GaN 基板と電子デバイスの開発
AlN 基板を用いた高Al 組成AlGaN HEMTの開発
... AlN 基板上では AlGaN エピタキシャル層は圧縮歪みを受 けるため、クラックの発生が抑制される。また、AlGaN エ ピタキシャル層の Al 組成を増加させる程、AlGaN と AlN 基板との格子定数差が小さくなるため、結晶品質の向上が 期待できる。そこで、我々は新エネルギー・産業技術総合 ...
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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
... 参 考 文 献 （1）元木健作、「窒化ガリウム基板の開発」、SEI テクニカルレビュー第 175 号、pp.10-18（2009） （2）Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T.Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama and T. ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... 応用分野： １．紫外、青、緑、赤の発光デバイス １）白色ランプ：蛍光灯の代替え （水銀無し、省エネ） ２）DVD用のレーザー：４倍の記録密度 ２．高周波・高出力・高温動作の電子デバイス ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_07/pr_j2501.htm より Si基板を使用したGaN LEDです。低熱抵抗で長 寿命、コストパフォーマンスに優れています。 サージ保護素子内蔵の高ESD耐量製品です。緑 ～青色、白色系もラインアップしています。 ...
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窒化ガリウム基板の開発
... ２）A-DEEP の具体例（ストライプ型コア） 当社では、同様にしてドット型以外のコア形状も検討を 行った。レーザへの応用を考えるとレーザ素子の細長い キャビティを考慮した構造が好ましい。そこで下地異種基 板上に形成するパターン層をストライプ状の形状とした。 ストライプ状パターンの間隔を 400µm ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... GaN 基板には、当社独自開発による DEEP （dislocation elimination by the epitaxial-growth with inverse-pyramidal pits）と呼ぶ転位低減手法により、転 位密度の低減がなされた。DEEP とは、ヘテロエピの際の ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... キーワード：半導体デバイス、静電気障害、高圧スプレー、純水、ファラデーケージ、フラットパネルディスプレー 1．研究開始当初の背景 液晶パネルや有機 EL を代表するフラットパネルディス プレー（ FPD）は、スマートフォン、テレビ、カーナビな どに広く使われ、世の中で必要不可欠なものとなっている。 FPD の製造はガラス基板上に各機能膜を製膜し、積層する ...
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を使った アナログ スイッチ回路基板 組み立ての書 作 : じむ Twitter はじめに : 回路を組み立てる にあたっての注意事項 1. 本回路基板を組み立てるには 電子工作 や 電子回路 ソフトウエア についての一般的な知識や工作環境などが必要です 電
... 工業製品への組み込みなど、用途外の使用はご遠慮ください。ｔ また、本回路基板によって生じた損害などについては、一切責任を負いかねます。 3. 本回路基板の仕様は予告なく変更になる場合があります。ご注意ください。 4. 本書は、内容について絶対の保証をするものではありません。 5. FlashAir ...
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量子ドットデバイスと最先端太陽電池開発
... ＜クリーンテック＞ 再生可能エネルギーを利用した安定な電力供給 太陽光 ⇒ 水の 電気 分解 ⇒ 水素 生成・貯蔵 ⇒ 水素 と酸素の化学反応 （光エネルギー） → （電気エネルギー） → （化学エネルギー） （化学エネルギー） ↓ ...
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京都大学 卓越大学院プログラム 先端光 電子デバイス創成学 募集要項 平成 31(2019) 年度 京都大学大学院横断教育プログラム推進センター 先端光 電子デバイス創成学卓越大学院
... 「先端光・電子デバイス創成学」卓越大学院プログラムについて ■ プログラムの目的 IoT (Internet of Things)革命、ウェアラブル情報機器、車の自動運転や電動化、スマートグリッ ドなど、現在、人類社会はエレクトロニクスを中心とする大きな変革期を迎えています。このような ...
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28電子部品・デバイス・電子回路製造業 業種別生産施設率について：熊谷市ホームページ
... 284 電子回路製造業 2841 電子回路基板製造業 片面ン両面ン多層モグッダハモンダ配線板 ニャチ゚ッハ配線板 ネヤキクノャハモンダ配線板 ネヤッェケモグッダハモンダ配線板 コメプッェケハモンダ配線板 ベシャコ゚ハモンダ配線板 モグッダペグポヴャ基板 Ｔ ン ＯＦ基板 コメプッェケペグポヴャ基板 ...
