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SnTe 薄膜の成長とその評価

新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価

新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価

... SiC 薄膜評価 ［研究代表者］竹内和歌奈（工学部電気学科） 研究成果の概要 本研究では真にクリーンな水素製造が可能な水電解の電極を安価で普及しやすくするためのコーティング技術に 関する研究である。安価な卑金属等に導電性を持たせた化学的安定なシリコンカーバイド（ SiC）膜を耐腐食半導体 ...

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JAIST Repository: ECRスパッタ法によるSrTiO3薄膜のエピタキシャル成長と評価

JAIST Repository: ECRスパッタ法によるSrTiO3薄膜のエピタキシャル成長と評価

... がサファイア上に初めて観測された。これらのことは、ペロブスカイト構造に由来した２ 種類のカチオンとアニオンの充填の仕方が膜成長面を支配していることを示唆する。 ECR スパッタ法は、エピタキシャル結晶成長の低温化にも初めて有効であることが明ら かとなった。図２は 200 ℃で成長した ...

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JAIST Repository: パルスレーザー照射による非晶質基板上 Si 薄膜の結晶成長の制御

JAIST Repository: パルスレーザー照射による非晶質基板上 Si 薄膜の結晶成長の制御

... 線回折 ) によって試料のレーザー照射部における結晶配向性を評価した。また、試料に Secco エッチング処 理を施し、結晶粒界を顕在化した後、 SE M ( 走査型電子顕微鏡 ) を用いてレーザー照射部を観察した。 3. 実験結果 X R D 測定の結果、試料から Si(111) ピークと Si(220) ピークが観測された。それぞれのピークの ...

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JAIST Repository: 反応性スパッタリング法による酸化 Si 基板上への YSZ 薄膜のヘテロエピタキシャル成長

JAIST Repository: 反応性スパッタリング法による酸化 Si 基板上への YSZ 薄膜のヘテロエピタキシャル成長

... 2 溶液 を用いた方が用いないよりも膜厚分布が均一であることに起因しているものと考えている。 【おわりに】 作製した YSZ 薄膜の結晶性は、酸化 Si 基板の表面酸化膜厚とその平坦 性に依存することがわかった。今後、酸化膜ばかりでなく、金属膜の平坦化による結晶性 ...

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Hf箔上に成長した窒化物の評価と応用

Hf箔上に成長した窒化物の評価と応用

... eV のバンドギャップをカバーする直接遷移型半導 体であり、幅広い波長帯において高効率発光が可能な発光素子材料として期待されてい る。従来、窒化物半導体素子作製用基板として単結晶サファイア基板が主に用いられて きたが、サファイアには高コスト、小面積、硬くて脆いといった問題があり、窒化物半 導体系発光素子の応用範囲は極めて限られたものになっていた。一方、金属フォイルな ...

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JAIST Repository: 低温形成された Cu2O 薄膜の評価とトランジスタ応用への研究

JAIST Repository: 低温形成された Cu2O 薄膜の評価とトランジスタ応用への研究

... 膜厚とそれを形成するために必要な酸化時間 との関係を、酸化温度をパラメータとして示してある。酸化温度 250 ℃の場合はスパッタ 時の放電電力を 120W 、 170W 、 190W と変化させているが、プロット点は同じ直線上に のっており、初期 Cu ...

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カルコパイライト型半導体AgGaTe2薄膜の作製と光学的評価

カルコパイライト型半導体AgGaTe2薄膜の作製と光学的評価

... 長などが主なものであり、それぞれ輸送過程や界面の性質に特徴がある。融液からの結晶 成長には、分解融液しない液相からの育成を示すもので、単一成分や状態図上で単一の融 点をもつ液相から大型結晶を育成する代表的な育成ルートである。工業的なシリコン単結 晶の引き上げ成長などもこれにあたる。この方法には、チョクラルスキー法（溶液引き上 げ法） ...

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JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善

JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善

... X 層の抑制は基板温度や酸素導入による酸素暴露時間等を制御することで行なった。成 膜プロセス中の SiO 2 層の層厚評価は XPS 法で、堆積後のそれは C-V 法より見積もった。 【結果】図 1 に、堆積直後及び窒素雰囲気中アニール処理後の試料の C-V 曲線を示す。図から ...

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電気的・熱的特性評価に基づく銀薄膜配線の設計と加工に関する研究

電気的・熱的特性評価に基づく銀薄膜配線の設計と加工に関する研究

... ところ，エッチング速度は電気抵抗率が低下するほど，すなわち粒界密度が減少するほど増加した．銀薄膜配線 のエッチング速度は最大で 1.75 倍大きくなり，エッチング時間を 43%短縮できた．これにより粒界密度を減少 させるほど銀薄膜の集束イオンビーム加工性が向上することを明らかにすると共に，そのためにジュール熱によ る熱処理が有効であることを示した． ...

