電極界面での水の構造
亀裂性岩盤を対象とした孔間水理試験に基づく水理地質構造の推定
... 究所で実施した孔間水理試験に基づく水圧応答プロット の観測結果と，水理地質構造モデルに基づく孔間水理試 験の数値解析による水圧応答プロットを分布の形態ごと に示す。ここでネットワーク型は水みちがお互いに連結 したモデルであり，グラフでは応答時間の経過にした ...
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高温高圧水の構造と動的性質
... 一 の 温 度・密 度 条 件 を 含 む 1.8g/cm웍 （17GPa, 850K）までの測定を行った（Kat ayama et al ...から配位数（各粒子に隣接している粒子の数）などの系 の構造の特徴を知ることができる.通常の水,すなわち ...
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第 2 章仮設構造物 第 1 節共通事項 ( 標準 ) 1. 定義山留めは以下のように定義する 山留め : 土留めと締切りの総称である 土留め : 陸上で地下構造物を築造するとき地下水の遮水及び土の崩壊防止のために設ける仮設構造物であり その工法を土留工法という 締切り : 水中で 掘削部分を完全に
... コンクリートのみでせん断力を負担する場合の許容せん断応力度τa1 の補正の考え方につい ては、「道路橋示方書・同解説Ⅳ下部構造編」に準じるものとする。 2) 水中コンクリートの配合は単位ｾﾒﾝﾄ量 350kg/m 3 以上、水ｾﾒﾝﾄ比 55％以下、スランプ 18～21cm とし、標準養生の供試体の材令 28 ...
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水環境問題から見た中国の政治構造
... 現代中国における政策決定については、ケネ ス・リーバーサルが、 「分断化された権威主義」 という概念を提起した。リーバーサルによれ ば、中国における最高政治システムの下部にあ る権限は、分断されていて、かつ相互連携を欠 いた状態にあるという。 阿古智子は、「中国政 治の特徴としては、中央―地方―基層という行 政・自治組織に加え、共産党組織や統一戦線組 織が縦横に組織され、政策決定・実施のプロセ ...
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跳水現象における構造転移の研究 (非線形・大自由度の波動現象の数理)
... 時間発展は, Advection part と Non-advection part を交互に計算することにより 計算される. Advection part には , 高精度かつ安定な移流方程式の解法である $\mathrm{C}^{\mathrm{t}}.\mathrm{I}\mathrm{P}$ (Ciubic Interpolated Propagafion) 法 [16] を用いる . ...
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水酸アパタイトの構造欠陥の解明
... TOUR ： Tohoku University Repository コメント・シート 本報告書収録の学術雑誌等発表論文は本ファイルに登録しておりません。なお、このうち東北大学 在籍の研究者の論文で、かつ、出版社等から著作権の許諾が得られた論文は、個別に TOUR に登録 ...
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自由落下水膜の自励振動およびその発生メカニズム (非線形波動現象の構造と力学)
... $P_{I}+T\kappa_{\alpha}-P_{S\alpha}=0$ , $\frac{\partial\eta_{\alpha}}{\partial t}+\frac{\partial\phi_{I}}{\partial x}\frac{\partial\eta_{\alpha}}{\partial x}$ $- \frac{\partial\phi_{I}}{\partial y}=0$ , at ...
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JAIST Repository: 界面局所構造のナノモデリングに基づく濡れ性接触角の第一原理電子状態計算評価
... そのアンサンブル平均を取ることで、実験値に近い接触角の算定結果が得られた。本研究では 構造モデリングの検証に加えて、第一原理計算手法自体のアーティファクト要因について検証 した結果、特に、交換相関汎関数への依存性が大きく、第一原理計算における他の電子物性算 ...
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ZnOナノ構造を用いたCdSe量子ドット増感太陽電池の光電変換特性と界面修飾効果
... QDs の吸着時間に対する光電変換効率の最 適化を行い、構造の違いによる特性の変化を検討した。また、ZnO の表面からの電子移動 の損失（電子トラップ、逆電子移動等）を低減するために、ZnS 層を導入することによる表面 修飾効果を検討した。その結果、ZnO NR,NP 電極ともに吸着時間 8 h ...
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界面・結晶構造制御したITOナノ粒子の液相合成とミスト塗布による透明導電膜作製
... の緩和時間測定から算出された親水性パラメータから、突起を有する ITO ナノ 粒子の方が粒子表面の吸着水の量が多いことが分かった。以上より、粒子表面 形状の制御により、 ITO ナノ粒子の大幅な水分散性の向上に成功した。 第 3 章では、突起を有する ITO ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... MHM 構造における I-V 特性の実験結果と、図 4.9(a)のバンド伝 導および(b)のホッピング伝導を想定したときのショットキー障壁の高さを変数とした I-V 特性の数値計 算結果を示す。ショットキー障壁の高さを ...参照）と、フェルミ・ディラック ...
