GaNデバイスの大電流化のトレンド
GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject
... GaNの結晶成長に用いられる基板 ■ ＧａＮでは異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を行う必要がある ■ 結晶性とコストにトレードオフが存在 ３．８４ ４．７６ (２．７４) ３．０７ ３．１９ 格子定数 (A) ...
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炭素材料を利用した電気エネルギー貯蔵デバイスの高性能化に向けた複合化技術の開発
... レドックス化合物の酸化還元電位は極めて重要である。そ の理由は、貯蔵される電気エネルギーがセル電圧に大きく 依存するからである。そこで本研究では、レドックス有機 化 合 物 の 中 で も 特 に 酸 化 還 元 電 位 の 高 い 2,2,6,6- Tetramethylpiperidine 1-Oxyl（TEMPO）誘導体である HTB （図 ...
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2018年のトレンド予測
... その他の戦略的シニア採用事例 ニトリ ＜ホームセンター／全国＞ 若年層には無い人生経験が、家具の購入を検討するカスタマーのニーズに的 確に答え、説得力のあるアドバイスを行うことができ、ダイニングテーブ ル・ソファ・ベッド等、家具の販売に大きく貢献。シニアにも活用しやすい ...
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Keysight Technologies 移動体デバイスのバッテリー寿命を最適化するための10のヒント
... 0.3C の場合、理論的にはバッテリーのフル放電に 3.33 時間かかります。 2 Ah のバッテリーでは、 C レートが ...0.3C の場合、 0.6 A の定電流放電になります。実際のバッテリーランダウン電圧プロファ イルが少し異なる結果になるのと同様に、測定されたエネルギー定格が、記載されている公称電 ...
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渦電流試験器性能評価の自動化（PDF）
... 5 の半径)としてまとめられる．一般 的な渦電流試験器は とその出力の関係は一定である． 本稿ではロックインアンプの減衰傾度を変更し，異なる 特性の渦電流試験器を模擬した．検波周波数を 1kHz と し，入力波形の周波数を徐々に大きくした時の出力結果 を図 7 に示す．横軸は 、縦軸は ...
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パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
... 査 の 結 果 の 要 旨 氏 名 母 鳳文 本論文は、ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスへの適用に期 待の大きい炭化ケイ素 SiC に関し、新しい表面活性化接合（SAB）による接合 の可能性を明らかにしたものである。論文の独自性は、標準的な表面活性化手 法と Si ...
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... は じ め に 抗がん剤治療や放射線治療は、がん細胞を破壊するための治療です が、同時に正常な細胞にもダメージを与えてしまう副作用が現れます。 お口の中におこる副作用には、口腔粘膜炎（口内炎）や口腔乾燥（お 口が乾く）があります。ひどくなると痛みのために、会話をしたり食 べたり飲んだりすることが難しくなり、大変つらいものです。さらに ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... 44 の元素。貴金属であり、白金鉱石からの副産物として得られる。 ◆パワーデバイス 電源系を制御する半導体デバイスで、電気を使って動作する全ての機器に使用されている基本 デバイスである。最近では、自動車のモーター駆動などにも使われてきており、心臓部品となっ ...
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シェールガス・オイルの採掘技術のトレンド2013
... 開発の動きが見られる。英国は優遇税制の導入などで開発を支援する構えである。インドネシアや オーストラリア、中国では探鉱を進めている。シェール革命で潤う米国に対抗して、各国は自前で低 コストの資源開発に乗り出している。日本にも調達先の拡大が見込める利点がある。 「エネルギーの価格を引き下げれば、製造業を再び強化できる」（キャメロン英首相）。英国がシェー ...
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高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト
... 高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ～固体電解質を用いたイオン移動で実現 低電流・大容量メモリの実現へ前進～ 配布日時：平成２８年１月１２日１４時 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 東京理科大学 概要 ...
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微細組織制御に基づくMgB2超伝導線材の高臨界電流密度化の研究
... 子散乱を強め，結晶粒界の磁束ピンニングと上部臨界磁場を高める効果がある ことを明確に示している。また，低コストホウ素の改良による臨界電流密度の 改善を確認している。この技術は，MgB2 線材の出発原料としてのホウ素粉末の 選択の幅を広げ，性能とコストバランスに優れた MgB2 線材の製造を可能にする。 第 5 ...
