【国内外学会口頭発表・研究発表】（査読なし） 1. 高橋莉乃、青木均、築地伸和、小林春夫「ドレイン抵抗劣化の新モデルを用いた LDMOS 信頼性シミュレーションの提案」第8 回 電気学会東京支部栃木・群馬支所 合同研究発 表会（2018 年 3 月 1 日，2 日）（論文賞受賞）. 2. 高橋莉乃（群馬大学），青木均（帝京平成大学），築地伸和，東野将史，澁谷将平，栗原 圭汰，小林春夫（群馬大学）「90nm NMOSFET の速度飽和パラメータ新抽出方法」LSI とシステムのワークショップ 2017, ポスターセッション、東京 (2017 年 5 月 15 日) 3. 高橋莉乃, 青木均, 築地伸和, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫「90nmN チャ ネルMOSFET での飽和速度パラメータ抽出の新アプローチ」第 7 回 電気学会東京支 部栃木・群馬支所 合同研究発表会 於 足利工業大学 2017 年 3 月 2 日（木），3 月 3 日 （金）． 4. 澁谷将平, 青木均, 坂入寛之, 黒田尚孝, 築地伸和, 栗原圭汰, 近松健太郎, 東野将史, 高 橋 莉 乃, 小 林 春 夫 , 中 原 健 「 埋 め 込 み ソ ー ス フ ィ ー ル ド プ レ ー ト を 有 す る AlGaN/GaN MIS-HEMT デバイスの小信号 AC 特性モデルの開発」第 7 回 電気学会東 京支部栃木・群馬支所 合同研究発表会 於 足利工業大学 2017 年 3 月 2 日（木），3 月 3 日（金）．
5. 栗原圭太、青木均、築地伸和、渋谷将平、小林春夫，「Research on Electron Mobility Model for AlN/GaN MIS-HEMTs 」 The 13th IEEE TOWERS （Transdisciplinary-Oriented Workshop for Emerging Researchers）,東京農工大学 (2016 年 12 月 3 日）． 6. 築地伸和、青木均、香積正基、戸塚拓也、澁谷将平, 東野将史、栗原圭汰、小林春夫， 「HCI による LDMOS の特性劣化シミュレーションのための物理ベース最大電界モデ ルの研究」第６回電気学会東京支部栃木・群馬支所合同研究発表会（2016 年 3 月）（論 文賞受賞） 7. 戸塚拓也, 青木均, 築地伸和, 香積正基, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫， 「LDMOS の信頼性モデリングにおける，HiSIM-HV モデルを用いたオン抵抗の劣化 モデルの開発」第６回電気学会東京支部栃木・群馬支所合同研究発表会（2016 年 3 月） 8. 香積正基、青木均、築地伸和、戸塚拓也、東野将史、小林春夫，「IGBT のスイッチン グ特性におけるマクロモデリングの研究」第６回電気学会東京支部栃木・群馬支所合同 研究発表会（2016 年 3 月） 9. 戸塚拓也, 青木均, 築地伸和, 香積正基, 東野将史, 澁谷将平, 栗原圭汰, 小林春夫， 「HiSIM HV を用いたオン抵抗の劣化モデルの開発」電気学会 電子回路研究会, ECT-16-020, 東京都市大学（2016 年 3 月） 10. 戸塚拓也、香積正基、青木均、小林春夫, 「半導体デバイスモデリング技術」第 62 回 システムLSI 合同ゼミ、早稲田大学 西早稲田キャンパス（2016 年 1 月）
11. 築地伸和, 青木均, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, 「90nm NMOSFET にお ける，経時・温度劣化特性シミュレーション用HCI ゲートリーク電流モデルの研究」 電 気学会 電子回路研究会 ECT-15-048 横須賀 （２０１５年７月２日） 12. 東野将史, 青木均, 築地伸和, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 戸塚拓也, 小林春夫, 「HCI による LDMOS の信頼性シミュレーションに使用する最大電界モデルの研究」, 電気学会 電子回路研究会 ECT-15-049 横須賀 （２０１５年７月２日） 13. 戸塚拓也, 青木均, 新井 薫子, 轟 俊一郎, 香積 正基, 東野将史, 小林 春夫, 「90nm n-channel MOSFET の Hot Electron Stress による経時劣化特性モデル化に関する研 究」第5 回電気学会東京支部栃木・群馬支所合同研究発表会 2015 年 3 月 2 日（月）3 月3 日（火）9 時～15 時 14. 