電気特性（VF/IR）、温度特性
目次 1. 製品仕様 適用 構造 環境特性 機械的特性 電気的特性 外観 試験条件 試験条件 環境特性
... § 局部的に強い力でこするような操作はタッチパネルの機能を損なう可能性がありますので避けて下さい。 § 製品を硬い物で叩くような操作方法は避けて下さい。 § 製品を無理に折ったり曲げたりしないでください。 § 製品を保存する場合には梱包箱を利用し、保存温度内で無理な荷重がかからない状態で保存してください。 § 製品を水及び有機溶剤、酸性の雰囲気中やそれらに触れる状態での保存及び使用は避けてください。 § ...
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INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
... 21. 静特性 Steady state characteristics (1) 入力・負荷・温度変動 Regulation line and load, Temperature drift ･････････････・･ 6 (2) 出力電圧・出力リップルノイズ電圧 対 入力電圧 Output voltage and Output ripple and noise voltage vs. Input ...
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パルスCVI 法により多孔質基質内に析出した熱分解炭素の構造と電気化学的特性
... CVD 法で析出した熱分解炭素の容量は、結晶性や内部 構造、異種元素の存在に依存して、 250〜700 mAhg -1 の値 を示す 8) 。 CVD/CVI 法で析出する熱分解炭素の結晶性や 構造は、温度や圧力、ガスの種類などの合成条件に依存 して変化する 9) 。また、炭素の核形成と結晶成長は基材 の表面上で起きるので、用いる基質表面の性状にも依存 すると考えられる。本研究では、木材や紙繊維を炭素化 ...
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ひずみSiおよびひずみのないSi MOS界面の電気的評価と界面欠陥が素子特性に与える影響
... In order to characterize interface properties, diverse evaluation techniques have been proposed, such as conductance method and S-factor.. And also, the validity of thre[r] ...
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モデル光触媒研究を基礎としたSrTiO3の光電気化学特性の評価と高効率化
... In this chapter, I demonstrated a novel nanostructure design concept using self-assembled metal nanopillar structures to achieve efficient photocarrier transport from a bulk semiconductor [r] ...
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レーザ発振特性とレーザマイクロホンの音波検出特性の研究
... 4. 発振特性 本研究で使用した LD の発振特性について説明する。 恒温層を用いて光スペクトラムアナライザで使用する LD の発振特性を測定した。測定条件を図 5 に示す。 TEXIO 社製 PAR36-3H 直流安定化電源装置で LD を発振 させレーザ光のレベルが高くなるように光軸を合わせ受 光部へ照射する。恒温層の温度設定を 25℃から 5℃ずつ 下げて測定し、－ ...
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GIS 外部に設置するUHF 部分放電センサの感度特性と耐ノイズ特性
... ３・２ 耐ノイズ特性試験 図 4に本試験の概略構成を示す。GIS母線を中心とする 供試器の構成は前述の感度特性試験と同様である。スペ ーサフランジ部に設置した各種アンテナの背後 1mから ログペリアンテナを用いて外部ノイズに見立てた電磁波 を放射する。ログペリアンテナの励起は，前述の感度特 性試験に用いたシグナルジェネレータである。この状態 で，各種アンテナの出力スペクトルをスペアナで観測す ...
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INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
... 21. 静特性 Steady state characteristics (1) 入力・負荷・温度変動 Regulation line and load, Temperature drift ･････････････・･ 6 (2) 出力電圧・出力リップルノイズ電圧 対 入力電圧 Output voltage and Output ripple and noise voltage vs. Input ...
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パルスCVI法による炭素基多孔質体への熱分解炭素コーティングと電気化学的特性
... パルス法では、装置内の圧力変動を小さくするために設 けたリザーバー内に充填した原料ガスを、0.7kPa 程度以 下まで真空引きした石英製反応管内に 0.1MPa 程度まで 瞬間的（0.1 秒）に導入し、ここで所定時間保持（保持 時間）の後、再度、反応管内を真空引き（1 秒）する。 これを 1 パルスとしてサイクルを繰り返した。熱分解炭 素コーティングの保持時間は 1 秒、反応温度は 950 ℃ とした。 ...
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内容 1 製品内容 基本仕様 特徴 規格認証 電気的仕様 定格 絶対最大定格 電気的特性 モジュール PIN 情報 BVMCN5103-xxx
... 6 製品の保存条件 未開封：温度30℃/湿度60％RH以下の環境にて保存し、納品後6ヶ月以内でのご使用を推奨します。 開封後：低温/低湿度(10％RH以下) にて保存し、開封後できる限り1ヶ月以内に実装・使用してください。 本モジュールはMSL Level1の電子部品によって構成されておりますが、基板の表面処理の酸化防止の為、早めのご使用と低温・低湿 度環境下での保存を推奨します。 ...
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キノン系化合物と多孔質炭素との複合化とその電気化学キャパシタ特性評価
... 研究分野：エネルギー貯蔵・変換材料、キャパシタ キーワード：キノン系化合物、多孔質炭素、複合化、キャパシタ、エネルギー密度、急速充放電特性 1．研究開始当初の背景 近年、自動車分野の EV シフトや発電分野の自然エネ ルギー利用増大による蓄電デバイスの需要増加が見込 まれている。そのような背景の中で、太陽電池、燃料電 池などを高効率化し、二次電池と組み合わせたハイブリ ッド電源により電池寿命を延ばし、信頼性を高める蓄電 ...
