SIP パッケージ

ホール素子

常時駆動 交番検知

梱包は500個/袋のバルク供給となります。

注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

  性 存 依 圧 電 源 電 度 密 束 磁 作 動

●  

性 特 度 温 度 密 束 磁 作 動

●

●外形寸法図（単位：ｍｍ） 

15 10 5 0

−15−40

−10

−5

−20 0 20 40 60 80 100 120 140

動作磁束密度［mT］ 

周囲温度［℃］ 

Bop

Brp

VCC＝12V

10 15

5 0

5 10 15 20

0

動作磁束密度［mT］ 

電源電圧［V］ 

Ta＝ 25℃ 

−15

−10

−5 注1）センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 

 

Bop

Brp 5° 

5° 

2° 

4.5±0.1

マーキング面  2.25

0.7 0.45

1.0 1.0 0.6 1.6 0.7

1.00.45

0.6 0.1

0.3 0.4

1.27 1.27

1 2 3

1.5±0.2 0.5

S極  φ2.0

4.0

＋0.2 −0.1

Max. 12.5 0.60

1 2 3

注2）センサ感磁部はマーキング面からの深さ 0.5mm（typ.）に位置します。

端子番号  1  2  3 

端子名称  VCC GND OUT 

機能  電源  グラウンド

信号出力 

●使用電圧範囲 

20 16 18

10 12 14

4 6 8

2 0

電源電圧［V］

–40 –20 0 20 40 60 80 100 120

周囲温度［℃］

Sensor center

62

•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。

•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

c

d

l

p

q

●磁電変換特性 

●磁気特性及び電気的特性（Ta=25℃）

項  目  記号  最小  単位 

1

−6 2

3

−3 6

6

−1

0.4 mT mT mT V 標準  最大 

出 力 L → H 磁 束 密 度   ヒ ス テリシ ス 幅   出 力 飽 和 電 圧  

V^CC=12V V^CC=12V V^CC=12V

VCC=12V,OUT''L'',ISINK=10mA 出 力 H → L 磁 束 密 度  

1:VCC

3:OUT

2:GND Reg.

Amp.

●回路構成

プルアップ抵抗付（EW-612B）もございます。

詳細は弊社までお問い合わせください。

印加磁束の方向  N S

マーク面 

印加磁束の方向 

Bop Brp Bh V^SAT

Output Stage  Schmitt

 Trigger   &

 Latch Amplifier

HallElement  Regulator

測  定  条  件 

（＊）70℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照ください。

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr

電 源 電 圧

動 作 温 度

3 12 26.4 V

項  目  記号  最小  標準 最大  単位 

V^CC V^O(off)

I^SINK

−0.3 26.4 V

−0.3 V^CC V

0 10 mA

−40 ^＋25 ^＋115 ℃  項  目  記号  最小  最大  単位 

VCC

電 源 電 圧   出 力 開 放 電 圧   出 力 流 入 電 流  

T^{STG −}40 ^＋125 ℃  保 存 温 度  

（＊）

Bh

V^SAT L

VOUT

H

磁束密度 

極 S 極

N Brp 0 Bop

ハイブリッド型　ホールIC　EWシリーズ

EW-610B

EW-610Bは、InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホールICです。

高感度InSbホール素子を用いている為、デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。

電源電圧 3～26.4Ｖ

高感度 Bop：3mT

出力形式 オープンコレクタ

薄型表面実装 パッケージ ホール素子

常時駆動 交番検知

梱包は3,000個/巻のテ－ピングリール供給となります。

注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

性 存 依 圧 電 源 電 度 密 束 磁 作 動

● 性

特 度 温 度 密 束 磁 作 動

●

6 4 2 0

−2

−4

−6−60 −40 −20 0 20 40 60 80 100 120 140 Bop

動作磁束密度［mT］ Brp

周囲温度［℃］

VCC＝12V

6 4 2 0

−2

−4

−60 5 10 15 20 25 30

動作磁束密度［mT］

Ta＝25℃ 

Bop

Brp

●使用電圧範囲 

30

25 20 15 10 5 0

電源電圧［V］

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度［℃］

（4.5）

電源電圧［V］

●（参考）ランド形状（単位：mm）

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

0.95 0.95

2.60

1.00

0.70

1.00

0.70 0.70

φ0.3  Sensor Center

±

°

°°

°

°

°

° °

端子番号  1  2  3 

端子名称  VCC GND OUT 

機能  電源  グラウンド

信号出力 

注1）センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。

注2）公差は特に定める以外は±0.1mmとします。

注3）センサ感磁部はマーキング面からの深さ0.3mm

（typ.）に位置します。

0.3

Sensor center

64

•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。

•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

c

e

i

o

p

q

r

●磁気特性及び電気的特性（Ta=25℃）

項  目  記号  最小  単位 

−6 3

−3 6

6

0.4 mT mT mT V 標準  最大 

出 力 L → H 磁 束 密 度   ヒ ス テリシ ス 幅   出 力 飽 和 電 圧  

V^CC=12V V^CC=12V V^CC=12V VCC=12V,OUT''L''

