TransactionsofMaterialsResearchSocietyofJapan, 20,774‑777(1996).
(Defectchalcopyrite,Photorefractive,Two‑beam couplinggain)
■SimpleMethodforDeterminingtheGainSaturation CoefficientofaDistributedFeedbackSemiconductor Laser
(分 布 帰 還 半 導 体 レ ー ザ ー の 利 得 飽 和 係 数 の 新 し い 決
定 法)
K.Wada,Y.Akage,H.Marui,H.Horinaka,N.
YamamotoandY.Cho
OpticsCommun.,130,57・62(1996),
(Gainsaturationcoefficient,Distributedfeedback semiconductorlaser,Pulsespectrum)
■PhotoluminescenceandResonantRamanScattering Mediatedby80undExcitoninTHMGrown CulnS2Crystai
(THM法 に よ り 作 製 し たCulnS・ 結 晶 に お け る フ ォ ト ル ミ ネ セ ン ス お よ び 束 縛 励 起 子 を 介 在 し た 共 鳴 ラ マ ン 散 乱)
K.Wakita,H,Hirooka,S.YasudaandN.Yamamoto Proc。'96MaterialResearchSocietyofJapanSymposium R:NovelSemiconductingMaterials,21(1996).
(Photoluminescence,ResonantRamanscattering,
Boundexciton,CuInS2)
■ResonantRamanEffectonTHMGrown CuGaSe2Crystal
(THM法 に よ り 作 製 し たCuGaSe,結 晶 に お け る 共 鳴
ラ マ ン 効 果)
K.Wakita,T.Miyazaki,Y.KikunoandN.Yamamoto Proc.'96MaterialResearchSocietyofJapanSymposium R;NovelSemiconductingMaterials,22(1996).
(ResonantRamanscattering,CuGaSe2,Donor‑acceptor pair)
■SpinDependentLuminescenceofGaAsThin LayersunderUniaxialTensileandCompressive StrainlnducedbylnterfaceStress
(界 面 応 力 に よ る 一 軸 性 引 っ 張 り 歪 み 、 圧 縮 歪 み を も
つGaAs薄 膜 の ス ピ ン 依 存 性 発 光)
W.Zhen,H.Horinaka,T.Nakanishi,S.Okumi,T.
SakaandT,Kato
Proc.'96MaterialResearchSocietyofJapanSymposium R;NovelSemiconducting.Materials,16(1996).
(Tensilestrain,Compressivestrain,Interfacestress, Spindependentluminescence)
■DisapPearanceofChaosDuetotheCarrierDensity DependentLifetimeinlnjectionModulatedAIGaAs Lasers。
(注 入 変 調 さ れ たAIGaAs半 導 体 レ ー ザ ー に お け る キ ャ
リ ア 密 度 に 依 存 し た 緩 和 時 間 に よ る カ オ ス の 消 滅)
Y.Cho,K.Wada,Y,Akage,K.Ishihara,H.Horinaka TechnicalDigestofXXInternationalQuantum ElectronicsConference(1996).
(Chaos,Selniconductorlaser,Carrierlifetime,Injection modulation)
■Differenceintransienttransportbehaviorbetween amorphousinorganicandorganicsolids
(非 晶 質 無 機 お よ び 有 機 固 体 の 過 渡 輸 送 特 性 の 違 い)
H.NaitoandY.Kanemitsu
J.Non‑Cryst.Solids,198‑200,226‑229(1996).
(Amorphouschalcogenides,Molecularlydoped polymers,Transienttransport,Glass‑transition temperature)
■Densityofstatesinamorphoussemiconductors determinedfromtransientphotoconductivity experiment:computersimulationandexperiment
(過 渡 光 伝 導 よ り 決 定 し た ア モ ル フ ァ ス 半 導 体 の 状 態
密 度:コ ン ピ ュ ー タ シ ミ ュ レ ー シ ョ ン と 実 験)
H.Naito,T.Nagase,T.Ishii,M.Okuda,T.Kawaguchi, andS.Maruno
J.Non‑Cryst.Solids,198‑200,363‑366(1996).
(Densityofstatesinthegap,AmorphousGeS2thin films,Transientphotoconductivity,ilI‑posedproblem)
■Photo‑inducedstructuralchangeinamorphous organicpolysilanes:comparisonwithhydrogenated
amorphoussilicon
(ア モ ル フ ァ ス 有 機 ポ リ シ ラ ン の 光 構 造 変 化:水 素 化
ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン と の 比 較)
H.Naito,S.Kodama,Q.Z.Kang,andM.Okuda J.Non‑Cryst.Solids,198‑200,653・656(1996).
