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線(電子線)を

JAIST Repository: H-7650透過電子顕微鏡を用いた電子線トモグラフィー

JAIST Repository: H-7650透過電子顕微鏡を用いた電子線トモグラフィー

... X コンピュータートモグラフィー(CT)が、患者あ らゆる方向から X 撮影し、得られた投影写真コンピューター処理することによって、患者の体内の様子 任意の断層面で映像化するなどして、3次元的に把握すること可能にする手法であるのと、基本的な原 理は同様である。しかし X CT ...

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42 コバルト 60 のガンマ線 (1.17 MeV および 1.33 MeV) はセシウム 137(0.66MeV) に比べて透過力が大きいため, 大線量を要する商業用ガンマ線照射施設のほとんどで線源として用いられている 電子線照射は, 電子加速装置から発生される電子を用いる 単位時間当たりの線量

42 コバルト 60 のガンマ線 (1.17 MeV および 1.33 MeV) はセシウム 137(0.66MeV) に比べて透過力が大きいため, 大線量を要する商業用ガンマ線照射施設のほとんどで線源として用いられている 電子線照射は, 電子加速装置から発生される電子を用いる 単位時間当たりの線量

... そこで,2-ACBs 高感度に検出するため高分解能質量分析装置(HRMS)用 い,ナツメグおよびカシューナッツについて 2-ACBs の天然存在の真偽確認し た。図 10 に天然非照射ナツメグの GC-HRMS クロマトグラムの例示す。HRMS 用いることで,シクロブタノンに特徴的な定量イオンと確認イオンの精密質量 ...

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電子の永久電気双極子能率探索のためのFr原子線の開発

電子の永久電気双極子能率探索のためのFr原子線の開発

... EDM 増幅して観測する事が可能であれば,測定感度向上する 事が実現できる.また,中性でない粒子測定しようとした場合,外部電場印加すると その粒子が加速されてしまうため測定が難しくなる.その為,中性原子に電場印加する ことでその内部にある荷電粒子の EDM 観測する方法が考えられた.この方法は当初, ...

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JAIST Repository: 粒子線がん治療技術の普及戦略 : 陽子線技術と重粒子線技術の正当化戦略

JAIST Repository: 粒子線がん治療技術の普及戦略 : 陽子線技術と重粒子線技術の正当化戦略

... た。これは陽子技術の重粒子技術に対する技術的および医療経済的劣位目立たせないために,重粒子 1 荷電粒子技術のがん治療は 1970 年代始めにアメリカにて開始され,1992 年には米国ロマリンダ大学の陽子治療 専門施設が完成し,以降陽子治療が粒子治療の本丸と米国では位置づけられた。この結果,重粒子治療の研究は ...

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子によって非弾性的に散乱された場合, 電子が失ったエネルギーがX 線という電磁波の形で放出される この過程を制動輻射と呼び, 発生するX 線は連続スペクトルを示すために連続 X 線あるいは白色 X 線と呼ばれる この場合, 連続 X 線の発生量は物質の対陰極物質の原子番号が大きいほど大きくなる 一方

子によって非弾性的に散乱された場合, 電子が失ったエネルギーがX 線という電磁波の形で放出される この過程を制動輻射と呼び, 発生するX 線は連続スペクトルを示すために連続 X 線あるいは白色 X 線と呼ばれる この場合, 連続 X 線の発生量は物質の対陰極物質の原子番号が大きいほど大きくなる 一方

... α2 区別せずにK α と表示していたものもK−L 2,3 と表示している。この新しい表示方法は特性X の発生に関与する軌道がわかりやすい利点があり,今後はこれ使用すべきである。しかしながら,本実 験では使用されているチャート集は旧表示法のものであり,また現在でもそれが多用されていることから本 書では旧表示法用いる。 ...

