薄膜の電子構造と磁化
2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している
... 発生磁界が決まり、最大でも 2.4 テスラ）、 薄膜の種類によっては磁化方向制御が 困難になってきている。 ・局所的な磁界を印加する場合、素子構造が 複雑なため、その製造コストが高く、かつ ...
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コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂
... 薄膜のコバルト層とパラジウム層の界面にて、薄膜の面に垂直な方向に磁石の向きが 揃うメカニズムを明らかにしました。 薄膜界面のコバルトとパラジウムの電子軌道の形を、放射光を用いた磁気分光法（X 線 ...
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多重磁極マグネトロンスパッタ法を用いて作製したFeおよびFe-N系薄膜の磁化特性および表面構造
... 度が低下するためにターゲットのエロージョン領域が減 少し，生産性の低下を招くだけでなく，ターゲットの寿命 が著しく低下する．一方，MMPC-MS法ではFig. 2 に示す ようにターゲット表面の強い水平磁束密度によりエロー ジョン領域が拡大し，効率良く薄膜を作製することができ る．窒素混入により，MMPC-MSおよびCMS法ともに堆 ...
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垂直磁化型 MRAM 用高スピン偏極率フルホイスラー合金薄膜の開発 東京工業大学工学院 高村陽太 東京都目黒区大岡山 Development of highly spin-polarized full-heusler alloy thin films for perpendicular
... ていることがわかった．CFS の表面の酸化や，酸 素終端などにより，界面においても膜中と同程度 の MgO が形成されたと考えられる．酸素欠損が少 ない MgO/CFS 界面の形成により，Fe-O 結合の割 合が増加し，垂直磁気異方性が誘起されたと考え られる． ...
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トポロジカル結晶絶縁体SnTeに遷移元素を添加した磁性混晶の作製と磁化特性
... SnTe の薄膜 成長において、トポロジカル表面状態の観測のための必須条件となる平坦な表面を得るという目 的のため、GaAs 基板上に作製した CdTe テンプレートを SnTe 成長の基板として用いるという新 しい手法が提案され、従来用いられてきた BaF 2 ...
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電子構造研究系 分子研リポート2000 | 分子科学研究所
... π 電子系を持つ電子吸引性又は電子供与性の有機化合物と遷移金属原子とを１次元、 ２次元、 或いは３次元的に交 互に並べると、 強いπ -ｄ相互作用によって極めて伝導性が高く、 且つ、 金属原子上にスピンが並んだ高スピンクラ スター分子が出来る。 クラスター分子は、 それが単一分子である限り、 パウリの原理に従い、 ...
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ナノ構造熱電材料開発 －多重薄膜によるナノ構造制御の検討－
... 率が支配的であると見なせる。そのため、図5に示す熱伝 導率は、ナノ粒子の粒径により格子熱伝導率が制御された 結果であると理解される。 最後に、本研究開発で作製した試料のゼーベック係数の 導電率依存性について言及する（図6）。キャリヤ輸送に関 する原理式によれば、フェルミ準位近傍の電子構造に著し ...
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目次 目次 第 1 章序論 1.1 背景 1.2 目的参考文献 第 2 章カーボンナノチューブ (Carbon Nanotube: CNT) 2.1 カーボンナノチューブとは 2.2 CNT の歴史 2.3 CNT の構造 2.4 CNT の電子状態 グラフェンシートの電子構造 2.4.
... CNT の直径は触媒微粒子の大きさによって決まる。熱 CVD 法では触媒 微粒子大きさが十分小さい時に SWNT が得られる。そのため、触媒微粒子の凝 集が起こらないような担持方法の工夫や反応ガスの選択が重要である。Fe/Mo などの金属微粒子をアルミナやシリカなどに担持して、 CH4 ガスを使用し 900 °C ...
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第2章 スパッタ堆積条件と薄膜微細構造
... HCP 構造で 成長することになる。Co は<00.1>方向に磁化容易軸を有するため、垂直記録媒体として用いるためには基 板面に平行に ...HCP 構造を有する 材料を用いることが適当と考えられる。Ti 系薄膜が Co-Cr 系垂直記録薄膜の下地層としてこれまで多く用 いられてきたのは、この理由による。 ...
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電子構造研究系 分子研リポート2003 | 分子科学研究所
... とが観測された。 これを， “ C arbon-skinned F e nanocrystals” と呼んでいる。 即ち， 核の金属結晶部分と皮のグラファイ ト部分が化学結合によって繋がった， １分子となっているのである。 従って， 空気中で酸化されず， 極めて安定な炭 素の皮を持った鉄ナノ結晶が得られたことになる。 ...
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Cu(001)基板上鉄窒化物原子層膜の電子・磁気構造の研究
... 氏名 髙橋 文雄 鉄窒化物は、組成比で鉄が多い相において高い磁気異方性や大きな飽和磁化などの 優れた強磁性的性質を示すことが知られている[1]。レアメタルフリーかつ高性能な磁 石材料としての応用研究にくわえ、窒化物形成による Fe 原子の電子状態変調と系の ...