(Photo‑inducedstructuralchanges, Po王ymethylphenylsilane,Hydrogenatedamorphous silicon,Time‑of‑flightexperiment)
圏Characterizationofamorphoussiliconprecipitated bymeansofArgonexcimerlaserirradiationon SiCfilms
(SiC薄 膜 へ の ア ル ゴ ン エ キ シ マ レ ー ザ 照 射 に よ り 形
成 し た ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン の 評 価)
M.Ohmukai,H.Naito,M.Okuda,andK.Kurosawa J.Non・Cryst.Solids,202,77‑80(1996).
(SiCfilms,Argonexcimerlaser,Amorphoussilicon, Ramanspectroscopy)
■Simultaneousmeasurementofrotationalviscosity, pretiltangle,anddielectricanisotropyfromtransient currentinnematicliquidcrystalcells
(ネ マ テ ィ ッ ク 液 晶 セ ル の 過 渡 電 流 か ら の 回 転 粘 性 率 、
チ ル ト 角 、 誘 電 率 異 方 性 の 同 時 測 定)
0.Nakagawa,M.Imai,H.Naito,andA.Sugimura Jpn.J.Appl.Phys.,35,2762‑2763(1996).
(Nematicliquidcrystals,Transientcurrent,Rotational viscosity,Pretiltangle,Dielectricanisotropy)
匿Polygonalshapetransformationofacircular biconcavevesicleinducedbyosmoticpressure
(浸 透 圧 に よ り 誘 起 さ れ た 円 形 バ イ コ ン ケ ー プ 小 胞 体
か ら 多 角 形 小 胞 体 へ の 形 態 変 化)
H.Naito,M.Okuda,andZ.Ou‑Yang Phys.Rev.E54,2816‑2826(1996),
(Helfrichvariationproblem,Analyticalsolutionof acircular,Biconcavevesicle,Polygonalshape transformation)
縢Modulatedphotocurrentstudyoflocalized‑state distributionsincopperphthalocyaninethinfilms
(変 調 光 電 流 法 に よ る 銅 フ タ ロ シ ア ニ ン 薄 膜 の 局 在 準
位 分 布 測 定) H.Naito
J.Appl.Phys.,80,5089‑5093(1996).
(Modulatedphotocurrentspectroscopy,Localized states,CoPPerphthalocyanine)
■Dielectricpropertiesofnematicliquidcrystalsin ultra‑lowfrequencyregime
(極 低 周 波 数 域 に お け る ネ マ テ ィ ッ ク 液 晶 の 誘 電 特 性)
S.Murakami,H.Iga,andH.Naito J,Appl.Phys.,80、6396‑6400(1996).
(Nematicliquidcrystals,Cole‑Colecirculararclaw, Dielectricpropertiesatultra‑10wfrequencies,Helmholtz doublelayer)
口Transportandgenerationprocessesofioniccarriers inamorphouspolymethyiphenylsilane
(ア モ ル フ ァ ス ポ リ メ チ ル フ ェ ニ ル シ ラ ン の イ オ ン 性
キ ャ リ ア の 輸 送 ・ 生 成 過 程)
H.Iga,S.Kodama,andH.Naito SolidStateCommun.,100、603‑607(1996).
(Polymethylphenylsilane,Ionicimpurity,Voltage reversalmethod)
■Effectofmolecularweightonholetransportin polysilanes
(ポ リ シ ラ ン の 正 孔 輸 送 に お け る 分 子 量 効 果)
T.Dohmaru,T.Nakamura,K.Oka,F.Hori,R,Oshima, Y.Nakayama,H.Naito,andM.Okuda
Proc.ofInt.Conf.onDigitalPrintingTechnol.'96 (IS&T'sNIP12),471474(1996),
(Polymethylphenylsilane,Time‑of‑flightexperiment, Molecularweight,Diagonalandoff‑diagonaldisorde1)
■ 非 対 称2重 障 壁 構 造 に お け る 共 鳴 ト ン ネ ル 効 果 の 解 析
(AnalysisofResonantTunnelinginDouble‑Barrier StructureswithAsymmetricPotentialProfiles)
稲 葉 宏 和,奥 田 昌 宏
電 子 情 報 通 信 学 会 論 文 誌,79‑C,150‑153(1996).
