PiNダイオード･リバース･リカバリー特性
半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ
... ロードダンプ TVS の二つのグループ 車載電子機器の一次保護用に用いる TVSは、二種類のロードダンプ TVSがあります (EPI PAR TVS と非 EPI PAR TVS) 。両方の製品グループは、逆バイアスモードでの動作ブレークダウン特性が似ています。違いとしては、 EPI PaR TVS は順方向モードの Vf 特性が低いのに対して、非 EPI PAR TVS は同じ条件の Vf ...
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CONENS 用語説明 素子の選び方 パワーモジュール モジュール製品の特長 品名のつけ方 ダイオード / 高速ダイオード / ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード 5 高速ダイオード 5 ショットキーバリアダイオード 5 整流ダイオード 5 三相整流ダイオード DFN シリ
... ■ ダイオード／高速ダイオード／ショットキーバリアダイオード ソフトリカバリー高速ダイオード ･･･････････････････････････････････････････････････ ５ 高速ダイオード ･･････････････････････････････････････････････････････････････････････････ ５ ...
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SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
... 第 5章では、SiC成長層表面のラフネスがショットキー障壁ダイオードの特性に及ぼす影 響を調べた結果を述べている。前章で述べたように、貫通転位の箇所におけるナノピット の形成を抑制すれば、 SiCショットキー障壁ダイオードのリーク電流は大幅に低減される が、成長層表面に基板オフ角に由来するマクロステップが存在すると、やはり局所的な電 ...
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RF1001T2D : ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 ...
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超高耐圧応用を目指したSiCにおける絶縁破壊特性の基礎研究およびPiNダイオードの高性能化
... 第 2章では、SiC半導体の絶縁破壊現象を決める基礎物性であるキャリアの衝突イオン化 係数の重要性を述べた後、これを精密に決定する手法と注意点について議論している。次 に、端部での電界集中をほぼ完全に抑制した様々な構造の pn接合ダイオードを作製し、深 紫外光を照射したときの光生成電流のバイアス電圧依存性を解析することにより、電子お よび正孔の増倍係数の電界強度依存性を求め、次に独自に考案した解析手法を用いて電子 ...
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ダイオード検波器のノイズ特性 : 非直線代数・微分方程式の確率過程論的取扱いに関する2, 3の考察
... 上の数値的な結果を比較すると，容量 C が増すにつれ て，負荷の電圧の平均値及びそのふらつきの分散が減少 することがわかる.又，上のような特殊な形の相関関数 をもっガウスノイズの場合にも，出力電圧の平均値を示 しているポ、ノレトメーターの読みは，たとえ入力雑音の分 散 σ2 が同一である場合でも ， teT cor/ RC の値が異な れば異なることがわかる.従って，[r] ...
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RB085T-60NZ : ダイオード
... 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。従いまして、お客様の機器の設計において、回路や ...
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RF04UA2D : ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 ...
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RF2001T2D : ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 ...
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RF201L4S : ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 ...
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KDZTR6.8B : ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 ...
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実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回
... 12 図 L４ トランジスタの静特性（例） 図 L４はトランジスタの静特性の例であり、今回はこの図に示す静特性を測定する。凡例の所 はベース電流を示し、この実験では Ib を 0μA～80μA まで 20μA づつ変化させ、電圧電流特性を 測定している。図の中央に丸印と、これを通る直線が示されているが、この直線は負荷直線と呼 ...
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UMZ5.6KTL: ダイオード
... 応用回路、外付け回路等に関する注意事項 1. 本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。 2. 本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 ...
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RB511SM-30 : ダイオード
... 意図して設計・製造されております。従いまして、極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、 身体への危険若しくは損害、又はその他の重大な損害の発生に関わるような機器又は装置（医療機器 (Note 1) 、輸送機器、 交通機器、航空宇宙機器、原子力制御装置、燃料制御、カーアクセサリを含む車載機器、各種安全装置等）（以下「特 定用途」という）への本製[r] ...
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5 章壊れないためのインプラント上部構造と壊れたインプラント上部構造のリカバリー 5.1 壊れないためのインプラント上部構造 新井聖範 長谷川孝 庄野太一郎 プロビジョナルレストレーション装着期間中の口腔周囲筋の機能回復 ( 口腔筋機能療法 :oral myofunctional the
... ておかなければならない（ 図5.1.6 ）。 5.1.2.2d CAD/CAM フレーム（チタン、コバルトクロム、 ジルコニア）＋ Individual Crown（個々歯） Individual Crown を歯冠部材料として用いる方法は、 各材料の特性を活かし、またトラブルの際にも個々に対 応しやすく、審美エリアに見えるアクセスホールを隠す ことができるなどさまざまな利点がある（OIR vol.2の 5 ...
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パワー・ダイオードの特性
... – 再結合レベル位置がエネルギーギャップの中央近傍：リーク電流大 – リーク電流：Pt拡散＜電子注入＜Au拡散 • フォワード・リカバリー特性 – 再結合中心密度増加⇒フォワード・リカバリー特性の悪化（トレードオフの関係） ...
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ダイオードの使い方（1）
... この場合も、 D1,D2 にはショットキー・ダイオードなど順電圧が 0.6V 以下のダ イオードを使用する。 また抵抗 R1 は、IC2 側の入力条件を満足している必要がある。特に AD コンバ ータなどでは、入力インピーダンスの制限がある場合が普通なので、注意が必要 です。上のシミュレーション回路では、次段の IC の入力容量が 100pF と仮定し たシミュレションであり、抵抗 R1 が大きいと波形が歪むことが分かる。 ...
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発光ダイオードとフォトダイオードを用いた光結合型新増幅デバイスに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 本学位論文は，発光ダイオード（LED）とフォトダイオード（PD）との光結合回路によ り，トランジスタ同様のアンプ機能が実現できることのみならず，サイリスタ的機能も実 現可能なことを実験的に検証している論文であり，以下の様にまとめられている。 すなわち，第１章の序論では，LED と PD の光結合による増幅機能を見出してから，そ のデバイス研究に至る背景，動機と現時点での研究の位置付けが述べられている。 ...
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LTC 電源ダイオードOR電流平衡コントローラ
... EN1 、EN2：イネーブル入力。対応する電源のシェアリングおよ びダイオード制御を有効にするには、このピンを0.6Vより低い 電圧に保持します。このピンをHighに駆動すると、MOSFET のゲートが遮断されます（遮断後もMOSFETのボディ・ダイ オードを通して電流が流れる可能性があります）。コンパレー タには8mVのヒステリシスが組み込まれています。両方のEN ...
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発光ダイオードとフォトダイオードを用いた光結合型新増幅デバイスに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 制御ができることを確認した。本素子はサイリスタのゲートに相当する端子の電位を制御するこ とでターンオンおよびターンオフのどちらの制御も可能であることを発見した。このような制御 は普通のサイリスタでは行うことができない。第 5 章では，本研究のまとめを述べる。すなわち， LED と PD による光結合型増幅機能と，その機能に基づいて実現した応用デバイスの特性につい ...
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