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量子ドットレーザーの試作

中間バンド型量子ドット太陽電池に向けた多重積層半導体量子ドットのキャリアダイナミクス

中間バンド型量子ドット太陽電池に向けた多重積層半導体量子ドットのキャリアダイナミクス

... Fig.5. PL lifetime of three samples 次に、中間バンドキャリア遷移について調べた . Fig.6 Temperature dependence of Lifetime PL Fig.6 に, 各試料キャリア寿命温度特性結果を示す. d=3.5 nm については他サンプルと比べドット密度が小 ...

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強レーザーパルスを用いた量子状態の超高速高効率操作に成功-フェムト秒2光子ラビ振動の実現-

強レーザーパルスを用いた量子状態の超高速高効率操作に成功-フェムト秒2光子ラビ振動の実現-

... 本手法はヘリウム原子以外 物質状態に対しても広く適用可能であると考えられます。 また, このラビ振動周期は数十フ ェムト秒であることから, 衝突などによってラビ振動が妨げられる前に, 標的とする物質状態 操作を完了させることが可能となります。 したがって, 本手法は室温における物質に対しても適 ...

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最先端量子ドット技術でマウス生体内の脂肪由来幹細胞イメージングを実現 ~ディスプレイ・太陽電池技術を再生医療に応用展開~

最先端量子ドット技術でマウス生体内の脂肪由来幹細胞イメージングを実現 ~ディスプレイ・太陽電池技術を再生医療に応用展開~

... 名古屋大学大学院工学研究科(研究科長:新美智秀)化学・生物工学専攻馬場 嘉信(ば ば よしのぶ)教授、湯川 博(ゆかわ ひろし)特任講師ら研究グループは、同研究科結晶材 料工学専攻鳥本 司(とり もと つかさ)教授研究グ ループ及び、同大学院医学系研究科 (研究科長:高橋雅英)医療技術学専攻石川 哲也(いしかわ てつや)教授研究グループ ...

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移植した幹細胞の高感度イメージングが可能な研究用試薬、幹細胞ラベリング用超低毒性量子ドット「Fluclair™」試薬の開発

移植した幹細胞の高感度イメージングが可能な研究用試薬、幹細胞ラベリング用超低毒性量子ドット「Fluclair™」試薬の開発

... 光純薬工業株式会社 協業 幹細胞 ン 用超低毒性量子 ッ Fluclair TM 試薬 商品化 ま 今回 商品化 量子 ッ Fluclair TM ウ 等 毒性成分 含ま い 従来 量子 ッ 比較 細胞毒性 大 く低減 従来 困難 あ 強い蛍光強度 有 量子 ッ 高濃度 使用 可能 いま ま 発光 ...

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平成 30 年 6 月 21 日 報道機関各位 東北大学多元物質科学研究所 カドミウムや鉛を含まない量子ドット緑色蛍光体を開発 - スーパーハイビジョン放送に適合した広色域ディスプレイに最適 - 発表のポイント カドミウムや鉛を含まない量子ドットで単色性の高い緑色発光を世界で初めて実現した 量子ドッ

平成 30 年 6 月 21 日 報道機関各位 東北大学多元物質科学研究所 カドミウムや鉛を含まない量子ドット緑色蛍光体を開発 - スーパーハイビジョン放送に適合した広色域ディスプレイに最適 - 発表のポイント カドミウムや鉛を含まない量子ドットで単色性の高い緑色発光を世界で初めて実現した 量子ドッ

... 5 場合最も強い光波長は 532nm であ るが、概ね 500~560nm 光が含まれている。このような光強度分布をスペク トルといい、最大強度半分強度でスペクトル幅(図中矢印長さに相 当する)を半値幅(FWHM)という。広色域ディスプレイに用いる蛍光体では、 ...

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表面形態が異なるTiO2電極に吸着したCdSe量子ドットの光吸収と光電変換特性

表面形態が異なるTiO2電極に吸着したCdSe量子ドットの光吸収と光電変換特性

... i 吸収と光電変換特性 近年半導体量子ドット(semiconductor quantum dot, 略して QD)は、大きな光吸収係 数と双極子モーメントを有し、さらに多重励起子生成効果を示すため、次世代太陽電 池における高効率増感剤一つとして注目されている。増感剤はナノ粒子酸化物(今回 は TiO 2 ...