(Resonanttunneling,Asymmetricpotential,Double‑
barrierstructures)
■PhotoinducedDegradationofPhotoluminescence inPolysilaneFilms
(ポ リ シ ラ ン 膜 に お け る フ ォ ト ル ミ ネ セ ン ス の 劣 化)
Y.Nakayama,H.Hayashi,T.Kurando,K.Oka,T, Dohmaru,R.West
Jpn.J.AppLPhys.,35,L913‑L916(1996).
(Polysilane,Poly(methylphenylsilane),Poly (cyclohexylmethylsilane),Photoluminescence, Ambipolardiffusion,Augerprocess)
■OrientationofCarbonNanotubesUsing
Electrophoresis(電 気 泳 動 を 用 い た カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー
ブ の 配 向)
K.Yamamoto,S.Akita,Y.Nakayama Jpn。 」,AppLPhys.,35.L917‑918(1996).
(Carbonnanotube,Electrophoresis,Orientation)
■Temperature‑DependentElectricalOrientationof Poiy(cyclohexylmethylsilane)
(Poly(cyclohexylmethylsilane)の 温 度 依 存 電 界 配 向)
K.Hirooka,R.West,Y.Nakayama Jpn.J,AppLPhys.,35,L1284‑1286(1996).
(Polysilane,Poly(cyclohexylmethylsilane),Electrical orientation,Phasetransition,Ramanscatterirlg)
■StructuralHeterogeneityinNitrogen‑richa‑SiNx:H
(窒 素 過 剰 非 晶 質 窒 化 シ リ コ ン に お け る 構 造 不 均 質 性)
H,Hayashi,S.Matsumoto,Y,Nakayarna 工Non‑Cryst,Solids,198‑200,15‑18(1996).
(Amorphoussiliconnitrogen,a・SiNx:H,Smallangle X‑rayscattering,Hydrogenbonding,
Structureheterogeneity)
■Photoinducedannihilationofσbondsinamorphous poly(methylphenylsilane)
(非 晶 質 ポ リ メ チ ル フ ェ ニ ル シ ラ ン に お け る 光 誘 起 に
よ る σ 結 合 の 消 失)
Y.Nakayama,T.Kurando,H.Hayashi,K.Okaand T.Dohmaru
J.Non‑Cryst.Solids,198‑200,657‑660(1996) (Polysilane,Poly(methylphenylsilane),
Photoluminescence,σ 一bonds,Thermalassistedprocess)
(Polysilane,Poly(血ethylphenylsilan6),Photob玉eaching, Thermalassistedphotoscission,σ 一Bonds)
匿DominantSiHxRadicalsinElectronCyclotron ResonancePlasmaCVD
M.Zhang,Y.Nakayama
(電 子 サ イ ク ロ ト ロ ン 共 鳴 プ ラ ズ マCVDに お け る 主 なSiHx ラ ジ カ ル)
PlasmaSourcesSci.Technol.5,260・264(1996).
(Electroncyclotronresonanceplasma,Deposition・
Radica1,Amorphoussilicon)
■PreparationofOrientedPolysilaneFilmsbyDipping andTheirProPertles
(デ ィ ッ ピ ン グ 法 に よ る ポ リ シ ラ ン 配 向 膜 の 成 膜 と そ
の 特 性)
Y.Nakayama,K.Hirooka,R.West
Proc.of工S&T'sNIP12:Int.Conf,OnDigitalPrinting Techno1.,432‑436(1996).
(Polymers,Dipping,Electrictransport,Order‑disorder effect,Tunneling)
■ElectricConductioninOrientedPolysilaneFilms
(配 向 し た ポ リ シ ラ ン の 電 気 伝 導)
Y.Nakayama,K.Hirooka,R.West SolidStateCommun.,100,759・762(1996).
(Polymers,Electrictransport,Order‑disordereffect, Tunneling)
■MonteCarioSimulationofSecondaryElectron EmissionfromThinFilm/SubstrateTargets
(基 板 上 薄 膜 か ら の 二 次 電 子 放 出 の モ ン テ カ ル ロ シ ミ ュ
レ ー シ ョ ン) K.Murata,M.YasudaandH.Kawata ScanningMicroscopy,10(3)、613‑624(1996).
(MonteCarlosirnulation,Secondaryelectronemission, Thinfilm)
■TheSpatialDistributionofBackscatteredElectrons CalculatedbyaSimpleModel
(簡 単 な モ デ ル に よ り 計 算 さ れ た 背 面 散 乱 電 子 の 空 間 分 布)
M.Yasuda,H.KawataandK.Murata phys.stat.so1.(a),153、133・144(1996).