Amp 1:VCC

プルアップ抵抗 

2:GND 3:OUT RL

●回路構成

出 力 H → L 磁 束 密 度  

●磁電変換特性 

N S

マーク面 

印加磁束の方向 

Bop Brp Bh V^SAT

  極   S

極

N Brp 0 Bop

Bh

VSAT L

V^OUT

VCC Vd

H

磁束密度 

Output Stage  Schmitt

 Trigger   &

 Latch Amplifier

HallElement 

測  定  条  件 

（＊）70℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照ください。

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr

電 源 電 圧

動 作 温 度

2.2 12 18 V

項  目  記号  最小  標準 最大  単位 

V^CC V^O(off)

I^SINK

−0.3 18 V

−0.3 V^CC V

0 12 mA

−30 ^＋25 ^＋115 ℃  項  目  記号  最小  最大  単位 

VCC

電 源 電 圧   出 力 開 放 電 圧   出 力 流 入 電 流  

T^{STG −}40 ^＋125 ℃  保 存 温 度  

（＊）

ハイブリッド型　ホールIC　EWシリーズ

EW-632

EW-632は、InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したラッチタイプホールICです。

高感度InSbホール素子を用いている為、デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。

電源電圧 2.2～18Ｖ

高感度 Bop：3mT

出力形式 プルアップ抵抗付

薄型表面実装 パッケージ ホール素子

常時駆動 交番検知

梱包は3,000個/巻のテ－ピングリール供給となります。

注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

●使用電圧範囲 

性 存 依 圧 電 源 電 度 密 束 磁 作 動

● 性

特 度 温 度 密 束 磁 作 動

●

6 4 2 0

−2

−4

−6

Bop

動作磁束密度［mT］ Brp

VCC＝12V

6 4 2 0

−2

−4

−60 5 10 15 20

動作磁束密度［mT］

Bop

Brp Ta＝25℃ 

周囲温度［℃］

電源電圧［V］

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 20

16 12 14 18

2 4 6 8 10

0

●使用電圧範囲 

−60 −40 −20 0 20 40 60 80 100 120 140

●（参考）ランド形状（単位：mm）

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

0.95 0.95

2.60

1.00

0.70

1.00

0.70 0.70

φ0.3  Sensor center

±

°°° °

°

°

° °

端子番号  1  2  3 

端子名称  VCC GND OUT 

機能  電源  グラウンド

信号出力 

注1）センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。

注2）公差は特に定める以外は±0.1mmとします。

注3）センサ感磁部はマーキング面からの深さ0.3mm

（typ.）に位置します。

0.3

周囲温度［℃］ 電源電圧［V］

Sensor center

66

•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。

•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

c

f

i

o

p

q

●磁電変換特性 

●磁気特性及び電気的特性（Ta=25℃）

項  目  記号  最小  単位 

3 2.5 0.5

6 5 1.1

10 9.5 2.5 0.4

mT mT mT V 標準  最大 

出 力 L → H 磁 束 密 度   ヒ ス テリシ ス 幅   出 力 飽 和 電 圧  

V^CC=12V V^CC=12V V^CC=12V

VCC=12V,OUT''L'', ISINK=10mA

1:VCC

3:OUT

2:GND Reg.

Amp.

●回路構成

出 力 H → L 磁 束 密 度  

プルアップ抵抗付（EW-652B）もございます。

詳細は弊社までお問い合わせください。

N S

マーク面 

印加磁束の方向 

Bop Brp Bh V^SAT

磁束密度  H

極 S 極

N Brp   Bop

L Bh VSAT

VOUT

0

Output Stage  Schmitt

 Trigger  Amplifier

HallElement  Regulator

測  定  条  件 

（＊）70℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照ください。

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr

電 源 電 圧

動 作 温 度

3 12 26.4 V

項  目  記号  最小  標準 最大  単位 

V^CC V^O(off)