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はじめに IoT(Internet of Things モノのインターネット)は 各 デバイスを 大 規 模 に 接 続 してソフトウェアでの 解 析 を 可 能 にすることにより 世 界 を 大 きく 変 えようとしています デバイス ソフトウェア 解 析 手 法 の 普 及 により 商 品 管
... をダウンロードしてご覧ください。 デバイスが信号を送信していることをテストする最も簡単な方法は、スペクトラム・アナライザを使用して RF信号を確認します。適切な計測器を使用することで、信号の周波数とパワー・レベルが簡単に測定できます。 無線レシーバがどの程度機能しているかをテストするには、感度テスト、ブロック・テストが必要になります。 ...
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1.インバウンドの動向・トレンドについて_糸魚川.pdf
... 日本政府観光局（JNTO）の概要 私たちは、日本のインバウンド旅行市場を拡大する政府観光局として、 国民経済の発展 、 地域の活性化 、 国際的な相互理解の促進 、 日本のブランド力 向上 を実現することにより、未来の日本をより豊かに、元気に、明るくする ことを目指します。 ...
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メジャーセブンのマンショントレンド調査Vol.22
... 2014年11月21日（金） ～ 2014年12月14日（日） ＊前回のアンケートは2013年11月14日（木） ～ 2013年12月8日（日）に実施。 住友不動産株式会社、株式会社大京、東急不動産株式会社、東京建物株式会社、野村不動産株式会 社、三井不動産レジデンシャル株式会社、三菱地所レジデンス株式会社の不動産大手7社は共同で、 ...
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川口盛之助氏のメガトレンド
... 『メガトレンド 2015-2024ICT ・エレクトロニクス編』は、成熟期に近づいたエレクトロニクス分野が、 バイオ、脳科学、 ICT 、情報サービスといった萌芽・成長分野と融合する新しい潮流を洞察します。ムー アの法則終焉と市場ニーズの多角化を分析し、大変化が起こるクラウド、 IoT 、人工知能、 3D プリン ...
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日本トレンド セレクトリバース トレンド オープン 受益者のみなさまへ 第 23 期 ( 決算日 2018 年 1 月 11 日 ) 平素は格別のご愛顧を賜り 厚くお礼申しあげます 日本トレンド セレクト の リバース トレンド オープン は 2018 年 1 月 11 日に第 23 期の決算を行な
... (株式市況） 国内株式市場では、株価は期間の初めと比べて上昇しました。期間の初めから2017年４月中旬にかけては、 日銀の上場投資信託（ＥＴＦ）買入れによる需給改善への期待などが株価の下支えとなったものの、米国新 大統領が打ち出した保護主義的政策への警戒が広がったことや、シリアや北朝鮮の地政学的リスクが高まっ ...
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ローソクの炎と電界・電流
... これは前述の炎の中の中性分子に対するイオンの割合 とほぼ同じである。 ローソクの炎は磁場で曲がるかどうかを試してみた が、0.5 テスラ程度の磁場では曲がらなかった。これは 煤の流動速度が小さく、かつ質量が大きいためであろう。 また、このとき横方向の電流はピコアンメータでも検出 ...
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ディープラーニングの最新トレンドとエヌビディアの最新GPU
... 79 GPU Educators Kit 教員のための講義ツール・演習環境提供 深層学習、ロボティクス、コンピュータサイエンスの授業用マテリアル（スライド、実習、サンプルコード）を無償で提供。 NVIDIAと下記の大学の共同で作成。 ...
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世界での接続機能を有するデバイス数の推移予測 様々な業界での IoT への注目 今後出現するアプリケーションやビジネスモデル 標準化やデバイス価格の低下などにより 接続デバイス数は増加すると予測 2022 年には合計 290 億のデバイスがネットワークに接続され そのうち 181 億以上は IoT
... カバレッジ拡張 繰り返し送信：同一信号を複数回送信することにより受信信号のエネル ギーを増大させ、従来のLTE移動機では受信できないような信号強度の低 い位置でも、データ受信が可能になる。 ...
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大口径電子デバイス用エピ基板の開発
... →Si基板は、既存のデバイスプロセスラインの活用が可能となることなど、 基板そのもののコスト競争力 を 有する。既存のSiデバイス製造ラインを活用することで、デバイスメーカの 膨大な設備投資が不要 となる。 SiC：1,600円/ｃｍ ２ 以上 Si ：８０円/ｃｍ ２ 以下 ...
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