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X 線自由電子レーザー励起内殻電子励起レーザーにおけるスペクトル制御の研究 舛谷立春主任指導教員 : 米田仁紀指導教員 : 白川晃 1. 序論近年 自由電子レーザー技術の発達により X 線自由電子レーザー (XFEL)[1,2] が開発され 実用化された これはオングストロームの短波

X 線自由電子レーザー励起内殻電子励起レーザーにおけるスペクトル制御の研究 舛谷立春主任指導教員 : 米田仁紀指導教員 : 白川晃 1. 序論近年 自由電子レーザー技術の発達により X 線自由電子レーザー (XFEL)[1,2] が開発され 実用化された これはオングストロームの短波

... X 生 成させ、その集光部にターゲット物質置くことで、 そのレーザー発振特性測定している。ターゲット元 素として銅選択し、構造、結晶状態の異なるターゲ ット製作し、発振実験行った。またシード化され た XFEL 励起 Kα レーザーでは、良質なコヒーレ ント X ...

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放射線とは 物質を通過する高速の粒子 高いエネルギーの電磁波高いエネルギの電磁波 アルファ (α) 線 ヘリウムと同じ原子核の流れ薄い紙 1 枚程度で遮ることができるが エネルギーは高い ベータ (β) 線 電子の流れ薄いアルミニウム板で遮ることができる ガンマ (γ) 線 / エックス (X) 線

放射線とは 物質を通過する高速の粒子 高いエネルギーの電磁波高いエネルギの電磁波 アルファ (α) 線 ヘリウムと同じ原子核の流れ薄い紙 1 枚程度で遮ることができるが エネルギーは高い ベータ (β) 線 電子の流れ薄いアルミニウム板で遮ることができる ガンマ (γ) 線 / エックス (X) 線

... 放射能と人体影響の単位 ■「放射能の強さ」の単位は「ベクレル」 ■「人体影響レベル」の単位は「シーベルト」 ■ベクレルとシーベルトつなぐ「実効線量係数」 ■ベクレルとシ ベルトつなぐ「実効線量係数」 ...

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角度分解光電子分光による点および線ノードトポロジカル半金属の研究

角度分解光電子分光による点および線ノードトポロジカル半金属の研究

... eV 励起光として⽤いた際の 𝐸 P 上の ARPES 強度プロット第 ⼀原理計算によって予想されるフェルミ⾯(⻘)とともに⽰す。実験的に観測されたフェル ミ⾯は理論計算による予測より⼩さい。また、R 点通る cut A で⾼分解能測定⾏った際 の ARPES 強度と 2 階微分強度プロット第⼀原理計算によるバンド分散構造とともに図 ...

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【資料1-1】大型放射光施設(SPring-8)/X線自由電子レーザー施設(SACLA)の概要_1

【資料1-1】大型放射光施設(SPring-8)/X線自由電子レーザー施設(SACLA)の概要_1

... • 放射光利用の裾野拡大 現状では潜在ユーザーの半分程度が利用出来ない状況 (ライフ /マテリアル・サイエンスの先端研究は、均一系から、ランダム系・ハイブ リッド系へ進化が加速) ...

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データ線 データ線 データ線 データ線 Vcc ワード線 Vcc ワード線 P-MOSFET 図 2a SRAM メモリ (CMOS プロセス 負荷抵抗 図 2b SRAM メモ (NMOS プロセスに Vss Vss 図 2a SRAM メモリセル回路例 (CMOS プロセスによる 6MOS 構成

データ線 データ線 データ線 データ線 Vcc ワード線 Vcc ワード線 P-MOSFET 図 2a SRAM メモリ (CMOS プロセス 負荷抵抗 図 2b SRAM メモ (NMOS プロセスに Vss Vss 図 2a SRAM メモリセル回路例 (CMOS プロセスによる 6MOS 構成

... インテルは、このシリコンゲート型 MOS プロセス量 産プロセスとして立ち上げるまでの期間に1年要してい る。このため、当初の半導体メモリプロセスとして、バイポー ラと MOS の2つのプロセス並行開発することになる。 この並行開発はシリコンゲートプロセスが未完であるだけ でなく、MOS プロセスそのものに完全な自信持てなかっ たためでもある。安定した MOS ...

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電子線リソグラフィによるSiナノワイヤバイオセンサの作製と検出感度の不純物依存性評価

電子線リソグラフィによるSiナノワイヤバイオセンサの作製と検出感度の不純物依存性評価

... 2 1.2. Si ナノワイヤセンサの検出原理 SiNW センサの構造としては、2 つの電極の間に半導体チャネルとしての機能もつ Si のナノワイヤが架橋されている。その電極間に架橋された SiNW に生体分子が付着 することにより電流変化が起き、検出可能とする。図 1.1 に模式図示す。また、図 1.2 は 1 本の SiNW ...