轟俊一郎, 青木均, 安部文隆, 新井薫子, Khatami Ramin, 香積正基, 戸塚拓也, 小林春 夫, 「VCO における位相雑音信頼性シミュレーションについての研究」第 5 回電気学 会東京支部栃木・群馬支所合同研究発表会２０１５年3 月 2 日（月）3 月 3 日（火）9 時～15 時 15. 新井薫子, 青木均, 安部文隆, 轟俊一郎, 香積 正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, 「N チャネル MOSFET のノイズ発生理論に基づくゲート電圧依存 1/f ノイズばらつき モデルの検討」第5 回電気学会東京支部栃木・群馬支所合同研究発表会２０１５年 3 月 2 日（月）3 月 3 日（火）9 時～15 時 16. 築地伸和, 青木均, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 戸塚拓也, 東野将史, 小林春夫, 「LDMOS の経時・温度劣化特性解析とモデル化に関する研究」 第 5 回電気学会東京 支部栃木・群馬支所合同研究発表会２０１５年3 月 2 日（月）3 月 3 日（火）9 時～15 時 17. 轟俊一郎、青木均、小林春夫 「VCO における位相雑音信頼性シミュレーションの為の NMOSFET1/f ノイズばらつき/劣化モデルの開発」 STARC シンポジウム、学生ポスタ ーセッション、横浜 (2015 年 1 月 30 日）
18. Shunichiro Todoroki, Hitoshi Aoki, Fumitaka Abe, Khatami Ramin, Yukiko Arai, Masaki Kazumi, Takuya Totsuka, and Haruo Kobayashi, “Phase Noise Performance Analysis of VCO Circuits,” 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center.
19. Yukiko Arai, Hitoshi Aoki, Fumitaka Abe, Shunichiro Todoroki, Ramin Khatami, Masaki Kazumi, Takuya Totsuka, Taifeng Wang and Haruo Kobayashi, “Research on Gate Voltage Dependent 1/f Noise Variance Modeling for n-Channel MOSFETs,” 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center.
20. Masaki Kazumi, Hitoshi Aoki, Yukiko Arai, Shunichiro Todoroki, Ramin Khatami, Takuya Totsuka, Fumitaka Abe and Haruo Kobayashi, “Research on Precision IGBT Macro-Model Considering Operation Temperature,” 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center.
21. Takuya Totsuka, Hitoshi Aoki, Fumitaka Abe, Khatami Ramin, Yukiko Arai,Shunichiro Todoroki, Masaki Kazumi, Wang Taifeng and Haruo Kobayashi, “Reliability Modeling on 90 nm n-channel MOSFETs with BSIM4 Dedicated to HCI Mechanisms,” 1st International Symposium of Gunma University Medical Innovation and 6th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 5, 2014 Kiryu City Performing Art Center.
