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高速動作(高周波)のスイッチング素子として

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ

... 内容1 1. 化合物半導体特徴・応用紹介 2. 半導体物理おさらい ① Bloch定理意味とk空間 ② バンドギャップ物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ 1,2,3次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...

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NJW4860 LDO 内蔵 2ch ゲートドライバ 特長 出力ピーク電流 ±1A (peak) 動作電圧範囲 4V to 20V 高速スイッチング tr/tf=15ns/15ns(typ.) at CL=1,000pF 3V / 5V 系ロジック対応 電源出力 5V/50mA サーマルシャットダウ

NJW4860 LDO 内蔵 2ch ゲートドライバ 特長 出力ピーク電流 ±1A (peak) 動作電圧範囲 4V to 20V 高速スイッチング tr/tf=15ns/15ns(typ.) at CL=1,000pF 3V / 5V 系ロジック対応 電源出力 5V/50mA サーマルシャットダウ

... ■ アプリケーション回路例 大電流、高速スイッチングを行う NJW4860アプリケーションは、出力立ち上がり/立ち下がりに応じて電流が流れるため基板レイアウト が重要な項目です。 NJW4860 は、スイッチング損失を抑えるためにゲートを高速駆動しています。ハイサイド、ローサイド SW ...

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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

... 3 炭素熱還元窒化挙動について検討し, ZrO 2 を添加すると Al 2 O 3 蒸発速度が飛躍的に増大することを明らかにした.この現象を 利用して, Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを原料として用いた新しい昇華再結晶法を開発した. 高周波誘導加熱炉内に Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを設置し,2173 K 成長温度で SiC ...

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増加させることなくスイッチングの高周波化が可能となり, 省エネとともに冷却装置やフィルタなどの簡素化によってシステムの大幅な小型軽量化が期待される このように, 低ロス素子には多くの利点があるが, 実用化と普及に向けて克服すべき課題も少なくない 第一に, 安定した基板の供給が挙げられる 低ロス素子の

増加させることなくスイッチングの高周波化が可能となり, 省エネとともに冷却装置やフィルタなどの簡素化によってシステムの大幅な小型軽量化が期待される このように, 低ロス素子には多くの利点があるが, 実用化と普及に向けて克服すべき課題も少なくない 第一に, 安定した基板の供給が挙げられる 低ロス素子の

... 増加させることなくスイッチング高周波化が可能とな り,省エネとともに冷却装置やフィルタなど簡素化に よってシステム大幅な小型軽量化が期待される。 このように,低ロス素子には多く利点があるが,実 用化と普及に向けて克服すべき課題も少なくない。第一 に,安定した基板供給が挙げられる。低ロス素子製 ...

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LTC 高効率同期整流式降圧スイッチング・レギュレータ

LTC 高効率同期整流式降圧スイッチング・レギュレータ

... I TH (ピン3):誤差アンプ補償点。電流コンパレータ スレッショルドは、この制御電圧に応じて上昇します。 このピン公称電圧範囲は0V∼2.4Vです。 PGOOD(ピン4):オープンドレイン・ロジック出力お よび強制連続/同期入力。V OSENSE ピン電圧が公称設定 値±7.5%以内でないときには、PGOODピンはグラン ...

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国際経営 文化研究 論 Vol.21 No.1 December 2016 文 動作課題の特徴の比較 動作法における体験から 武 内 智 弥 キーワード 動作法 目 動作課題 動作体験 伴う体験 臨床動作学 的 動作法は 動作を媒介としてその人の物事への対応のあり方を再調整する心理臨床アプローチで

国際経営 文化研究 論 Vol.21 No.1 December 2016 文 動作課題の特徴の比較 動作法における体験から 武 内 智 弥 キーワード 動作法 目 動作課題 動作体験 伴う体験 臨床動作学 的 動作法は 動作を媒介としてその人の物事への対応のあり方を再調整する心理臨床アプローチで

... 作課題動きは、“まっ直ぐに肩を上げるという動作は日常的にしているようで意外としていない 動作”(はかた動作法研究会、2013)とされている。さらに自体をタテに保ち肩を上げるという動 作は、重力にからだを預ける活動と異なり、本人が動かさないと実現しないことは当然である。肩 ...

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コンテント スイッチング モジュール コマンド

コンテント スイッチング モジュール コマンド

... バックアップ サーバ ファームをポリシーと対応付けることができます。バックアップ サーバ ファームを正常に動作させるには、プライマリ サーバ ファームがそのポリシーと対応付けられて いなければなりません。バックアップ サーバ ファームには、プライマリ サーバとは異なるプレディ クタ オプションを設定できます。ポリシーに sticky オプションを使用すると、バックアップ サー バ ...

