縮退半導体であること
ばよい 事実, これまで実用化された熱電材料は, すべて高移動度でマルチバレーを持つ縮退半導体である 最後に,3 つ目のパラメタである熱伝導率を最小にしよう 良く知られているように, 熱はフォノン ( 格子振動 ) とキャリアの両方によって伝えられる 10 5 から 10 6 m -3 程度のキャリ
... とが，材料開発の魅力になっている。実際，この小文 で紹介しただけでも，ラットリング，準結晶，擬ギャ ップ系，層状構造，遷移金属の磁性などさまざまな材 料指針が提案されている。そもそも，熱起電力は（抵 抗率やホール効果に比べると）あまり調べられていな い物理量であり，まだまだ高機能な熱電材料が眠って いるかも知れない。本稿の読者諸兄が熱電材料という 機能性材料に興味を持ち，それぞれ好みのアプローチ ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の 注入キャリヤー密度は中央部に比べて尐ない。その結果、中央部の高い注入キャリヤー密度によって ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。 • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用することはできません。 • 本資料に掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うもの ...
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半導体工学の試験範囲
... 問 37 p 領域のアクセプタ密度 N a 、 ｎ 領域のドナー密度 N d の階段型の pn 接合に関する以下の設問に答 えよ。ただし、空乏層内の電荷はイオン化したアクセプタとドナーのみとし、 p および n 領域の厚さは 十分大きく、空乏層外の p 領域、 n 領域では電界は無視でき、アクセプタとドナーはすべてイオン化し ているものとする。また、座標は、接合面を x=0 とし、 n 領域を x の正方向とする。電位は ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... SiC製パワー素子であれば、Siよりも許容温度が高いの で、 「時速70kmでも回生ブレーキで済むはず。これによ り、回生で得られる電力が2倍になる」 （三菱電機）。 続いて、SiC製パワー素子の採用で、 （3）に挙げたモー タでの損失低減にも寄与する。例えば誘導モータの場合、 ...
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たりができない人たちでもある 地図に発病の順番をプロットすることにより 水俣病は伝染病ではなく 水俣湾内の魚が原因であることがわかった 足と紙とペンによって 解明できるものもあるということである このときに原因を突き詰めていれば水俣病は広がらなかったのではないかと思う 今となっては 反省点である (
... （熊大研究班） 熊大研究班は、3 年半かかり水俣病の原因が有機水銀中毒であることを突き止め た。チッソがアセトアルデヒドを作っていることを熊大の医学者は知らなかったた め、原因究明にこのように時間を要した。チッソの研究者であれば、その事実を知 っていたはずであり、もっと早くに原因究明ができたのではないかと思う。しかし、 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 「今やこの産業も他の一般の製造業と同じく、徹底した効率向上のみがコスト削減、つまり利 潤の増大の Key となってきたのである。それには半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部にその動きも出始めている。」（ＳＴＲＪ（２００２）） 本論の目的は、以上の現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... THK、空圧制御の SMC、CKD など、工作機械メーカーの数倍の成長を遂げた要素機器メ ーカーがあり、今回も工作機械メーカー以上に重要要素機器企業に恩恵がある図式は変わ らない。この面で、工作機械メーカーに対する投資判断は特徴ある機械を持ち、EV 対応、 精密技術を生かし多角化できるかなどが重要。投資対象として放電加工機のソディック、西 部電機、2 ...
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半導体試験・測定システム
... 第５章 提言 第１節 日本の課題分析 １．特許動向分析 第２−２図の解析から日本国籍の出願件数は、対米国で 994 件、対欧州で 373 件で あり、欧米国籍からの出願件数の約２倍の値である。また第２−４図、第２−６図、 第２−８図の解析から、中国、韓国、台湾に対する日本国籍の出願件数は、それぞれ 111 件、399 件、224 ...