I^SINK

−0.3 26.4 V

−0.3 V^CC V

0 10 mA

−40 ^＋25 ^＋115 ℃  項  目  記号  最小  最大  単位 

VCC

電 源 電 圧   出 力 開 放 電 圧   出 力 流 入 電 流  

T^{STG −}40 ^＋125 ℃  保 存 温 度  

（＊）

ハイブリッド型　ホールIC　EWシリーズ

EW-650B

EW-650Bは、InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホールICです。

高感度InSbホール素子を用いている為、デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。

電源電圧 3～26.4Ｖ

標準感度 Bop：6mT

出力形式 オープンコレクタ

薄型表面実装 パッケージ ホール素子

常時駆動 片極検知

梱包は3,000個/巻のテ－ピングリール供給となります。

注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

●使用電圧範囲 

性 存 依 圧 電 源 電 度 密 束 磁 作 動

● 性

特 度 温 度 密 束 磁 作 動

●

6 8 10

4 2

0−60 −40 −20 0 20 40 60 80 100 120 140 Bop

Brp

動作磁束密度［mT］

VCC＝12V

6 8 10

4 2

00 5 10 15 20 25 30

動作磁束密度［mT］

Bop

Brp

Ta＝25℃ 

30

25 20 15 10 5 0

電源電圧［V］

–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度［℃］

（4.5）

●（参考）ランド形状（単位：mm）

●外形寸法図（単位：ｍｍ）

0.95 0.95

2.60

1.00

0.70

1.00

0.70 0.70

φ0.3  Sensor center

±

°°° °

°

°

° °

端子番号  1  2  3 

端子名称  VCC GND OUT 

機能  電源  グラウンド

信号出力 

0.3

周囲温度［℃］ 電源電圧［V］

Sensor center

注1）センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。

注2）公差は特に定める以外は±0.1mmとします。

注3）センサ感磁部はマーキング面からの深さ0.3mm

（typ.）に位置します。

68

•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。

•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。

a

e

i

o

p

q

r

●磁電変換特性 

●磁気特性及び電気的特性（Ta=25℃ VDD=3V）

●磁気特性（Ta=−30〜＋85℃ V^DD=3V）

●外付け部品推奨回路 

項  目  記号  測  定  条  件  最小  単位 

1.0*

0.8 0.1*

1.5 1.2 0.3 50

2.3 1.9*

0.6*

100 mT mT mT ms 標準  最大 

ヒ ス テリシ ス 幅   パ ル ス駆 動 周 期  

項  目  記号  測  定  条  件  最小  単位  0.9

0.8 0.1

1.5 1.2 0.3

2.9 2.3 0.8

mT mT mT 標準  最大 

ヒ ス テリシ ス 幅  

●回路構成

出力L→H磁束密度 

出力H→L磁束密度  出力L→H磁束密度 

出力H→L磁束密度  磁束密度 

H

極 S 極

N Brp   Bop

L Bh VOL

V^OUT

0

注）本特性は設計保証となります。

VOH

N S

マーク面 

印加磁束の方向 

●絶対最大定格（Ta=25℃）

●推奨動作条件

Topr 電 源 電 圧 動 作 温 度

2.4 3.0 3.3 V

項  目  記号  最小  標準 最大  単位  V^CC

−0.1 5.0 V

−1.0 ^＋10 mA

−30 ^＋25 ^＋85 ℃  項  目  記号  最小  最大  単位 

V^DD 電 源 電 圧   出 力 流 入 電 流  

保 存 温 度 T ^STG −40 ^＋125 ℃ 

Bop Brp Bh Tp

Bop Brp Bh

3：OUT 1：VDD

Switch

Dynamic  Offset Cancellation

Output  Stage Latch  Logic Chopper  AMP

SW Hall  Element OSC 

& 

Timing Logic

Schmitt  Trigger 

2：VSS I^OUT

注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。

ハイブリッド型　ホールIC　EWシリーズ

EW-6672

EW-6672は、InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホールICです。

ホール素子はパルス駆動されているため、VDD=3V時平均消費電流5μAときわめて低消費電力です。

電源電圧 2.4～3.3Ｖ

超高感度 Bop：1.5mT

出力形式 CMOS出力

薄型表面実装 パッケージ ホール素子

パルス駆動 片極検知

梱包は3,000個/巻のテ－ピングとなります。

ドキュメント内 重要注意事項 本書に記載された製品 および 製品の仕様につきましては 製品改善のために予告なく変更することがあります 従いまして ご使用を検討の際には 本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当 あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください 本書に記載された周辺回路 応用回路 ソフトウェア (ページ 64-80)