GaN 基板上のエピタキシャル成長と LED
(215) 121 MBE 法による GaN 単結晶基板上への Ⅲ 族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長 田邉智之 ( 電気電子工学専攻 ) 渡邉肇之 ( 電気電子工学科 ) 小野基 ( 電気電子工学科 ) 南場康成 ( 電気電子工学専攻 ) 倉井聡 ( 電気電子工学科 ) 田口常正 ( 電気電子
... GaN のバンドギャップエネルギーよりも小さ く な っ て い る 。 こ れ は 、 ウ ル ツ 鉱 構 造 の GaN/AlGaN ヘテロ構造内に存在する内蔵電界 (built-in electric field)によってもたらされる量 子 閉 じ 込 め シ ュ タ ル ク 効 果 (QCSE:Quantum-Confined Stark Effect)による ...
6
JAIST Repository: 金属基板上の単結晶様芳香族分子多層膜エピタキシャル成長の理解と制御
... ２．研究の目的 For high-performance organic electronics applications, a fast trans- port of charges across the organic layers and the organic/ electrode interfaces is required. One of the fundamental issues in the ...
7
低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード
... 1. 緒 言 近年、化石燃料の枯渇や地球温暖化、原油・天然ガス原 料の高騰、東日本大震災の原発事故の問題などから省エネ ルギー社会の実現が急務となっており、高効率な電力変換 機器の需要が高まっている。窒化ガリウム（GaN）は、青 色、白色の発光ダイオード（LED ： Light Emitting Diode）、 ...
5
窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 特別論文 得ることが出来た。 それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、 窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導 体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導 体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族 元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 ...
10
JAIST Repository: 反応性スパッタリング法による酸化 Si 基板上への YSZ 薄膜のヘテロエピタキシャル成長
... 酸化されてしまい、膜はエピタキシャル成長しない。本研究では、堆積方法を工夫するこ とにより、 Si 基板上に YSZ 薄膜を界面に Si 酸化層や結晶欠陥がないように良好にヘテロ エピタキシャル成長させる条件を見いだすことを目的とした。 【実験方法】 図 1(b) に示すように YSZ 薄膜堆積直前に、 Si ...
2
JAIST Repository: エピタキシャル YSZ 膜を用いた Si 基板上への C-軸配向 PZT 膜の堆積
... 造の XRD パターンを示す。 PZT 膜は c- 軸配向のペロブスカイト構造であり、 PZTf103g 面でのφスキャンの結果から、面内配向していることがわかった。このことから、 PZT 膜は完全ではないが、 Si 基板上へヘテロエピタキシャル成長をしていると言える。図 2 ...
2
JAIST Repository: ECRスパッタ法によるSrTiO3薄膜のエピタキシャル成長と評価
... Sr:Ti=1:1.25 の場合、膜の組成比はほぼ 1:1 になり (b) のように (200) 面が優先配向する傾向が見られ た。また、プラズマ照射によってサファイア基板表面上の Al 面を酸素終端化した場合 (c) 、 (111) ...
2
JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長させたYSZ薄膜の電気的特性の改善
... Si のそれに近く、 Si(100) 基板上にヘテロエピタキシャル成長が可能なため、 Si 基板と強誘電体薄膜とを接合するためのバッ ファ層への応用が期待されている。今までに、 Ar+O 2 ガスを用いた反応性スパッタ法を用い、 YSZ 薄膜を Si(100) ...
2
JAIST Repository: ハーフメタリックSr2FeMoO6薄膜の低温エピタキシャル成長と磁性
... 。しかし、高 い成長温度では薄い絶縁層の界面での拡散やプロセス上の問題が生じることから、より低温で の結晶成長が強く望まれている。そこで本研究ではこの材料を用いた接合形成の基礎として、 パルスレーザー堆積 (PLD) を用いたより低温での成長を試みるとともに、成膜条件の変化に ...
2
JAIST Repository: Ce, Pr, Ni 置換鉄ガーネット薄膜のエピタキシャル成長と磁気光学効果
... Ce,Pr,Ni 置換鉄ガーネット薄膜のエピタキシャル成長と磁気光学効果 豊島 洋 ( 五味研究室 ) 1. 緒言 エレクトロニクス分野の発展に伴い、光集積素子の開発が望まれている。その実現には、高 い機能性を持つ材料を探査すること、同一基板上にそれらの材料をエピタキシャル成長させる ...