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アジアでの水災害評価
... • 社会・経済影響評価（洪水・渇水） • 脆弱性モニタリングシステム 特定脆弱地域での影響評価 • ハザード・社会経済影響の対応構造 • 不確実性を含む社会経済影響評価 • ローカル適応への必要情報 ...
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最近の研究から 界面活性剤会合体の非平衡ダイナミクスと界面運動 住野豊 1, 山田悟史 2 3, 長尾道弘 1 東京理科大学理学部応用物理学科, 2 高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所, 3 インディアナ大学物理学科 Nonequilibrium dynamics of surfactan
... PA の初期仕込み 濃度は 20 mmol/L で固定した。また水相の TSAC の初期 仕込み濃度は，bleb 運動が継続的に（~15 h）観察される 20 mmol/L （bleb 条件）と白濁したゲルが生成し運動が停 止する 50 mmol/L（停止条件）を用いた。ここで本研究で は 50 mmol/L ...
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粗い界面成長に対する動的スケーリング則 : 実験 (複雑流体の構造形成と崩壊の数理)
... 菌を培養する寒天培地の作成方法を記す。 まず蒸留水に $\mathrm{N}_{\mathrm{A}}\mathrm{a}\mathrm{C}1$ と $\mathrm{K}{}_{2}\mathrm{H}\mathrm{P}\mathrm{O}_{4}$ を 5 $\mathrm{g}/1$ づつ、 BACTO-PEPTONE (DIFCO Laboratories, Detroit, USA) を 20 ...
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SiC上グラフェン生成と第一原理計算による界面構造の研究
... 表面とグラフェン/SiC 界面の電子構造 3.1. はじめに 第 1 章で説明した通り，SiC 表面熱分解法は，SiC 表面を 1200°C 以上で加熱することに よって SiC 表面上にエピタキシャルグラフェンを生成する手法である．SiC 表面における ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... 文 の 要 旨 研究の目的と意義 本研究では、高濃度 P ドープ n 型ダイヤモンド薄膜の電子輸送機構を明確にするため、導電率の測 定およびホール効果測定を行った。さらに、金属/高濃度 P ドープ n 型ダイヤモンド薄膜界面の電子輸送 機構を明確にし、金属/n 型ダイヤモンド薄膜界面の接触抵抗を低減するため、N ...
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分子線エピタキシー法で作製した極薄Fe/酸化物層構造の界面垂直磁気異方性
... an extra local maximum of DOS in the valence band, due to the hybridization between Fe and C 60 layer. This work showed the possibility of the ultrathin Fe layer to be an e[r] ...
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コスメトロジー研究報告 Vol.24, 2016 図 3 界面不活性性 発現機構の模式図 図 5 界面不活性高分子水溶液に対する添加塩の効果 の模式図 図 4 界面不活性高分子の cmc の添加塩濃度依存性 低分子イオン性界面活性剤と真逆に 上昇傾向を示す 図 6 本研究で用いた ３種のイオン性両親
... スチレンスルホン酸を親水鎖とするジブロックコポリマー である．この水溶液の表面張力は，高分子濃度が増大して も変化せず，純水の値（73 mN/m）のまま一定である．し かし，図に示すように，疎水性色素の可溶化実験により cmcの存在が示され，ある一定以上の濃度で，ミセルが形 ...
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整合界面の構造安定性ならびにミスフィット転位に関する分子動力学的研究
... fs の図 (c) において転位 I がミスフィッ ト転位に接触すると，ほぼ同時に交差すべり面への leading partial が発生し，鏡のよ うに跳ね返る．刃状転位シミュレーション 1 では，後続の転位による拡張転位の圧縮 後，交差すべり面への乗り換えを生じていたのに対し，らせん転位では極めてスムー ...
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磁性流体自由表面解析における界面磁場方程式 (非線形波動現象の構造と力学)
... $D_{\mathrm{r}}=-h_{\mathrm{s}}$ で閉じていて , 繰り返し法で互 いに独立に解くことができる . 右辺第 1 項には , 「下半面の磁極からの外部 磁場による合成場」 $B^{(1)}(z),$ $H^{(1)}(z)$ を与え , 右辺第 2 項では , 特異積分を 行う代わりに , $1/(t’-t)$ ...
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