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ADA4899-1: ユニティ・ゲインで安定動作、超低歪み、1 nV/√Hz 電圧ノイズ、高速オペアンプ

ADA4899-1: ユニティ・ゲインで安定動作、超低歪み、1 nV/√Hz 電圧ノイズ、高速オペアンプ

... ADA4899-1 ピン 部品面以外すべてグラウンド・プレーンと電源プレー ンから銅箔を除去して、グラウンドと入力ピン、グラウンドと 出力ピンと間に寄生容量が発生しないようにしてください。 マウント・パッド下からグラウンド・プレーン銅箔を除去 しない場合、 SOIC フットプリント上マウント・パッド 1 つあ ...

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グローバル高速鉄道戦略―日立製作所を事例として―

グローバル高速鉄道戦略―日立製作所を事例として―

... は日本高い技術力と安全性が内外ともに認識されているは事実ではあるが、こ 新幹線特長が必ずしも相手先にとってメリットとなり、歓迎されるとは言い切 れないである。日本経済および市場環境に合致すべく開発、運営されてきた新 幹線が相手国ニーズに合致しないが一般的なケースである。費用対効果を考え ると時速 km ...

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スイッチング支援に関するルール システムへの 要望スイッチング スイッチング開始および廃止をはじめとして受付工程 処理完了 に遷移するタイミングが遅すぎるケースがある ( 特に高圧 ) 供給開始 ( 廃止 ) 日になり次第 至急返すよう是正頂きたい 各送配電事業者でタイミングが異なっており ルール化

スイッチング支援に関するルール システムへの 要望スイッチング スイッチング開始および廃止をはじめとして受付工程 処理完了 に遷移するタイミングが遅すぎるケースがある ( 特に高圧 ) 供給開始 ( 廃止 ) 日になり次第 至急返すよう是正頂きたい 各送配電事業者でタイミングが異なっており ルール化

... 本事象については、お客さま対応へ迅速な対応という観点で、上記連絡を新小売である当社を経由する必要な無 いと思われ、送配電から直接OCCTOへ依頼をすれば良いものと考える。 また、そもそも原因である、システム上で古い廃止取次データ滞留がないようシステム改善を行っていたただきたい。 ...

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1. 電気のスイッチングプロセス中の 取戻し営業 に係る指摘 需要家がスイッチングを新小売電気事業者 ( 以下 新事業者 という ) に申し込んだ場合 大部分の高圧契約 *1 については スイッチング支援システムを利用して 顧客の同一性の確認が現小売電気事業者 ( 以下 現事業者 という ) によっ

1. 電気のスイッチングプロセス中の 取戻し営業 に係る指摘 需要家がスイッチングを新小売電気事業者 ( 以下 新事業者 という ) に申し込んだ場合 大部分の高圧契約 *1 については スイッチング支援システムを利用して 顧客の同一性の確認が現小売電気事業者 ( 以下 現事業者 という ) によっ

... 3 現小売電気事業者は、平日営業時間内においては、スイッチング支援システムを利用して、1時間に1回以上、新 小売電気事業者から廃止取次申込み有無を確認しなければならない。但し、システムトラブルその他やむを得な い事情ある場合についてはこの限りではない。 4 ...

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スイッチング電源の 高性能化・高効率化技術

スイッチング電源の 高性能化・高効率化技術

... 2-4 スイッチング電源動作解析 2-5 電流不連続モード 3.絶縁型DC-DCコンバータ電源技術 3-1 絶縁型スイッチング電源概要 3-2 フライバック・コンバータ電源 3-3 フォワード・コンバータ電源 3-4 その他コンバータ電源 ...

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マグネット ポンプ素子 吸入口フランジ 電流導入端子 ノーブルポンプ素子 連結線 ポンプ素子 イオンポンプ素子 第 1 図 イオンポンプ ノーブルポンプ外形 例 140L/s イオンポンプ 110L/s ノーブルポンプ 第 2 図 ポンプ素子 特長 1. 完全オイ

マグネット ポンプ素子 吸入口フランジ 電流導入端子 ノーブルポンプ素子 連結線 ポンプ素子 イオンポンプ素子 第 1 図 イオンポンプ ノーブルポンプ外形 例 140L/s イオンポンプ 110L/s ノーブルポンプ 第 2 図 ポンプ素子 特長 1. 完全オイ

... 油など有機物を一切使用していないため、完全にオイルフリーな超高真空が得られます。運転に必要なは電力だけで、機 械的に動く部分がないため、無振動・無騒音です。また、突然停電や真空リークなど事故際にも、被排気系を汚染する ...

