WSTSによる半導体分類
半導体レーザによる降雪センサの開発
... LLD384-1LD の観測では、比較用の LLD128-ETH を製 作し、計測幅の拡幅によるエッジ検出率の改良効果確認 を行った。 LLD384-1LD は光源の光出力低下が発生し、 有効計測幅は約 41 mm (329 pixel)となったが、平均エッ ジ検出率は LLD128-ETH が約 21%、LLD384-1LD が約 1.2 %であり、降雪観測に対して十分な画像幅である事を ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関す ...
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cw 光注入による半導体ﾚｰｻﾞの全光制御ﾓｰﾄﾞ同期方式におけるｽﾍﾟｸﾄﾙ整形用光ﾌｨﾙﾀ
... 温度などによるﾘﾝｸﾞ長変動が補償されていることが分 かる。光出力には最大で 2dB 程度のｽﾊﾟｲｸ状変動がみら れるが、この原因は主に振動によるものである。除振対 策や、一秒あたりの制御回数(現状 5 回/秒)、ｺﾘﾒｰﾀ間隔の 制御ｽﾃｯﾌﾟの大きさ(現状 25nm)など、制御に関するﾊﾟﾗﾒｰ ﾀを最適化することにより、小さくできる可能性がある。 ...
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半導体中の単一磁性原子スピンの光による制御 : 正孔-Mnスピン結合系およびCrスピン
... 論 文 の 要 旨 本論文は、半導体量子ドット中の単一磁性スピンを対象とした著者の実験研究の成果を纏めた ものである。具体的には CdTe の自己形成ドット中に遷移元素 Mn あるいは Cr の原子 1 個を含む 系を対象とし、遷移元素の単一磁性スピンの振舞いを調べ、光によるスピン制御の手法を開拓し、 量子情報処理などへの応用の可能性を議論している。固体中の単一スピンは、量子情報通信や量 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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SiC半導体
... 内製減圧CVD装置の概略図をFig. 5に示す。原料ガ スはSi源にSiH 4 ，C源にC 3 H 8 を用いる。キャリアガス H 2 により，これら原料ガスを反応管内へ導入し，サセ プタ上で加熱された基板へSiCをエピタキシャル成長 させる。パ−ジガスには窒素がn型のド−パントとな るため，Arを用いる。また窒素は大気中に多く存在す ることから，特に配管，反応管等の残留窒素濃度低減 のため，タ−ボ分子ポンプにより10 –6 Torr ...
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半導体工学の試験範囲
... （２）この半導体の真性電荷密度を n i とするとき、拡散電位 V D を求めよ。 pn 接合の近傍に空乏層が形成されるが、 p 領域の不純物密度が ｎ 領域に比べ十分に大きい時 （ Na >> Nd ）、 p 領域側の空乏層幅は ｎ 領域側のそれに比べ無視できる。このような pn 接合について以 下の設問に答えよ。以下の設問において拡散電位は V D としてよい。 ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... 注：件数の合計は 1434 件。複数の出願人による共同出願を重複カウントしたため、合計は要約 1- 5 図より多い。 関連会社や海外法人からの出願、企業の買収・合併などは原則として合算した。 Pat ol i s 、Cl ai m s 、W PI の各データベースを用いて検索した結果を用いている（検索方法は第１章参照） 。 このように、日本の大手半導体メーカは、特に日本において強力な特許出願のリーダであ ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... せて走行する。この際に、2次電池に蓄えられた電力を そのまま利用したのでは、効率良くモータを駆動できな い。電圧や電流などを最適値に変換してから利用する必 要がある（図1）。その役割を担っているのがパワー半導 体である。さらに、パワー半導体を駆動するゲート・ドラ イバの存在も忘れてはならない。これは、パワー半導体 のオン/オフを切り替える際に不可欠な回路である。ハ ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ＵＭＣＪにおいて、製造部門と技術部門がいかに対等な関係にあるかを垣間見させてくれる のが実験ロット（＝エンジニアリング・ロット）の実施方法である。同業他社と同じように、UMCJ でも、 エンジニアが実験ロットを流す際には、製造現場に作業指示書による依頼がなされる。ただし、こ の種の依頼が半ば自動的に是認される同業他社とは異なり、UMCJ では、受け入れの是非が製 ...
