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高周波・高耐圧アンプの構成

高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究

高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究

... 図 3.4 に示したように、p 型および n 型両サンプルで、レベル注入においてキャリア寿命 が低下している。この理由として、次ような要因が考えられる。一つは、上記モデル計算より 確認された、かなり高い励起キャリア密度領域で見られる輻射再結合やオージェ再結合影響が ...

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高耐圧SiC MOSFET

高耐圧SiC MOSFET

... 2,200 V と耐圧 3,300 V MOSFET 断面構造図を示す。 基板には(0001)面 n 型 4H-SiC を用いた。耐圧を保持す るエピタキシャル成長層(エピ第 2 層)は、2,200 V では 不純物濃度と膜厚がそれぞれ 4.5 × 10 15 cm -3 、20 µm、 3,300 V では 3.0 ×10 15 cm -3 、30 µm ...

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NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

... 8GHz まで広周波数帯域をカバーし、パワーハンドリング、低損 失、アイソレーションを特徴とします。また、保護素子を内蔵する事 により高い ESD 耐圧を有しています。 USB6-A8 パッケージを採用する事で小型・薄型化を実現し、低背化 や密度表面実装が必要な小型通信機器などへ応用が可能です。 Iアプリケーション ...

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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App

北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App

... いた補助的なインバータを追加している。補助インバータはメインインバータに対して逆 動作を行い、メインインバータが発生させるコモンモード電圧と逆向きコモンモード 電圧を出力し、メインインバータコモンモード電圧除去に使用する。これら二つ ...

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LM2831 高周波数動作 1.5A 負荷 降圧型DC/DCレギュレータ

LM2831 高周波数動作 1.5A 負荷 降圧型DC/DCレギュレータ

... 1.5A 駆動 能力を持つオン抵抗 130mΩ PMOSトランジスタを内蔵したこと で、現時点で最高クラス電力密度を達成しています。 世界レ ベル制御回路によって 30ns という短いオン時間を実現し、 速な変換動作結果、3V から ...5.5V 全入力範囲にわたって最 小出力電圧 ...93% ...

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[JP] Amplified Controllers Release Pack [JP] アンプリファイドコントローラーリリースパック アンプリファイドコントローラーリリースパック の構成はつぎのとおりです LA Network Manager( 以降 LA NWM と表記 )

[JP] Amplified Controllers Release Pack [JP] アンプリファイドコントローラーリリースパック アンプリファイドコントローラーリリースパック の構成はつぎのとおりです LA Network Manager( 以降 LA NWM と表記 )

... HF 周波数特性を空間的な平均値に基づいて改良:KIVA/KILO クロ スオーバーとタイムアライメントを、LF でインパクトを持つパワーレスポンス得られるように修正: KIVA/KILO 出力ゲインスケーリングを、よりフラットなシステムレスポンスを得られるように修正:標 準的な KIVA ...

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超高耐圧応用を目指したSiCにおける絶縁破壊特性の基礎研究およびPiNダイオードの高性能化

超高耐圧応用を目指したSiCにおける絶縁破壊特性の基礎研究およびPiNダイオードの高性能化

... て新規デバイス構造を提案し、その有用性を実証した。具体的には、ダイオードを 例にとり、 PiNダイオードにショットキー障壁ダイオードを並列に内蔵させることが 有効であることを示し、これを実現するに適した具体的なデバイス構造と作製プ ロセスを提案した。このデバイス特有現象である順方向バイアス時電流不連続 ...

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Product Catalog 精密 RF マイクロ波コンポーネント 高周波コンポーネントのリーディングカンパニー

Product Catalog 精密 RF マイクロ波コンポーネント 高周波コンポーネントのリーディングカンパニー

... MMIC 測定 オプション MMIC アタッチメントを使えば、他デバイスと 同じように、MMIC と小型コンポーネントを容易に試験すること ができます。MMIC アタッチメントは、センターキャリヤと、ラー ンチング用マイクロストリップライン、カム操作圧力ロッドで構成さ れています。マイクロストリップライン間にあるセンターキャリヤ に、MMIC ...

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低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード

低転位GaN 基板上の低抵抗・高耐圧GaNダイオード

... これまでに研究・開発された GaN を用いたパワーデバ イスでは、サファイア、SiC 等異種基板上でエピタキ シャル成長されていたため、主に横型デバイスしかでき なかった。しかし Si や SiC など既存大電力用途デバ イスは縦型が主である。これは、配線、パッケージング 容易さ、高い面積効率を有するなど理由から横型に比べ ...