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pickering Pickering Interfaces ebirst スイッチングシステムの故障を短時間で検出 リレーの単位で故障箇所を迅速に特定 スイッチングシステムのダウンタイムを最小化 修理費用を大幅に節約 スイッチングシステムテストツール 年保証 pickeringtest.com

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... 対応ピカリング社製品が選ばれるか? スイッチングシステムに対して eBIRST ような自己診断機能をサポートしているは、ピカリングインター フェース社だけです。他スイッチングシステムベンダーモジュール場合には、まず、システムやモジュ ...

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有機EL素子

有機EL素子

... こ う ち 、 歩 留 ま り 向 上 と コ ン ト ラ ス ト 向 上 と い う 課 題 に 対 し て は 、 AM駆 動 を 実 用 化 し て 対 応 し よ う と し て い る 。 論 文 動 向 で も 、 最 近 AM駆 動 へ 関 心 が 高 ま っ て い る 。特 許 動 向 で は 、AM駆 動( L TPS- TFT)で 、配 線 や 回 路 を 工 夫 し 、イ ン ...

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ハイサイド MOSFET の損失 どのような MOSFET でも 総損失は伝導損失とスイッチング損失の合計として求まります 低デューティでは コンバータスイッチング損失がハイサイド MOSFET の支配的な損失要因となる傾向にあります 降圧型コンバータのデューティサイクルは下式により表せます ハイサ

ハイサイド MOSFET の損失 どのような MOSFET でも 総損失は伝導損失とスイッチング損失の合計として求まります 低デューティでは コンバータスイッチング損失がハイサイド MOSFET の支配的な損失要因となる傾向にあります 降圧型コンバータのデューティサイクルは下式により表せます ハイサ

... • 基板設計 • 計算で無視した各種損失 • 計測誤差 プリント基板上素子配置と素子接続形態はシ ステム動作と効率に非常に大きく影響します。この 影響は、特にスイッチング周波数と負荷電流が高くな るにつれ顕著となります。回路基板上銅箔トレース ...

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ATM 環境のマルチプロトコル・ラベル・スイッチング (MPLS) ラベル・インポジションの理解

ATM 環境のマルチプロトコル・ラベル・スイッチング (MPLS) ラベル・インポジションの理解

... このシナリオでは、Pound が Lira に IP パケットを送信します。 たとえば、Pound から 125.125.0.2 に ping を実行すると、予期した通り動作をします。 Pound#ping 125.125.0.2 Type escape sequence to abort. ...

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低転位GaN基板を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの高速スイッチング特性 Fast Recovery Performance of Vertical Schottky Barrier Diodes on Low Dislocation Density Freestanding GaN Subs

低転位GaN基板を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの高速スイッチング特性 Fast Recovery Performance of Vertical Schottky Barrier Diodes on Low Dislocation Density Freestanding GaN Subs

... 実験に用いた縦型GaN SBD構造を図1に示す。n型導電性 GaN基板は、ハイドライド気相成長(HVPE: Hydride vapor phase epitaxy)法で作製し、転位密度は1×10 6 cm -2 以下で ある。このGaN基板上に、OMVPE(Organic metal vapor phase epitaxy)法で、トリメチルガリウムとアンモニア、 モノシランを用いて、n型導電性GaN層を7µm成膜した。 ...

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最近のデジタル回路の動向 LeCroy Japan, LJDN-JTT Page 3 LI の高速動作周波数 & 高集積化 更なる CPU システムの高速化 CPU システムの高速化 バス速度の高速化へ ペンティアム プロセッサ4 400MHzのシステム バス 最大 3.2Gb/s(

最近のデジタル回路の動向 LeCroy Japan, LJDN-JTT Page 3 LI の高速動作周波数 & 高集積化 更なる CPU システムの高速化 CPU システムの高速化 バス速度の高速化へ ペンティアム プロセッサ4 400MHzのシステム バス 最大 3.2Gb/s(

... ±5σ 信頼性レベルが測定には実用的である ±5σ 信頼性レベルが測定には実用的である 信頼性レベルが測定には実用的である 信頼性レベルが測定には実用的である S 測定サンプル数 測定サンプル数 測定サンプル数 測定サンプル数 : :: : 10万-100万サンプル 10万-100万サンプル 10万-100万サンプル ...

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注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います MCP1630/MCP1630V マイクロコントローラに連携する高速 PWM 特長 高速な PWM 動作 ( 電流検出から出力までの遅延は 12 ns) 動作温度レンジ : -40 ~ +12

注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います MCP1630/MCP1630V マイクロコントローラに連携する高速 PWM 特長 高速な PWM 動作 ( 電流検出から出力までの遅延は 12 ns) 動作温度レンジ : -40 ~ +12

... 本書に記載されているデバイス アプリケーション等に関する 情報は、ユーザ便宜ためにのみ提供されているものであ り、更新によって無効とされる事があります。お客様アプ リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に あります。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口 頭、法定いずれであるかを問わず、本書に記載されている ...

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