22. 香積 正基、青木 均、新井 薫子、Khatami Ramin、 轟 俊一郎、戸塚 拓也、 安部 文 隆、小林 春夫”IGBT の静特性における複数のプロセス・デバイス特性を考慮した高精 度マクロモデルの研究” 電気学会 電子回路研究会、秋田（２０１４年１０月９日、１ ０日）
23. 戸塚 拓也、 青木 均、 安部 文隆、 Khatami Ramin、 新井薫子、 轟俊一郎、香積 正基、 王太峰、 小林春夫 「BSIM4 による 90nm n-channel MOSFET の Hot Electron の劣化特性モデル化に関する研究」電気学会 電子回路研究会 島根 （２０１４年７ 月３日、４日） 24. 香積正基, 安部文隆, Khatami Ramin, 新井薫子, 轟俊一郎, 戸塚拓也, 青木均, 小林春 夫 「IGBT の高精度マクロモデルの研究」 第４回 電気学会 東京支部 栃木・群馬支 所 合同研究発表会 2014 年 3 月 3 日（月）, 3 月４日（火） 群馬大学理工学部（桐生 キャンパス）（優秀賞受賞） 25. 戸塚拓也, 安部文隆, Khatami Ramin, 新井薫子, 轟俊一郎, 香積正基, 王太峰, 青木均, 小林春夫（群馬大学） 「BSIM4 による 90nmn-channel MOSFET の Hot Electron の 劣化特性モデル化に関する研究」 第４回 電気学会 東京支部 栃木・群馬支所 合同研 究発表会 2014 年 3 月 3 日（月）, 3 月４日（火） 群馬大学理工学部（桐生キャンパ ス）
26. 轟俊一郎, 安部文隆, KhatamiRamin, 新井薫子, 香積 正基, 戸塚拓也, 青木均, 小林 春夫 「N チャネル MOSFET のゲート電圧による 1/f ノイズばらつきモデルについて の検討」 第４回 電気学会 東京支部 栃木・群馬支所 合同研究発表会 2014 年 3 月 3 日（月）, 3 月４日（火） 群馬大学理工学部（桐生キャンパス）（優秀賞受賞） 27. 轟俊一郎, 安部文隆, ハタミラミン, 新井薫子, 香積正基, 戸塚拓也, 青木均, 小林春夫 「n チャネル MOSFET のゲート電圧による 1/f ノイズばらつきモデルの検討」 電気学会 電子回路研究会 ECT-14-010 金沢 （2014 年 1 月 23 日）
28. 青木均, Ramin Khatami,小林春夫 「オンウエハーテストベース RF-CMOS の統計モデ リング手法に関する研究」 電子情報通信学会 機能集積情報システム研究会（(FIIS: Functional Integrated Information System)、桐生 （２０１３年７月５日）
29. 青木均（モーデック，群馬大学）, 小林春夫（群馬大学） 「RF アナログ回路設計のた めのNominal CMOS スキューイング手法 電気学会 電子回路研究会、ECT-13-036、 明治大学 (2013 年 3 月 7 日)
30. 青木均 (株)モーデック，小林 春夫 (群馬大学) 「RF アナログ回路設計のための MOSFET Nominal モデルのスキューイング手法」 電子情報通信学会 第 32 回 シリ コンアナログRF 研究会 中央大学（２０１３年３月４日）
31. Hitoshi Aoki, Haruo Kobayashi, “A New Self-heat Modeling Approach for LDMOS Devices,” 5th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering, Dec. 2013.
32. 青木均，小林春夫, “電子ペーパーのシステムシミュレータ開発に関する研究”STARC Workshop 2013, no. 2，Sep. 2013.
33. 青木均, Ramin Khatami,小林春夫, “オンウエハーテストベース RF-CMOS の統計モデ リング手法に関する研究” 電子情報通信学会 機能集積情報システム研究会, Jul. 2013. 34. 青木均，小林春夫, “RF アナログ回路設計のための Nominal CMOS スキューイング手 法” 電気学会 電子回路研究会 vol. 1 頁 30-36 2013. 35. 青木均，小林春夫, “RF アナログ回路設計のための MOSFET Nominal モデルのスキュ ーイング手法” 電子情報通信学会 集積回路研究専門委員会第 32 回 シリコンアナロ グRF 研究会 vol. 1 2013.
36. K. Andou, T. Shibuya, M. Shimasue, S. Amemiya, H. Aoki, S. Yasunobu, “ファジィ仕 様にもとづく知的回路設計方式の提案,” 計測自動制御学会 システム・情報部門 学術講 演会, Dec. 2012.
37. 青木均, “1/f ノイズからの CMOS オペアンプ回路のノイズ高精度モデリング,” 電子情 報通信学会・第２種研究会・LSI とシステムのワークショップ, Jul. 2009.
