mA 出 力 電 流
●外付け部品推奨回路
CMOS出力 VDD
μs μs
モノリシック型 ホールIC EMシリーズ
EM-1713
EM-1713はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。
高速間欠駆動により低消費電力動作が可能です。
電源電圧 4.0～5.5Ｖ
高感度 Bop：2.5mT
出力形式 CMOS出力
小型表面実装 パッケージ ホール素子
パルス駆動 交番検知
梱包は5,000個/巻のテ－ピングとなります。
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。
性 特 度 温 度 密 束 磁 作 動
● 囲
範 圧 電 用 使
●
4 6
0 2
動作磁束密度［mT］
Bop
Brp
−6
−4
−2
周囲温度［℃］
●動作タイミング
Releasing Point Timing Operating Point Timing
IDD
t
t
t
t
t
t B
High Low Bop
VOUT
IDD
B
High Low Brp
VOUT
TPD1 TPD2
●（参考）ランド形状（単位：mm）
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
5°
5°
0.15 0〜0.1 0.3
2.0±0.2 1.3
2.1±0.2 1.25 0.25
1
4 3
2
φ0.3 Sensor center
端子番号 1 2 3 4
端子名称 VDD OUT TEST VSS
機能 電源 信号出力 テストピン グラウンド
1.30
0.90
1.90
0.50
−60 −40 −20 0 20 40 60 80 100 120 140
0.250.3 0.4
5°
5°
＋0.1 −00.55
注１） センサ中心はφ0.3mmの 円内に位置します。
注２） 公差は特に定める以外は
±0.1mmとします。
注３） リード平坦度：端子間の スタンドオフの差は最大 0.1mmとします。
注4）センサ感磁部は マーキング面からの深さ 0.4mm（typ.）に位置します。
Sensor center
●パルス駆動消費電流
TPD1
time TPD2
IDD
IDD1
IDD2 IDD0
−60 −40 −20 0 20 40 60 80 100 120 周囲温度［℃］
6 5 4 3 2 1 0
電源電圧［V］
VDD＝5V
40
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。