AI半導体の開発
通信用半導体レーザの開発
... ス の 低 減 を 行 っ た 。 図 3 に 示 す 、 GaInAsP レ ー ザ の ト レ ン チ 部 分 を 低 誘 電 率 ポ リ マ ー （BCB ： Benzocyclobutene）で埋め込み、デバイスの静 電容量を低減することで、高周波帯域を 15GHz まで改善 した。これによって、10Gbps Ethernet 対応の無温調デバ ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 3 − 2 変調器集積レーザ 直接変調レーザは、大電流 での変調が必要であり、波長揺らぎ（チャープ）が大きく なるため、長距離伝送には適さない。これを克服し、更な る高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型 （EA: Electro Absorption）の変調器と、DFB レーザとを集 積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ（EML: Electro- absorption Modulator ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−21 度なサービスが可能になるであろう。 SoC 混載用不揮発性メモリ システムオンチップ（SoC）は今後の電子機器の高付加価値化を支える中核的な半導体デバイ スである。高性能で小型であることから、据え置き型電子機器と並んでモバイル機器に多用され る。そのため、今後ますます、SoCには低消費電力長時間動作と、電源ON・OFFにより瞬時に ...
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半導体産業の東アジア域内における棲み分けと分業
... DRAM の需要が多く，利益も大きかったことである 13） 。また，もう一つ重要な要因は， DRAM の技術特性にある。DRAM 市場には世代交代（旧世代品から次世代品への需要の乗 り換え）があり，そこには一定程度の技術の断絶性があるとともに，DRAM 生産の要とな ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... GaNを利用したパワー素子の製品化は、これまで大き く三つの課題があった。まず、 （1）コスト低減が難しかっ たこと。GaN系パワー素子に利用できる従来の基板は口 径が小さかったり、価格が高かったりした。次は、 （2）電 気特性が十分ではなかったことである。優れた材料特性 を持つGaNだが、パワー素子として作り込むと、Si製パ ワー素子よりも電気特性面で劣る点があった。そして3 番目が、 ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... は社内で独自の ED A ツールを開発し、それを用いて社内向け半導体や外販用半導体を設計し ていた。それらのツールやノウハウを ASI C 設計に活用できたことは、半導体メーカにとって もセットメーカにとっても大きな利点だった。 しかし、米国を中心に ED A 産業が成長し、ED A ベンダの供給するツールが業界標準となる ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... LED のほか、省エネルギーのためのパワーデバイスの実用化に貢献してい る。しかし、基板となるべきバルク結晶の育成技術は開発途上で、殆どのデバイスは異種基板上へのエピタキシャル成 長材料を使っている。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪 ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 域の拡大にむけて、 GaN 系混晶半導体の他、赤色領域 から深紫外領域にわたる広い範囲での高効率・低価格発 光素子の開拓に関する研究が進められている。これらワ ...
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半導体試験・測定システム
... 第１章 半導体試験・測定 システムの特許技術動向調査の目的と方法 第１節 半導体試験・測定システムの特許技術動向調査の目的 近年、日本近隣の東アジア半導体企業は、半導体製造において世界的価格競争力を獲得 しつつある。その価格競争力を支える要素技術の一つは、開発期間に占める試験・測定時 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で ...
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出 展 対 象 開発技術 システム 部品 周辺技術 来 場 対 象 普及 活用 設計 開発 テスティング 設計 開発ツール 駆動システム テスティングツール モーター技術 二次電池 次世代電池 電池材料 CAD CAM CAE ソフトウェア 電子材料 部品 各種試験 検査 計測 半導体 電子部品 解
... 日野自動車 商品企画部 企画・調査 自動運転バス、AI 運行バス サービス、 バス交通における EV ,HV, ディーゼルの今後の動向 華為技術日本 その他 EV related technology ブリヂストン PS タイヤ開発第3部 製品設計 シャシー部品における技術・ 遠隔地からのライブ映像技術 マツダ 車両実研部 研究・開発 ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 法 の 発 明 で あ る が 「 プ ロ グ ラ ム あ る い は 記 憶 媒 体 特 許 」 と し て 取 得 す る こ と に よ っ て 、特 許 権 行 使 の 対 象 を 広 げ る こ と が で き る 。な ぜ な ら 、 「 製 造 方 法 」の 発 明 と 「 プ ロ グ ラ ム あ る い は 記 憶 媒 体 」 で は 、 訴 訟 の 相 手 方 が ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... かしながら、C 面の場合、この内部電界の為に、活性層内 で電子とホールの存在場所が分離され、結合する確率が大 きく低下する。特に、長い波長の光を得ようとすると、活 性層中の InGaN 層の In 組成比率を上げる必要があるため、 結晶格子が大きくなり、内部応力が増大し、この内部電界 も大きくなる。このため発光効率が低下し、長波長の光デ ...
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第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
... ・２０００年（平成１２年） ISO9001取得 ・２００４年（平成１６年） ISO14000取得 ・２００５年（平成１７年） 第３研究棟建設 ・ ２００７年（平成１９年） 窒化物半導体工場竣工 窒化物半導体事業 ...
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種類以上 ) により開発が困難でした 今回 知の拠点あいち重点研究プロジェクト (Ⅰ 期 ) で開発された半導体イメージセンサを用いて かおり を可視化するセンサ ( かおりイメージセンサ ) を開発し かおりをパターン化して表示できる かおりカメラ を実現しました 2 開発の概要 (1) 本技術の
... と澤田 さ わ だ 和明 かずあき 教授（豊橋技術科学大学）が開発した「半導体イメージセンサ ※2 」を 活用して、県内外の企業４社（東朋テクノロジー㈱、㈱アロマビット、浜松ホ トニクス㈱、日本ケミコン㈱）が設立したコンソーシアムである「CMOS Odor Sensor Consortium(COSCo コ ス コ ) ※3 」が “かおり”を可視化する技術を開発しました。 ...
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日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003
... 2001 年 年 年 年 MEDEA+ になり続行。 になり続行。 になり続行。 になり続行。EUREKAプロジェクト。 プロジェクト。 プロジェクト。 プロジェクト。 1984 IMEC設立 設立 設立 設立 ：： ： ： 地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。 ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... また、ホール輸送能を高めるために強固なπ-πスタッキングが期待できる平面性 の高いユニットをポリマー主鎖骨格に組み込むことで分子鎖を高密度にパッキング するアプローチもある。平面性の高い D ユニットとして五つの芳香環を縮環したイ ンダセノジチオフェン indacenodithiophene ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用では、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程は切断と研磨で、その結果試料表面には高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 性向上を阻害する最も重要な工程とされ、「ダメージレ ...
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有機半導体に欠かせない、「縮環チオフェン」の簡便な合成法の開発 研究活動 | 研究／産学官連携
... 本研究では、容易に手に入る芳香族化合物誘導体を有機溶媒中で硫黄と混ぜて加熱し ながら撹拌するだけという、非常に簡便な方法によって、芳香族化合物にチオフェン環 を連結させ、縮環チオフェンを得る新しい反応を開発しました。本反応を適用すると、 本来反応性が低い炭素−水素結合を切断できるため、反応性の高い原料を別途合成する手 間を省くことができます（図２、図３） 。そのため従来法では、５〜６段階必要であった ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN 結晶膜を作製した．スパッタ法やアニール法にも取り組み，結晶品質を高める ことにも成功した．また，新たなバルク AlN 結晶作製法を構築するための基礎研究も行った．本研 ...
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