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Fig. 1. Micro-Vickers indentation of the SiC surface.
Fig. 2 Powder XRD patterns of E-FeSi2
prepared at 873 K by the Na flux method.
10Pm
E㪄㪝㪼㪪㫀㪉䈱ಽഀ䉰䉟䊃䊝䊂䊦䉕ᚑ䈚䋬䊥䊷䊃䊔䊦䊃⸃ᨆ䉕ⴕ䈦䈢䋮♖ኒൻ䈘䉏䈢䊌䊤䊜䊷䉺䉕䉅䈫䈮⸘▚䈘䉏䈢 䊌䉺䊷䊮䉕 㪝㫀㪾㪅㩷㪉 䈮ታ✢䈪␜䈜㧚ಽഀ䉰䉟䊃䊝䊂䊦䈎䉌Ⓧ䉅䉌䉏䈢Ⓧጀᰳ㒱㊂䈲 㪈㪍㩼䈪䈅䈦䈢㧚߹ߚ㧘䉝䊆 䊷䊦ᴺ䈭䈬䈱ᓥ᧪ᴺ䈪วᚑ䈘䉏䈢E㪄㪝㪼㪪㫀㪉䈱☳ᧃ 㪯 ✢࿁᛬䊌䉺䊷䊮䈮䈍䈇䈩䉅䋬ᧄ⎇ⓥ䈫ห᭽䈭Ⓧጀਇᢛ䉕
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X
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0.1%
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Fig. 3
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Y
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PL
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7F
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Eu
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0.2Eu
0.2Sn
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XRD
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3+䈱⊒శᒝᐲ䈲㧘ᑼ㊂䈅䈢䉍䈱Eu
3+㊂䈏╬䈚䈇
Ca
1.9Eu
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0.9O
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3+䈏࿕ṁ䈜䉎䉰䉟䊃䈱ㆬᛯᕈ䈏ᤋ䈘䉏䈢䉅䈱䈫⠨䈋䉌䉏 䈢䋮Fig. 3 The crystal structure representation of Sr0.99Eu0.01AlSiN3 in a N2-centered Sr/Eu-Al/Si octahedra.
Fig. 4 Emission spectra of Eu3+-doped Ca2SnO4 and Ca1.8Y0.2Eu0.2Sn0.8O4
(excitation 288 nm).
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
38W/cm2 Na flux GaN single crystals
293K
He-Cd 325.0nm
PHOTON ENERGY (eV)
PL INTENSITY (arb. units)
Na-Ga melt
Na vapor
࿑1 Naࡈ࠶ࠢࠬᴺߢᚑ㐳ߒߚ
GaN
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PHOTON ENERGY (eV) WAVELENGTH (nm)
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InxGa1-xN x=
0.08 0.027 0.032 0.06
0.02 164meV
107meV 118meV 159meV 162meV FWHM 37meV 293KHe-Cd 325nm
450
GaN2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 2.6
0.14 310meV
࿑
4
m㕙InGaN
ࠛࡇ࠲ࠠࠪࡖ࡞⭯⤑ߩ ቶ᷷PLࠬࡍࠢ࠻࡞㪊㪅㩷⥄┙GaNၮ᧼߳ߩ㕖ᭂᕈm㕙InGaN⭯⤑ߩMOVPEᚑ㐳
㩷c㕙⊒శ⚛ሶߦ߅ߡಽᭂ㔚႐߇ユㆫ⒖⏕₸ࠍૐਅߐߖࠆ㗴ࠍ
1996
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MOVPE
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⭯⤑ࠍᚑ㐳ߒޔ⚿᥏ᕈ߿㕙ᒻᘒޔIn
ߩขࠅㄟߺ ല₸ߩᄌൻ╬ࠍቯ㊂ൻߒߚޕGaN
ࡎࡕࠛࡇ࠲ࠠࠪࡖ࡞ጀߦᒁ߈⛯߈ᚑ㐳ߒߚ200-300nm
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