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ミラー対称性による新型トポロジカル絶縁体を発見～高効率電子デバイスの開発に光～ 研究活動 | 研究／産学官連携
... 対称性 結晶 対称性 特徴付 新 い 物質 探 進 通常 絶縁体 発現 得 い 子現象 探 や 高効率電子 バ へ 応用 向 研究 大 進展 こ 期待 本成果 科研費新学術領域研究 物質科学 ン 領域代表者：川上 則雄 科研費基盤研究 A 角度分解光電子分光 ...
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時間分解光電子分光法によるSiC基板上グラフェンのキャリアダイナミクス研究
... 論文審査の結果の要旨 氏名 染谷隆史 グラフェンはわずか炭素原子一層から成る二次元物質であり、その物理 的性質は相対論的粒子である質量ゼロのディラック電子により支配され ている。それ故、従来の金属や半導体に比して優れた電気的的応答・光学 的応答を示す物質として注目されており、次世代の光・電子デバイスの中 ...
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2018 年度中期経営計画 電子デバイス事業 2016 年 5 月 26 日富士電機株式会社電子デバイス事業本部 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 1
... 収益機種の受注拡大により利益率10％以上を確保 ●カラー機・複合機・高速機・ワイドフォーマット用などの高付加価値機種に注力 ●高機能材料開発により、業界トップレベルの性能を維持 （耐摩耗性は２倍、光感度安定性は１.５倍の向上） ...
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( 千葉大学審査学位論文 ) LiTaO3 基板を用いた疑似弾性表面波デバイスの 高性能化に関する研究 2016 年 1 月 千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻電気電子系コース 川内治
... Band8 のシステム向けのデュープレクサの特性を示す。 このデュープレクサは、 Tx フィルタにラダー設計、Rx フィルタに DMS のカスケード設計 を用いている。ここで、赤線は LiTaO 3 単板の特性、青線は接合基板の特性である。両者と も 42°Y-X LiTaO 3 のカット角方位を用いている。 ...
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チュートリアル薄膜材料デバイス研究会の研究集会では 初学者への教育と研究集会をより深く理解する目的で 研究集会に先立って チュートリアルを実施している 今回は 期待デバイスの徹底理解 と題して 2 人の講演者をお招きした まず 名古屋大学の宮崎誠一先生に ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発 -
... 今年で 9 回目を迎えた薄膜材料デバイス研究会は 166 名の参加者と 56 件の一般投稿論文を 集め、2012 年 11 月 2 日(金)、3 日(土)の 2 日間に渡り、なら 100 年会館（奈良市）にて開催された。 年 1 回開催される本研究集会では、全国から研究者や技術者が集い、薄膜材料技術、デバイス作 ...
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目次 11 蓄電デバイス市場 部材の将来展望 内容は 10 年度版です 序章蓄電デバイスの市場概況と展望 1. 蓄電デバイスの種類と特徴 蓄電デバイスの市場概況と動向 蓄電デバイス国内市場規模予測 蓄電デバイス出荷金額比率... 4 民生用電子機器国内出荷
... 事業内容 蓄電装置・蓄電装置用回路・周辺機器・材料の研究開発 製造、販売、保守、教育、講習、コンサルテーション他 関連製品 大型積層型・小型積層型 EDLC プレムリス「Premlis™ 」 生産拠点 本社工場：〒196-8558 東京都昭島市武蔵野 3-1-2 生産状況 月産 1,000 セル(生産能力) → 2 万セル（生産能力） ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... KOH-NaOH の混合融液中に浸し、1 h エッチ ングした。その試料を、ノマルスキー顕微鏡、および走査 電子顕微鏡（SEM）を用いて観察し、単位面積あたりのカ ウントされたエッチピット数を EPD とした。さらに、詳細 に転位挙動を評価するため、AlN 結晶をディンプル加工後、 イオン研磨を用いて薄膜化し、結晶断面を透過電子顕微鏡 ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... に電圧を印加し、噴射する純水の水素イオンの濃度を変化させて静電気を低減させた。さらに純水を加温させ、純水 の比抵抗値を低下させることで噴射する純水の静電気量を低減させた。さらにこれらの対策を組み合わせて、発生す る静電気量を測定した。また、本年度はファラデーケージの電圧を測定していたが、ファラデーケージからの電流値 ...
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電子デバイスの純水スプレー洗浄工程における静電気発生防止技術の開発
... 1．研究開始当初の背景 半導体デバイスは、スマートフォンやテレビなどの情報 通信機器、エアコン、冷蔵庫などの家電製品、自動車など 暮らしを支える多くの製品に必要不可欠な電子部品であ る。この半導体デバイスの製造工程において、シリコンウ ェハ基材上のナノメートルオーダの異物除去の必要性か ...
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