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通信用半導体レーザの開発
... これらの知見は、その後の高速デバイス開発における、 COD 耐性の向上などにも生かされている。 3 − 3 分布帰還型半導体レーザ トラフィックの増 大とともに、地域網においても、WDM の導入が進展した。 ここでは、波長間隔を 20nm と粗くすることで、温調装置 なしでも隣接するチャネル間の相互の影響をなくすことが ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... 光電子増倍管の応用 • スーパーカミオカンデ では、地球に大量に飛んでき ている ニュートリノ をとらえる研究をしている。 • ニュートリノが水槽を通過する時、水の中の電気を 帯びた粒子にぶつかることがあり、このとき微かな 光を放つ。この光を チェレンコフ光 と言う。陽子崩壊 の時にもチェレンコフ光が発生する。スーパーカミ オカンデではこのチェレンコフ光を監視している。 • ...
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DSpace at My University: 大学教育の新次元 ： 短期「大学」であるということ
... 基準委員会のうちの 3 回を短期大学の「哲学的教育史的意義に関する論議」 4） に費やした と述べており、日本の高等教育全体が新しい転換を遂げて行くための、いわば先駆けとし て、短期大学が期待されていたことが窺える。 さらに、三隅氏は、「一方では、中等教育と高等教育とのあいだの溝を埋め、他方にお いては高等教育の大衆化と地域社会化との役割を果たし、さらに教育制度の単線化をねら ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 241 で終わっている。また、最後の 16 行目は 16 で 始まり 1 で終わっている。今回提案したアルゴリズムは、魔方陣の配列の番号と一致した ミスマッチの順番と対応させている。つまり、魔方陣の 256 には、一番大きなミスマッチ をもった電流源となるわけである。 8 行目付近の魔方陣の配列は、120 前後の配列番号とな ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 術 で あ り 、 半 導 体 製 造 メ ー カ 自 身 が 公 表 し な い 限 り 、 外 部 か ら そ の 内 容 を 知 る こ と は で き な い 。 製 造 物 そ の も の を 見 て も 、 ど の よ う な 管 理 技 術 が 使 わ れ て い る か を 判 定 す る の は 難 し い 。 そ の 点 で は 、 学 会 で 技 術 を 発 ...
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半導体設計支援（EDA）技術
... は社内で独自の ED A ツールを開発し、それを用いて社内向け半導体や外販用半導体を設計し ていた。それらのツールやノウハウを ASI C 設計に活用できたことは、半導体メーカにとって もセットメーカにとっても大きな利点だった。 しかし、米国を中心に ED A 産業が成長し、ED A ベンダの供給するツールが業界標準となる ...
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「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... 885nm 帯の LD スタックを開発することで、固体レーザーの高効率化と高性能化を図り、大出力 レーザーの開発を進めます。 実験では、共振に最適設計した VBG を用いて、LD の駆動電流が 100A の時、合波した LD スタックのスペクトル幅が 2.59 nm から 0.31 nm （8.4 分の 1）に減少し、出力効率は 80.4% でピークパワーは 581W ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... 1 インチのバルク AlN 結晶作製を目指して Al 2 O 3 の炭素熱還元窒化挙動について検討し， ZrO 2 を添加すると Al 2 O 3 の蒸発速度が飛躍的に増大することを明らかにした．この現象を 利用して， Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを原料として用いた新しい昇華再結晶法を開発した． 高周波誘導加熱炉内に Al 2 O 3 -ZrO 2 -C 混合ペレットを設置し，2173 K ...
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SiC半導体
... 6H-SiC のホモエピタキシャル成長方法について以下 に記す。6H-SiCは現状，基板としての供給が十分でな いことから，6H-SiCインゴットもしくはアチソン結晶 を基板状に加工し，鏡面仕上げを行う必要がある。研 磨による鏡面仕上げの後では，基板表面は顕微鏡観察 により傷等の観られないことを確認している。その後， 研磨ダメ−ジの除去を行うため反応性イオンエッチン ...
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