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明細書 発明の名称はんだごての高周波誘導加熱システムおよび制御方法技術分野 000 この発明は 一般的にはんだごて ょり具体的には はんだごての高周波誘導加熱システムぉょび制御方法に関連する 背景技術 000 特許文献 に示されるょうに 電磁誘導は はんだごてを加熱するのに使用されてきた 誘導加熱を

明細書 発明の名称はんだごての高周波誘導加熱システムおよび制御方法技術分野 000 この発明は 一般的にはんだごて ょり具体的には はんだごての高周波誘導加熱システムぉょび制御方法に関連する 背景技術 000 特許文献 に示されるょうに 電磁誘導は はんだごてを加熱するのに使用されてきた 誘導加熱を

... 号 変 化 大 き さ と 、 変 化 持 続 時 間 を 決 定 す る に 適 合 し て い る 。 00 8 ひ き つづ き 表 「 を見 る と 、 測 定 さ れた 電 流 比 較 的 小 さ い 変 化 は 、 「 動 作 制御 モ ー ド 「 」 に 対 応 す る 。 つ ま り 、 パ ワ ー ア セ ン ブ リ 「 8 と ...

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ゼロからはじめる電磁界シミュレーション 高周波回路の動作を理解する4つのステップ The Beginner s Electromagnetic Simulations Four Steps for Understanding the Behavior of High-Frequency Circui

ゼロからはじめる電磁界シミュレーション 高周波回路の動作を理解する4つのステップ The Beginner s Electromagnetic Simulations Four Steps for Understanding the Behavior of High-Frequency Circui

... 4 つステップにそって紹介する.第 1 に高周波を波長ごとに下表に示す 7 つに分類し,それぞれ分野で 理論が発展してきたこと.そして時間領域電磁界シミュレーション利用にあたっても波長ごと理論につ いて知見が必要なことを述べる.第 2 ...

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高周波カテーテルアブレーションで根治した薬剤抵抗性潜在性右前中隔副伝導路の10カ月乳児例 第28巻02号0136頁

高周波カテーテルアブレーションで根治した薬剤抵抗性潜在性右前中隔副伝導路の10カ月乳児例 第28巻02号0136頁

... 断に成功している報告が散見される 10, 11) .ただし,乳児例 では大動脈へアプローチに大腿動脈からカテーテ ル挿入で血管損傷可能性もあり注意が必要である. Catheter-induced mechanical trauma(bumping)に よ る 伝導途絶は中隔副伝導路,特に右前中隔でよく認めら れるとされている 12, 13) .成人で検討では bumping ...

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[JP] Amplified Controllers Release Pack [JP] アンプリファイドコントローラーリリースパック アンプリファイドコントローラーリリースパック の構成はつぎのとおりです LA Network Manager( 以降 LA NWM と表記 )

[JP] Amplified Controllers Release Pack [JP] アンプリファイドコントローラーリリースパック アンプリファイドコントローラーリリースパック の構成はつぎのとおりです LA Network Manager( 以降 LA NWM と表記 )

... L-DRIVE 設定をアップデートしました。 ­ 8XT に関するすべてプリセット:低域セクション耐性改善を目的として L-DRIVE 設定をアップデートしました。 詳細はプリセットガイドを参照してください。(プリセットガイドはダウンロードファイルに含まれています。) ビデオチュートリアル ...

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説明会資料 ニュースリリース | IR情報 | ネツレン 高周波熱錬株式会社

説明会資料 ニュースリリース | IR情報 | ネツレン 高周波熱錬株式会社

... 20.第 14 次 中 期 経 営 計 画 スローガン 「 Accomplish V-20 」 (アコンプリッシュ ブイ トゥウェンティ) ①第14次中期経営計画(以下、14次中計)は、NETUREN VISION 2020最終 3ヵ年計画であり、14次中計を着実に実行して成し遂げ、V-20を総仕上げする ②「経営」 「技術」 「生産」 「機能」 「人づくり」 における革新的な活動を実行 ...