(Backscatteredelectron,Spatialdistribution, scattering,Everhartmodel)
Single一
■PhotoluminescencefromSiliconChainlikeStructures ina‑SiOx:HFilms
(a‑SiOx:Hに お け る シ リ コ ン 鎖 状 構 造 か ら の フ ォ ト ル
ミ ネ ッ セ ン ス)
Y.Nakayama,M.Uecha,T.Ikeda
J.Non‑Cryst.Solids,198‑200、915‑918(1996).
(Siliconoxide,Lowdimensionalstructure, Photoluminescence)
■PhotobleachingProcessinPolysilaneFilms
(ポ リ シ ラ ン 膜 に お け る フ ォ ト プ リ ー チ ン グ プ ロ セ ス)
H.Hayashi,T.Kurando,K.Oka,T.Dohmaru ,Y.
Nakayama
Jpn.J.Appl.Phys.,35,4096・4100(1996).
52
b・ ■V̀t‑2
.解 説,総 説
ヤ 閾レrレ 唄.」 團レ・rレ4rレ'●.」rレ 魁 ノr」̀聾」rレ 簡,rレ殉 ・」r」 唖レ」N"r・4rレ ・幽P」V鴨i4レ ・1.網 レr幽 鳥r・」rレr」 鳥 殉.rレqレA」6・ 圏」rレ 鴨 〆rレilb一 レ 隔 〆rレ'砺網 」 ・b〆V・,」rレ.lP」 噺〆 恥 刈 レdlr」■ 偏 極 電 子 線 陰 極 用 歪 格 子GaAsの ス ピ ン 依 存 性 発 光 堀 中 博 道,中 西 彊,奥 見正 治,坂 貴,加 藤 俊 宏 電 気 製 鋼,67,253‑259(1996).
■X線 二 結 晶 法 に よ る 半 導 体 結 晶 表 面 層 の 評 価 伊 藤 進 夫
応 用 物 理,65,732‑736(1996).
■ プ ラ ズ マCVDプ ロ セ ス 中山 喜 萬
第3回 プ ラ ズマ エ レク トロ ニ ク ス サ マ ー ス クー ル テ キ ス ト (応用 物 理 学 会,プ ラズ マ エ レ ク トロ ニ ク ス 分 科 会,JSAP CatalogNumber:AP962218),46‑60(1996).
■ ナ ノ メ ー タ の 世 界 を 散 歩 す る 中 山 喜 萬
1996年 大 阪 府 立 大 学 府 民 講 座,39‑45(1996).
■EPMAに よ る 薄 膜 の 定 量 分 析 村 田 顕 二
第25回 薄膜 ・表 面 物 理 基 礎 講 座,薄 膜 の構 造解 析 と シ ミ̲
レー シ コ ン
(応 用 物 理 学 会,薄 膜 ・表 面 物 理 分 科 会),37‑47(1996).
プ 「馳四噛レr,
4.国 際 会 議 発 表
r」 ・r.rレr幽rr」 哩.」 嘱L.関馳凶 レ.・,」r」 闇レrレ縄 脚網 」 幽レrLr'r幽網b・」 」rレ殉 」刈 」 ・馨.」し ・r幽.」嘲L・1,4rレrレr」̀●.・rレ 電レrレ・1,r」 ・r馳A」・咀.」rレ 闘■,」v巳脚欄 レ …」噺 ノr幽 刈 」 圃」∩ プ 「h月 」 ●■The8thlnternationalWorkshoponCriticalCurrents
inSuperconductors(Kitakyushu,Japan ,May1996)
T.Ishida,K.Okuda,H.Asaoka,Y.Kazumata,K, NodaandH,Takei
AdualcharacteroftwinboundariesinYBa2Cu30T singlecrystaL
■'96MaterialResearchSocietyofJapanSymposium R:NovelSemiconductingMaterials(Makuhari, Japan、May,1996)
K.Wakita,H.Hirooka,S.YasudaandN.Yamamoto PhotoluminescenceandResonantRamanScattering MediatedbyBoundExcitoninTHMGrown CulnS2Crysta1.
K.Wakita,T.Miyazaki,Y.KikunoandN.Yamamoto ResonantRamanEffectonTHMGrownCuGaSe2 Crystal.