38. 青木均, “CMOS デバイスモデリング,” 社団法人 電子情報技術産業協会、知的・基盤部 技術戦略グループ, Dec. 2008. 39. 青木均, “RF-CMOS に対応した、統計解析モデリング,” 電気学会 アナログ電子回路の 設計支援技術調査専門委員会, Feb. 2007. 40. 青木均, “最新MOSFET デバイスモデリングとシミュレーション” 電子情報通信学会誌， vol. 91, no. 1, (2007), pp. 50-54. 41. 中川昌幸，吉崎智史，宋在烈，張偉弦，奈良安雄，安平光雄，大塚文雄，有門経敏，中 村邦雄，角嶋邦之，パールハット・アヘメト，筒井一生，青木均，岩井洋, “Sub-100nm High-k MOSFET の高周波歪み特性,” 応用物理学会大会, Mar. 2006.
42. Hitoshi Aoki, “The Importance of “Good” MOSFET Compact Models,” Compact Modeling Council, Semiconductor Research C., U.S.A, Feb. 1996.
【その他】【招待講演，チュートリアル講師等】 1. 青木均, 「FET モデリングのコツ」日経 BP 技術者塾，日経 BP 社（2016 年 3 月 22 日） 2. 青木均, 「高精度自動集積回路設計のためのシリコントランジスタモデリング」 日経 BP 技術者塾，日経 BP 社（2015 年 8 月 27 日、8 月 28 日） 3. 青木均, 「インターフェーストラップと移動度変動による，n チャネル MOSFET の 1/f ノイズプロセスばらつきモデリング」 電子情報通信学会 第２８回 回路とシステムワ ークショップ、淡路島（2015 年 8 月 3 日） 4. 青木均, “ナノスケール MOSFET モデルの技術動向について,” 高度化アナログ電子回 路の高能率化設計技術調査専門委員会, 電気学会, Dec. 2014. 5. 青木均, “ナノメータ MOSFET 用チャージベースモデル，BSIM6 の特徴と評価につい て,” 高度化アナログ電子回路の高能率化設計技術調査専門委員会, 電気学会, Nov. 2014. 6. 青木均, “Spectre を用いた，経時・発熱による集積回路信頼性モデリングに関する研究 紹介,” CDNLive Japan, Cadence Design Systems, Jul. 2014.
7. 青木均, “Smartphone を利用したシミュレータ開発,” モバイルコンピューテーション 技術の展望セミナー, トリケップス, Nov. 2010.
8. 青木均, “ナノ CMOS 物性とモデル,” Cadence Japan DA Show, Jul. 2010.
9. 青木均, “1/f ノイズからの CMOS オペアンプ回路のノイズ高精度モデリング,” 電子情 報通信学会・第２種研究会・LSI とシステムのワークショップ, Jul. 2009. 10. 青木均, “CMOS デバイスモデリング,” 社団法人 電子情報技術産業協会、知的・基盤部 技術戦略グループ, Dec. 2008. 11. 青木均, “RF-CMOS に対応した、統計解析モデリング,” 電気学会 アナログ電子回路の 設計支援技術調査専門委員会, Feb. 2007.
12. 青木均, “アモルファス TFT のモデリング,” Shin-tech Technical Seminar, Oct. 2006. 13. 青木均, “DFM のための統計モデリング,” Cadence Japan DA Show, Jul. 2006. 14. 青木均, “最先端デバイスモデリング技術,” Cadence Japan DA Show, Jul.2005. 15. 青木均, “高耐圧 MOSFET モデリング技術,” Cadence Japan DA Show, Jul. 2004. 16. Hitoshi Aoki, “Model Parameter Extractions for Recent CMOS Devices,” Tutorial
Short Course, IEEE 2001 Int. Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Mar. 2001.
17. Hitoshi Aoki, “The Importance of “Good” MOSFET Compact Models,” Compact Modeling Council, Semiconductor Research C., U.S.A., Feb. 1996 (米国 SPICE モデル 標準化委員会).