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11. 築地伸和, 青木均, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, 90nm NMOSFET における, 経時 温度劣化特性シミュレーション用 HCI ゲートリーク電流モデルの研究 電気学会電子回路研究会 ECT 横須賀 (2015 年 7 月 2 日 ) 12. 東野将史,
... 26. 轟俊一郎, 安部文隆, KhatamiRamin, 新井薫子, 香積 正基, 戸塚拓也, 青木均, 小林 春夫 「N チャネル MOSFET のゲート電圧による 1/f ノイズばらつきモデルについて の検討」 第４回 電気学会 東京支部 栃木・群馬支所 合同研究発表会 2014 年 3 月 3 日（月）, 3 月４日（火） 群馬大学理工学部（桐生キャンパス）（優秀賞受賞） 27. 轟俊一郎, 安部文隆, ...
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福岡市の特性について
... 居住専用住宅 居住専用準住宅 居住産業併用建築物 農林水産業用建築物 鉱業，建設業用建築物 製造業用建築物 電気･ｶﾞｽ･熱供給･水道業用建築物 情報通信業用建築物 運輸業用建築物 卸売・小売業用建築物 金融・保険業用建築物 不動産業用建築物 飲食店，宿泊業用建築物 医療，福祉用建築物 教育，学習支援業用建築物 その他のサービス業用建築物 公務用建築物 他に分類されない建築物 ...
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SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
... 京都大学 博士（工学） 氏 名 藤原 広和 第 4章では、SiC成長層中に存在する拡張欠陥が高耐圧(>1kV)ショットキー障壁ダイオー ドの特性に及ぼす影響を系統的に調べた結果を述べている。まず、エピタキシャル成長時 に生成された {0001}面の積層欠陥を1つでも含むダイオードは耐圧が約20%低下すること を見出し、これが積層欠陥部における局所的な禁制帯幅の低下により解釈できることを述 ...
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図 1. ケース温度 T C 測定点 IGBT チップ 内蔵ヒートシンク Tc 測定点 電気的特性 ( 指定のない場合は,T j = 25 ) インバータ部規格値記号項目測定条件単位最小標準最大 V CE(sat) V I C = 50A, T j = コレクタ エミッタ間
... 接合・ケース間熱抵抗（注 2） インバータ FWDi ( 1/6 モジュール ) - - 1.78 ℃/W 注 2. DIPIPM と放熱ヒートシンクとの接触面には，熱伝導のよいグリースを 100～200μm 程度，均一になるように塗布の上，規定の締付けトルクにて締め付けることを規定 します。（またグリースは使用動作温度範囲内で変質せず，経年変化のないものとします。） ...
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電気炉温度制御における最適多段供給電圧
... 結果の検討 以と極めておおまかないくつかの仮定のとにたって最 適制御の実際について一つの実験を行ったわけであるが 一次系近似という極めて簡単化した形式での温度制御と してはその範囲に関する限りは実験の結果について更に 検討を加えるべき余地は少ないように恩われる.しかし ながら炉の扉の開閉や気温の変化などの外乱のある場合 についてはここで考慮されていない.また負荷が実際 [r] ...
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VCSELの特性評価
... また、 LD 駆動電流が 5.5ｍA 以上になると、急激に出 力が高くなるが、これは単一波長で無く、複数の波長で 発振した為であると考えられる。一方 B の VCSEL は、 A の VCSEL より高出力まで単一波長で発振出来る事が 分かった。次に図 2 を見てみると、LD 駆動電流によっ て、 VCSEL の発振波長が変化していることが分かる。 また、周囲の温度によっても発振波長は変化する。 VCSEL ...
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パワーデバイス特性入門
... 対称型IGBTのオン状態の温度特性 対称型IGBTとMOSFETのオン状態の 温度特性比較 (1) オン状態電圧降下は温度上昇と共に急に増加しない (2) オン状態電圧降下は 正の温度係数 （通常の動作電流～100A/cm 2 ）⇒ 大電流のためにチップの並列接続可能 (3) ...
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パワー・ダイオードの特性
... – 再結合レベル位置がエネルギーギャップの中央近傍：リーク電流大 – リーク電流：Pt拡散＜電子注入＜Au拡散 • フォワード・リカバリー特性 – 再結合中心密度増加⇒フォワード・リカバリー特性の悪化（トレードオフの関係） ...
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畑地における鉛直平均温度測定による気温と地温の特性-香川大学学術情報リポジトリ
... を求め （8） ，生育期間ごとにGDDを積算してFig. 5（c）に 表した．日最高温度，日最低温度，基準温度は，三角法 （b）の場合と同様にした． 気温差については，各生育期間における正負の出現は 三角法の場合とほぼ同じ傾向であったが，播種−発芽 始間と発芽揃−開花始期間は三角法の場合よりも1.1∼ 1.2℃大きくなった．この理由は，三角法では１日の温 ...
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