H.Horinaka,S.MononobeandN.Yamamoto
MeasurementofPhotorefractiveTwo‑BeamCoupling GainofDefectChalcopyriteCompoundCdGa2Se4.
W.Zhen,H.Horinaka,T.Nakanishi,S.Okumi,T.
SakaandT.Kato
SplnDependentLuminescenceofGaAsThinLayers underUniaxialTensileandCompressiveStrain InducedbyInterfaceStress.
凹ScanningMicroscopy1996Meeting(Bethesda, USA,May,1996)
KMurata,MYasudaandH.Kawata MonteCarloSimulationofSecondaryElectron EmissionfromThinFilm/SubstrateTargets.
■lnternalSymposiumonPolarizationAnalysisand ApplicationstoDeviceTechnology(Yokohama, Japan,June1996)
H.Horinaka,K.Hashimoto,K.Wada,T.Umedaand Y.Cho
OpticalCTImaginginHighlyScatteringMediaby ExtractionofPhotonsPreservingInitialPolarization.
■16thlnternationalLiquidCrystaiConference(◎hio, USA,June,1996)
H.Naito,Y,Yasuda,andA.Sugimura Desorptionprocessesofadsorbedimpurityionson alignmentlayersinnematicliquidcrystalcells.
Y,Peng,T.Miyamoto,H.Naito,M.Kuze,andA.
Sugimura
Temperaturedependenceofnematicanchoringenergy onweaksurfacesofpolyimideLangmuirBlodgett films.
S.Murakami,H.Naito,MOkuda,andA.Sugimura Steadystatecurrentinnematicliquidcrystals.
H.NaitoandZ.Ou‑Yang
Preferredequilibriumshapesofsmectic‑Aphase grownfromisotropicphase.
Y,Hirose,H.Naito,andZ.Ou‑Yang
Stabilityofunduloidlikeshapesofsmectic‑Aphase grownfromisotropicphase.
■lnternationalConferenceonScienceandTechnology ofSyntheticMetals(Snowbird,Utah,U.S.A.,July, 1996)
S.Kawamata,K.Okuda,1.Kakeya,K.Kindo,T.Sas akiandN.ToyQta
ESRStudyonalpha‑(BEDT‑TTF)2KHg(SCN)4Single Crystal.
■XXlnternationaiQuantumElectronicsConference (Sydney,Australia,July,1996)
Y.Cho,K.Wada,Y.Akage,K.Ishihara,H.Horinaka DisappearanceofChaosDuetotheCarrierDensity DependentLifetimeinInjectionModulatedAIGaAs Lasers.
■lnternationalConferenceonPhysicsandChemistry ofMolecularandOxideSuperconductorsG〈arisruhe,
Germany,August、1996)
S.Kawamata,K.Okuda,T.SasakiandN.Toyota
Magnetictorqueofκ 一(BEDT‑TTF)2Cu[N(CN)2]Br SingleCryStal.
T.Ishida,K.Okuda,H.Asaoka,Y.Kazumata,K.
NodaandH.Takei
Gapsymmetryandintrinsicintraplanepinningof untwinnedYBa2Cu307singlecrystals.
T.Ishida,K.Okuda,H.Asaoka,Y.Kazumata,K.
NodaandH.Takei
EvidenceforvortexIatticemeltingandsoftening inuntwinnedYBa2Cu307singlecrystaL
■XXIlnternationalConferenceonLowTemperature Physics(Prague,CzechRepublic,August,1996)
K.Inoue,S.Kawamata,K.OkudaandR.Yoshizaki MagnetictorqueofBi‑Sr‑Ca‑Cu‑Osystemwith interlayermodification.
T,Ishida,K.Okuda,H.
NodaandH.Takei In‑planetorqueandgap YBa2Cu30Tcrystals.
Asaoka,Y.Kazumata,K.
symmetryofuntwinned
H.Niimi,S,Kawamata,K.Okuda,T.Sasaki,andN.
Toyota
Energydissipationofvorticesinorganic
superconductorκ 一(BEDT‑TTF)2Cu(NCS)2under magneticfields,
圏lnternationalConferenceonthePhysicsof TransitionMetal(Osaka,Japan,September,1996)
S.Noguchi,K.Okuda,T,AdachiandT.Yoshida Synthesisandcharacterizationofnewternarysilicide ErL2Fe4Sig8.
■9thlnternationalschooloncondensedmatter physics,"Futuredirectionsinthinfilmscience andtechnology"(Varna,Bulgaria'September,董996)
54