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二二工学博士荒川泰彦氏の 量子ドットとその光素子応用に関する研究 に対する授賞審査要旨電子の量子力学的波長である一〇ナノメートル程度の厚さの半導体薄膜を用いた電子の運動制御の研究は 一九六九年の江崎玲於奈博士による超格子 量子井戸の提案から始まった この研究は 二次元電子系の物理の進展とともに 量子

二二工学博士荒川泰彦氏の 量子ドットとその光素子応用に関する研究 に対する授賞審査要旨電子の量子力学的波長である一〇ナノメートル程度の厚さの半導体薄膜を用いた電子の運動制御の研究は 一九六九年の江崎玲於奈博士による超格子 量子井戸の提案から始まった この研究は 二次元電子系の物理の進展とともに 量子

... 量子井戸レーザー量子ドットレーザー理論研究をさらに進め︑ 閾値電流のみならず︑変調帯域幅や量子雑音など︑他特性も大幅 に向上することを示した︒また︑同氏らは︑強磁場内に量子井戸も しくはバルク半導体レーザーを置き︑電子多次元量子閉じ込め効 ...

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液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人

液相レーザーアブレーションによるナノ粒子生成過程の基礎研究及び新規材料創成への応用 北海道大学大学院工学工学院量子理工学専攻プラズマ応用工学研究室修士 2年竹内将人

... ・常温, ・常温, ・常温, ・常温, 300 気圧でレーザー照射されたターゲット 気圧でレーザー照射されたターゲット 気圧でレーザー照射されたターゲット 気圧でレーザー照射されたターゲット ・レーザー照射領域におけるラマンスペクトル ・レーザー照射領域におけるラマンスペクトル ・レーザー照射領域におけるラマンスペクトル ...

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ケーブル 配管の行き先表示用ラベル レーザープリンター用 ドットプリンター用 熱転写プリンター用 タグラベル シートラベル ブランクラベル / タグラベル 0 ラベル ( セルフラミネートタイプ ) PT フィルム製 (P2) 製 (P) 製 (P) 製 (P) 製 (P) 製 (P5) ポリプロピ

ケーブル 配管の行き先表示用ラベル レーザープリンター用 ドットプリンター用 熱転写プリンター用 タグラベル シートラベル ブランクラベル / タグラベル 0 ラベル ( セルフラミネートタイプ ) PT フィルム製 (P2) 製 (P) 製 (P) 製 (P) 製 (P) 製 (P5) ポリプロピ

... ラベル類代表的な規格UL969は、電気機器などに用いられるラベル 識読性(印刷・印字耐久性)や耐久性(ラベル接着性、耐暴露性など)に 関する規格です。 ラベル及び特定プリンター・印字材料(リボン・トナーなど)・被着体を限定 し、試験評価項目に基づいて認定されます。従って、印字済みラベルを貼付し ...

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教材ドットコムパブリック教材

教材ドットコムパブリック教材

... 履歴:過去にアクセスしたサイトを、サイト毎にまとめて表示してくれる便利な機能。曜 日毎、さらには週毎にまとめてくれる。履歴保存は初期設定では20日、最大99 9日までのばせますが、ハードディスク容量が消費されることに注意!して下さい。 検索:情報収集鍵、検索エンジンを使いこなせるかどうかで情報収集能力に差がでます。 ...

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博士論文 ( 論文題目 ) 量子ドット超格子中間バンド型太陽電池の エネルギー変換特性 平成 29 年 7 月 神戸大学大学院工学研究科 ( 氏名 ) 加田智之

博士論文 ( 論文題目 ) 量子ドット超格子中間バンド型太陽電池の エネルギー変換特性 平成 29 年 7 月 神戸大学大学院工学研究科 ( 氏名 ) 加田智之

... -3 n + -GaAs 層を 150 nm,バッファ層として成長させた.バッファ層成長後,Si ドープ濃度 5×10 17 cm -3 n-GaAs 層を 700 nm 成長させた.p-i-n GaAs SC 試料では,n-GaAs 層成長 後に i-GaAs 層を 2000 nm 成長させた.一方,QD-IBSC 試料では,n-GaAs 層成長後,基 板温度を 550 に保ったまま i-GaAs ...