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チュートリアル薄膜材料デバイス研究会の研究集会では 初学者への教育と研究集会をより深く理解する目的で 研究集会に先立って チュートリアルを実施している 今回は 期待デバイスの徹底理解 と題して 2 人の講演者をお招きした まず 名古屋大学の宮崎誠一先生に ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発 -
... DRAM の 基本構造であるトレンチキャパシタ構造の発 明者として著名である。数々の表彰に加え 2006 年には、 “For pioneering contributions to dynamic random access memory (DRAM)cell structures and ...DRAM 構造の変遷を振り返りつつ、 ...
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2. スパッタ法を用いた Nb ドープ PZT 薄膜 1-12) 2.1 Nb ドープ PZT 薄膜 PZT はペロブスカイト型構造を持つ複合酸化物であり Pb(Zr xti 1-x)O 3 の化学式で表わされ Fig. 1 に示す構造で ある A サイトに Pb 2+ イオン B サイトに Zr
... 3 の化学式で表わされ，Fig. 1に示す構造で ある。AサイトにPb 2＋ イオン，BサイトにZr 4＋ イオンもし くはTi 4＋ イオンが配置される。キュリー点以下において， BサイトイオンであるTi 4＋ ，Zr 4＋ が結晶中心からシフトす ることによって自発分極を生じており，これらのイオンが 外部電界に対して変位応答することで強誘電性および圧電 ...
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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究
... 半導体技術を基盤とする電子・光デバイスは 20 世紀後半から、大きく発展し我々の生活に より便利に快適に変えてきた。これらの電子・光デバイスは、現在ではその恩恵を受けずに生活 することが困難な状況であり、我々の生活スタイルをも変えてきている。また、近年、地球環境 ...
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内殻励起分光による遷移金属Fe，Co，Ni水素化物の電子状態と局所構造に関する研究
... Mg2Ni と Mg2NiH4 は、水素の吸収、放出により可逆的に遷移する。これを利用して調光ミラーへの応用 が期待されている。水素の高速な吸収、放出は表面からの浅い層に限定されるため、膜厚は 50 nm 程度 が望ましい。一方、Ｘ線の吸収量を考えると、10 µm ...
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電子構造研究系 分子研リポート1999 | 分子科学研究所
... b) イオン化検出赤外分光法は独自に開発した高感度赤外分光法であり波長可変赤外レーザーで生じる振動励起分子 を紫外レーザーで選択的にイオン化して検出する二重共鳴分光法である。 赤外遷移をイオン検出すること及びバッ クグラウンドフリーであることから極めて高い検出感度を有し， 試料濃度が希薄な超音速ジェット中で吸収係数 が極めて小さな高次倍音を明瞭に観測できる。この方法により孤立極低温状態のフェノール分子の OH ...
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電子構造研究系 分子研リポート1998 | 分子科学研究所
... を紫外レーザーで選択的にイオン化して検出する二重共鳴分光法である。 赤外遷移をイオン検出すること及びバッ クグラウンドフリーであることから極めて高い検出感度を有し， 試料濃度が希薄な超音速ジェット中で吸収係数 が極めて小さな高次倍音を明瞭に観測できる。 この方法により孤立極低温フェノール分子の OH， C H 伸縮振動を ４量子準位まで観測することに成功した。さらに OH ...
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薄膜形成技術
... (3) プロセス転換状況からみた動向 事例としてはまだ少ないが、ゾル−ゲル法の実用化が進んでいることに注目する。分子エ レクトロニクス材料として注目されている各種有機機能性材料とのハイブリッド化が容易で、 かつ低温プロセスで薄膜形成可能であることから、今後とも実用化に向けた技術開発が進ん ...
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エピタキシャル薄膜研究の広がり ( 私見 ) エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じで格子定数が近いグループ 例 Si ホモエピ Diamond 型 エピ膜と基板結晶の結晶構造が同じであるが 格子不整合の程度が大きいグループ 例 Ⅳ-Ⅳ 族 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導体 Diamond 型 Zincblende
... 27 入射 X 線に含まれる波長のチェック ★ CuK α 1 線の位置より少し低角度側（短波長側）に肩のようなものが現れることがあります。この波長の X 線は「 K 衛 星線（サテライト）」または、「非図表線」と呼ばれています。電子を原子に衝突させたときに生ずる電子孔は、ふつう ...
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図 2 In0.9Ni0.1TaOx NiOx ( 空孔 ) のない安定な多元系酸化物半導体が得られていること,4) X 線回折結晶構造解析と透過電子顕微鏡観察により, InTaO 4 のウォルフラマイト型結晶構造の薄膜もしくは単結晶 1 次粒子が得られていること, 以上を評価することで,PLA 法
... Torr の 場合は， 3.5-4.0 eV に急激な光吸収の立ち上がりがあり，NiO x が酸化物半導体薄膜として形成された結果，バンド端吸収を 示したものと考えられる．この評価から決定される半導体 NiO x のバンドギャップ幅は，すでに報告されている文献値と 一致する 8-9) ．全圧 ...
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