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JAIST Repository: モリブデン酸化物薄膜作製と物性評価

JAIST Repository: モリブデン酸化物薄膜作製と物性評価

... 4 が互いに頂点や稜を共有しながら積み重なった擬二次元的構造を 持ち、電荷密度波 (CDW: Charge Density W ave) の生成など低次元系に特徴的な電子物 性を示す物質系として注目されている。各伝導層に生じた CDW は、クーロン相互作用 等により影響を及ぼし合って、秩序状態を形成すると言われている。そこで、 CDW の生 ...

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JAIST Repository: エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長

JAIST Repository: エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長

... で の 広 範 囲 な 発 光 素 子 材 料 と し て 実 用 化 さ れ 脚 光 を 浴 び て い る だ け で は な く 、高 出 力 ・ 高 周 波 ・ 耐 環 境 デ バ イ ス 材 料 と し て も 期 待 を 集 め て い る 1 ) 。G a N の 大 型 結 晶 育 成 が 困 難 な た め 、 G a N は 、 サ フ ァ イ ア や 窒 化 ...

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スパッタリング法を用いた機能性金属添加タンタル酸化物薄膜の作製とその発光特性の評価に関する研究

スパッタリング法を用いた機能性金属添加タンタル酸化物薄膜の作製とその発光特性の評価に関する研究

... nm と 680 nm 付近に発光ピークが確 認され、肉眼で緑色の発光が確認できた。 次に Er と Ag を共添加したタンタル酸化物薄膜の作製と評価を行い、Er を添加した試 料との発光強度の比較を行なった。Er：Ag 共添加試料で最も高い発光ピークを示した ものは全て 1000 ...

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JAIST Repository: ITOゲル薄膜の分子間力評価とその有用性

JAIST Repository: ITOゲル薄膜の分子間力評価とその有用性

... 実験：ITO ゾルゲル溶液(5% Sn：高純度化学社製)を専用の希釈液で 2 倍希釈をしたものを、SiO 2 基板上にス ピンコート法で製膜した。塗布膜試料を 150℃から 600℃までの異なる温度で焼成しゲル薄膜試料を作製した。 まず、硬さ測定、TG-DTA、FT-IR、Hall 効果測定、XRD、XAFS 解析といった従来法で、溶液から結晶化ま ...

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有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価

有機薄膜に対するレーザ加工特性の実験的評価

... 3-a と図 3-b に示す．どちらも Gaussian 型であることが確認できる．レーザ光が軸外し 放物面鏡に集光されることで加工が行われる．加工によ って除去された材料が加工領域に再堆積しないように加 工ステージは地面に対して垂直に設置した．加工された 領域の観察はキーエンス社製のレーザ顕微鏡 VK-X200 を使用した．分解能は Z 方向では 1nm、水平方向では 300nm である． ...

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機能性材料を添加したタンタル酸化物薄膜の作製と評価に関する研究

機能性材料を添加したタンタル酸化物薄膜の作製と評価に関する研究

... CD と比べると約 38 倍と格段の進歩をしている。また、従来の白熱 電球に比べて高効率な LED などの発光デバイスを用いることで、明るさを損なわずに消費 電力を 1/10 にまで下げることが可能となり[1-1]、省エネルギー化による温暖化対策の一環 ...

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機能性金属を添加したタンタル酸化物薄膜の作製と発光特性の評価

機能性金属を添加したタンタル酸化物薄膜の作製と発光特性の評価

... nm の波長を長波 長側に変換することができればシリコン薄膜太陽電池の効率を高めることができる。本研 究では、その前段階として波長 325 nm の He-Cd レーザを用いてフォトルミネッセンス （PL）による波長変換を利用して、太陽電池の高効率化を目指す。 ...

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電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立

電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立

... 電子材料用薄膜グリーンシートの機械的強度評価法の確立 ［研究代表者］生津資大（工学部機械学科） ［共同研究者］小川玲奈，武田隆信（株式会社サムスン日本研究所） 研究成果の概要 ...

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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究

Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究

... Eff と開放端電圧 Voc に相関があることを示した。また、室温においても同様に相関があることを示した。 最後に低温(77K)と室温において、セル化した場合の変換効率が高い試料と低い試料での PL 寿命の測定エネルギー依存性の検討を行った。低温(77K)では PL 寿命の測定エネルギー 依存性は、In と Ga ...

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JAIST Repository: 窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価

JAIST Repository: 窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価

... 上 の よ う に 、 M B E - S P M を 用 い る こ と で 窒 化 物 半 導 体 薄 膜 の 局 所 的 な 表 面 構 造 や 成 長 過 程 を 詳 細 に 調 べ る こ と が 可 能 と な る 。 ま た 、 エ ッ チ ン グ や ヘ テ ロ 成 長 に 関 し て も 他 の 測 定 方 法 で は 得 難 い 知 ...

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共スパッタリング法による機能性金属添加 酸化タンタル薄膜の作製とその発光特性の評価

共スパッタリング法による機能性金属添加 酸化タンタル薄膜の作製とその発光特性の評価

... ば良く、海上等の設置も可能であるため、場所の制限が少ない。しかし、変換効率に関して の課題がある。変換効率の向上として、シリコン系太陽電池には相対光電流の効率の悪い存 在する。 [1-1]そこで、太陽電池表面に透明薄膜をつけることにより、シリコンの吸収波長外 ...

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