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半導体試験・測定システム
... 第３章 研究開発動向分析 第１節 日米欧の研究開発組織（研究開発リーダ） １．半導体メーカ 第３−１表にある売上高上位の日本の半導体メーカ４社は、いずれも、先端研究を行 う中央・基礎研究所、実用化への研究開発を行う生産技術研究所、開発技術の運用改善 を行う生産ラインを備えており、上記４社では半導体試験・測定システムの技術開発を ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で 世界のシェアの半分以上を占めるに至った。しかし最近では、半導体露光装置でも部品の ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 1） レシピ特許を含むプログラム特許では、日米での出願人分布は大きな違いがある。米国登録特許では、アプライドマ テリアルズ社（AM AT）、アドバンストマイクロデバイセズ社（AM D ）の上位2社でプログラム特許全体の55. 2％を占め ており、この2社は明らかに戦略的に特許を取得していると見られるのに対して、日本は大手半導体メーカや製造装 ...
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希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける窒素ドーピングによる強磁性抑制の研究
... 一方、K. Osuch [70] は、第一原理計算によりCrイオンの価数が異なるときのCr-Cr pair間の結合エネ ルギーの変化を計算した。計算結果を図2.32に示す。これによると、Crの価数が2+の時、Crと最近 接カチオンサイトのCr間の結合エネルギーが負となっており、引力的な相互作用が働く。Crの価数 は2+からずれると、Cr-Cr pair間の結合エネルギーが変化することが分かる。さらに、Crの価数が1+ ...
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通信用半導体レーザの開発
... これらの化合物半導体を成長する方法として、従来、高 品質な結晶が得られる液相エピタキシャル成長（LPE ： Liquid Phase Epitaxy）が用いられていた。しかし、80 年代前半から、デバイスの高性能化に必須の極薄膜の成長 が可能で、生産性に優れ、低コスト化に有利と考えられる、 分子線エピタキシー（MBE ： Molecular Beam Epitaxy） や 有 機 金 属 気 相 成 長 法 （ OMVPE ...
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希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける窒素ドーピングによる強磁性抑制の研究
... 10 18 ~10 20 cm -3 の範囲で変化させた 3 つのシリーズの試料が作製され、超格子の方は(Zn,Cr)Te 層中の Cr 組成は約 3%に固定し、ZnTe:N 層中の窒素濃度および(Zn,Cr)Te の層厚を変化させた試料が作製さ れた。これらの試料に対する XRD による構造評価、電子線プローブマイクロアナライザー(EPMA)および 2 ...
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TINA-TITMによるオペアンプ回路設計入門 (第５回) 1.2 半導体素子 (MOSFET)
... TINA-TI は、オペアンプＩＣの設計よりは、オペアンプＩＣを応用した回路の解析を主目的としており、図 1.2.89 のように SPICE2 LEVEL 3 モデルによる 422 種類のディスクリート型 n チャネル POWER MOSFET と 133 種類のディスクリート型 p チャネル POWER MOSFET があらかじめインストールされています。また、表 1.2.8 に示す SPICE2 の MOSFET ...
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Hall効果測定による化合物半導体中の不純物準位の評価に関する研究
... を適用し、二種類の密度とエネルギー準位を求めている。 Double Acceptor Model では、 Undoped GaSb のアクセプタはアクセプタ密度が等しく、イオン化エネルギーの異なる、2 価のアクセプタであると考えられている。 Sb の蒸気圧が高いために、成長した膜中から Sb が再蒸発する。その Sb が抜けた格子点に入った Ga（Ga Sb ）または、 Sb が抜けた vacancy （ V Sb ...
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半導体レーザの自己結合効果による微小振動センサの自動調整化
... 1 目 はじめに 近年、レーザを用いた様々な新しい技術が生み出され、 その結果、光エレクトロニクスの分野が急速に発展して いる。その応用は光通信、コンパクトディスク、電子機 器、加工・計調u 機器、医療、エネルギーの分野にも広が っている。 半導体レーザは、他のレーザと比較して小型・軽量と いう利点のみならず、高利得・高効率であることや、注 入電流によりレーザ光の周波数[r] ...
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脳卒中片麻痺患者の歩容による床反力波形の分類
... The vertical force (Fz) showed a slight increase after foot contact of the affected side and remai- ned stationary duTing the rnost of the Iong double-support period.. The deceleration a[r] ...
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