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グラフェンの量子静電容量

グラフェンの量子静電容量

... 2 基盤上にグラフェンを配置 し 、その両端にソースとドレ イン電極をつける。更にその上を HfO 2 絶縁体膜で覆い、トッ プゲートを配置している。 算する。そして、状態密度積分から電荷量を求め、量子静電容量を計算する。状態密度 ...

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周辺環境制御によるCdSe/ZnS単一量子ドットの光学特性制御-香川大学学術情報リポジトリ

周辺環境制御によるCdSe/ZnS単一量子ドットの光学特性制御-香川大学学術情報リポジトリ

... 過程に対応するか」、「量子ドット 表面欠陥が補修されていることや、添加分子が量子ドットに結合している証拠はある か」 、 「FRET における donor、acceptor 意味」、ナノ材料今後展望、研究目的へ動 ...

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ZnOナノ構造を用いたCdSe量子ドット増感太陽電池の光電変換特性と界面修飾効果

ZnOナノ構造を用いたCdSe量子ドット増感太陽電池の光電変換特性と界面修飾効果

... QDs 吸着時間に対する光電変換効率最 適化を行い、構造違いによる特性変化を検討した。また、ZnO 表面から電子移動 損失(電子トラップ、逆電子移動等)を低減するために、ZnS 層を導入することによる表面 修飾効果を検討した。その結果、ZnO NR,NP 電極ともに吸着時間 8 h で最大変換効率を示 ...

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世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

世界最高面密度の量子ドットの自己形成に成功

... 液滴エピタキシーは、基板結晶と間に格子歪みない量子ドットを自己形成可能な唯一 手法として注目されており、原理的には歪みによる結晶性务化制約を受けず、成長方向 に多数高品質な量子ドット層を近接して配置できる利点がある。そのため、今回開発した ...

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ナノ構造における電子輸送特性 : 量子ドットとグラフェンの数値解析

ナノ構造における電子輸送特性 : 量子ドットとグラフェンの数値解析

... 1.6K 低温下におけるコンダクタン ス測定によって、幅 15nm 程 GNR について、~0.2eV エネルギーギャップが観測され ている。また、エネルギーギャップは GNR チャンネル幅に強く依存し、幅に反比例する ように開くことが実験的に示された。このことは、実験以前に DFT による第一原理計算に よって予測されていた結果 ...

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HEM構造を用いた半導体量子ドットレーザの単一モード発振

HEM構造を用いた半導体量子ドットレーザの単一モード発振

... HEM 構造を用いた半導体量子ドットレーザ単一モード発振 trapezoidal-shaped. (10,11) Therefore, we improved the dry etching process by using Cl 2 /Ar chemicals. The mesa structure by using this dry etching is improved to ...

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金属カルコゲナイド量子ドットを吸着した多孔質TiO2電極の光電変換特性とキャリアダイナミクス

金属カルコゲナイド量子ドットを吸着した多孔質TiO2電極の光電変換特性とキャリアダイナミクス

... 0.1ps~3000ps 範囲まで TG 測定可能な装置系である。光源には CPA2010 チタン サファイアレーザー(clark 社製)を用いた。波長 775nm、パルス幅 150fs、強度 10μJ/pulse、繰り 返し周波数 1kHz である。光源から出射されたレーザーパルスをビームスプリッター(強度比 1:1) で 2 つに分け、片方を波長変換装置(TOPAS : ...

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量子群の旗多様体

量子群の旗多様体

... が定まる . そこで局所化 $S_{w,q}^{-1}A_{q}$ を考えたいであるが , 実は非可換環 局所化に関しては少し問題がある . = 般に , 非可換環 $R$ 積閉集合 $S$ に 関して, 局所化 $S^{-1}R$ を考えることはできないわけではない . ただしこ れは , $S$ が = 般だと , あまり感じよいものではなくて , $S$ が Ore ...

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02-量子力学の復習

02-量子力学の復習

... 4/17 No. 19 Interaction Hamiltonian 相互作用ハミルトニアン Complete Hamiltonian for the interaction of an atom with an electromagnetic field is rather complicated. 電磁場と原子 相互作用に対するハミルトニアン完全な形は複雑 ...

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