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マイクロ波回路シミュレータの導入による高周波回路授業の実践

マイクロ波回路シミュレータの導入による高周波回路授業の実践

... された.この制度を利用することにより,費用面で 心配をすることなく,市販品と同一機能を持つマイクロ 波回路シミュレータを授業で教育目的で利用することが 可能になる.当学科では,一昨年に登録申請を行ってプロ グラムメンバーとなり,昨年度より,本学科において授業 で使用することを条件としてその使用が認められている. 現在は,本年度分ライセンス供与を受けて,学科管理下 ...

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LTC 利得をデジタルでプログラム可能なゼロドリフト高精度計装アンプ

LTC 利得をデジタルでプログラム可能なゼロドリフト高精度計装アンプ

... ピン同相電圧に変換します。その結果得られる信号は非反 転構成ゼロ・ドリフトオペアンプによって増幅されます。ア ンプ内部利得制御は整合した抵抗アレイ抵抗を切り替 えておこなわれます。LTC6915には14レベル利得が備わっ ており、パラレルまたはシリアルインタフェースによって制御 ...

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重点 3 市場と重点 5 事業 + 新規事業 重点 5 事業 自動車 新規事業 薄膜製品 SESUB センサ非接触給電 インダクティブデバイス 高周波部品 圧電材料部品 HDD ヘッド 二次電池 ICT 産業機器 エネルギー -2-

重点 3 市場と重点 5 事業 + 新規事業 重点 5 事業 自動車 新規事業 薄膜製品 SESUB センサ非接触給電 インダクティブデバイス 高周波部品 圧電材料部品 HDD ヘッド 二次電池 ICT 産業機器 エネルギー -2-

... この資料には、当社または当社グループ(以下、TDKグループといいます。)に関す る業績見通し、計画、方針、経営戦略、目標、予定、認識、評価等といった、将来に関 する記述があります。これら将来に関する記述は、TDKグループが、現在入手してい る情報に基づく予測、期待、想定、計画、認識、評価等を基礎として作成しているもの ...

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高周波対応低ロス圧粉磁心材料の開発

高周波対応低ロス圧粉磁心材料の開発

... 2. 開発ターゲットに向けた現状技術と課題 電源デバイスコンパクト化や大電力処理観点におい ては、電源用コイルに用いられるコア材料には、飽和磁束 密度が⾼く、電気-磁気エネルギー変換効率が⾼いことが 求められる。表 1 に⾼周波用軟磁性コアに用いられる代表 的な軟磁性材料と電源特性得失を一覧表で示す。電源用 鉄心として従来汎用的に用いられている軟磁性材料として ...

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[JP] Amplified Controllers Release Pack [JP] アンプリファイドコントローラーリリースパック アンプリファイドコントローラーリリースパック の構成はつぎのとおりです LA Network Manager( 以降 LA NWM と表記 )

[JP] Amplified Controllers Release Pack [JP] アンプリファイドコントローラーリリースパック アンプリファイドコントローラーリリースパック の構成はつぎのとおりです LA Network Manager( 以降 LA NWM と表記 )

... LA-NWM_FW_COMPATIBILITY_ISSUES_TB_ML.pdf 新しい LA NWM とファームウェア互換性に関する技術解説書 LOAD-SENSOR-CALIBRATION-TOOL_TB_EN.pdf ロードセンサーキャリブレーションツール技術解説書英語版 LOAD-SENSOR-CALIBRATION-TOOL_TB_FR.pdf ロードセンサーキャリブレーションツール技術解説書仏語版 ...

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超高周波帯 超高周波帯 の明確な定義は無いが 電波ばく露の分野においては ミリ波帯を中心に体表面に集中した電力吸収による表面加熱の熱作用が支配的な周波数範囲を指すことが多い 本発表では高周波ガイドラインの根拠が表面加熱となる 6GHz から電波法上限の 3THz までを対象とする 全身 部分共振 (

超高周波帯 超高周波帯 の明確な定義は無いが 電波ばく露の分野においては ミリ波帯を中心に体表面に集中した電力吸収による表面加熱の熱作用が支配的な周波数範囲を指すことが多い 本発表では高周波ガイドラインの根拠が表面加熱となる 6GHz から電波法上限の 3THz までを対象とする 全身 部分共振 (

... • ミリ波帯におけるビームフォーミングは空間的に局在したばく露と なり、さらに体表に集中した加熱となる。 • レーダー(車載・歩道)による一般生活中ばく露機会も 増大すると予想される。 ...

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