2
JAIST Repository: Si基板上にヘテロエピタキシャル成長したY組成制御YSZ薄膜の膜質改善
... 性スパッタ法を使用し、 YSZ 薄膜を Si(100) 基板上にヘテロエピタキシャル成長させることに成 功しているが、 YSZ 膜中のイオン伝導の影響などにより、実用化するに十分な電気的特性を示す ものは、いまだ作製できていない。そこで本研究では、 Y 2 ...
2
JAIST Repository: ホウ化物薄膜のエピタキシャル成長における表面・界面制御
... 様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成２２年６月１７日現在 研究成果の概要（和文） ：薄膜中への酸素や水分の混入を防ぎ、かつ、成長表面のその場観察が 可能な気相成長装置を立ち上げ、高融点かつ高電気伝導性を有する二ホウ化ジルコニウムの薄 ...
6
Cu(001)基板上鉄窒化物原子層膜の電子・磁気構造の研究
... 原子間の強い状態混成という観点から理解されてきた。一方で、構造 の規則度を保ったまま系の次元を下げる方法がなく、磁性の本質的理解につながる原 子サイトごとの電子・磁気状態や、それらの構造や次元性との相関はこれまで明らか にされてこなかった。 ...
3
JAIST Repository: 酸化インジウム膜のエピタキシャル成長と伝導特性
... スペクトル ( 図 2) は基板温度の増加と共に、通常観測される 529eV のピークに加え 531eV にもピークを示した。このピークは、従来表 面吸着 OH によるとされてきたが、伝導特性 との相関から、酸素欠損にともなうものであ ることを初めて明らかにした。 ...
2
JAIST Repository: S終端したGaAs上へのGeエピタキシャル成長
... 5 分間浸し MBE チャンバーに導入し た。 Ge の成長レートは 2.8nm/min 、成長温度は 300 ∼ 600 ℃である。 Ge 薄膜の評価には RHEED,HRXRD,XPS,SIMS, ホール測定を用いた。 S 終端した GaAs 基板を大気中に放置しても、酸化されないことが XPS(Fig. 1) により ...
2
低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... することが可能である。AlGaN の自発分極と歪によるピエ ゾ 分 極 に よ り AlGaN/GaN 界 面 に は 2 次 元 電 子 ガ ス （2DEG: Two Dimension Electron Gas）と呼ばれる高濃 度、高電子移動度の電子層が形成される。これらの特長を 活かした高周波・高出力トランジスタが GaN 系 HFET ...
5
JAIST Repository: 真空蒸着法による有機金属化合物薄膜のエピタキシャル成長
... Torr 台、基板には水素終端化 Si(111) 面、 KCl, KBr(001) へき開面を使用した。 作製した膜は、 X 線回折 (XRD) 、反射高速電子線回折 (RHEED) 、 X 線光電子分光法 (XPS) 、赤 外吸収スペクトル、走査型電子顕微鏡 (SEM) を用いて評価した。 [ 結果と考察 ] ...
2
Si基板上GaNのPLスペクトルへの熱処理効果
... 程度もの高濃度で含まれているこ とが分かっている。前項で示した試験試料にも、同程度の 不純物が意図せずドープされていると考えられる。 一方で、不純物を介する発光帯の内、BL 帯、GL 帯と YL 帯については、その起源に関する膨大な研究が行われてき た。研究者によって発光波長が異なり、それぞれが異なる ...
6
Si基板上にエピタキシャル成長されたSiGe層における熱酸化機構の研究
... 第１章は序論であり，トランジスタの微細化，高移動度チャンネル材料の必要性，さら に従来報告，議論されてきた SiGe の酸化機構の報告例を整理・検討することによって何が 不足しているかを明確化し研究の目的を述べている． 第２章は，本研究で用いられている実験手法の紹介をすることによって実験の物理的意 ...
2
2. 研究の実施状況 (1) 高品質 AlN 厚膜単結晶の作製 1-1 液相成長法サファイア基板上の AlN 膜の成長において, 下図左に示すように今年度当初の段階では, 部分的な AlN 結晶の侵食も見られ, 基板上への全面に成長は至らなかったが, サファイア基板の設置方法, 窒素ガスの吹き込み方
... 最先端・次世代研究開発支援プログラムの一環として、8 月 1 日に宮城県立古川黎明高等学校を招待し、夏季研 修を行った。多元物質科学研究所（片平キャンパス）福山研究室及び工学研究科マテリアル開発系（青葉山キャン パス）の 3 研究室にて、合計十数名の学生に対し、各研究室にてラボツアーを行った。 【参考：研修動画】 全体の様子 ...
7