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このマニュアルで 使 われている 用 語 このマニュアルでは 一 部 の 表 記 を 除 いて 以 下 の 用 語 を 使 用 しています 用 語 意 味 本 製 品 11n/11g/11b 無 線 LANルータ 無 線 AP 無 線 親 機 無 線 LAN 子 機 有 線 クライアント 無 線 L

このマニュアルで 使 われている 用 語 このマニュアルでは 一 部 の 表 記 を 除 いて 以 下 の 用 語 を 使 用 しています 用 語 意 味 本 製 品 11n/11g/11b 無 線 LANルータ 無 線 AP 無 線 親 機 無 線 LAN 子 機 有 線 クライアント 無 線 L

... 無線LANご使用になるにあたってのご注意 ●無線LANは無線によりデータ送受信するため盗聴や不正なアクセス受ける恐れがあ ります。無線LANご使用になるにあたってはその危険性十分に理解したうえ、デー タの安全確保するためセキュリティ設定おこなってください。また、個人データな ...

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seino jps2018spring X線自由電子レーザー施設SACLAにおける高強度レーザーを用いた真空回折の探索

seino jps2018spring X線自由電子レーザー施設SACLAにおける高強度レーザーを用いた真空回折の探索

... まとめ ・局所的な高強度電磁場は、伝播する光に回折引き起こす これは真空回折と呼ばれる、Strong-Field QEDでの現象だが未検証 ・本実験では高強度電磁場500 TWレーザーで生成し、 ...

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食品安全委員会事務局林亜紀子 1 2 物質を 過する の 子 いエ ル ーの電磁波 α 線 β 線 γ 線 X 線 ガンマ (γ) 線 / エックス (X) 線ガンマ線はエックス線と同様の電磁波物質を透過する力がアルファ線やベータ線に比べて強いベータ (β) 線電子の流れ薄いアルミニウム板で遮ること

食品安全委員会事務局林亜紀子 1 2 物質を 過する の 子 いエ ル ーの電磁波 α 線 β 線 γ 線 X 線 ガンマ (γ) 線 / エックス (X) 線ガンマ線はエックス線と同様の電磁波物質を透過する力がアルファ線やベータ線に比べて強いベータ (β) 線電子の流れ薄いアルミニウム板で遮ること

... TDIに��する量のウラン1�間摂取した��の推定放射線量 体重60 kgとした��、��のウランの存在度と���体の線量��係数 用いて放射線量��もると、実�線量として�0.00�mSv /�に�� したがって、ウランの毒性は化学物質としての毒性がより鋭敏に出るものと 考えられた ...

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放射線の種類 電離放射線とは : 物質との相互作用の主要モードが電離である所の放射線電離とは : 電気的に中性の原子が外からエネルギーが与えられて 陽子イオンと自由電子に分離すること ( 間接電離放射線 ) 電離能力の有無 放射線の種類のまとめ 電離放射線 ( エックス線 γ 線 β 線 電子線 陽

放射線の種類 電離放射線とは : 物質との相互作用の主要モードが電離である所の放射線電離とは : 電気的に中性の原子が外からエネルギーが与えられて 陽子イオンと自由電子に分離すること ( 間接電離放射線 ) 電離能力の有無 放射線の種類のまとめ 電離放射線 ( エックス線 γ 線 β 線 電子線 陽

... ・死まで至らない細胞が回復 ・細胞が増殖しにくい環境与えると回復に余 裕ができ生存率が上昇 組織・器官 ・細胞損傷 細胞数の減少により幹細胞増殖が起き回復 修復:DNA・細胞内構造のレベルでの損傷が治される現象 回復:細胞・組織以上のレベルでの機能障害が治される現象 ...

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参考資料 3 放射性物質の分析方法について 1. 放射線の種類放射線とは 荷電粒子 (α 線 陽子 重イオン等 ) 電子(β 線 ) 中性子等からなる高エネルギー粒子線と γ 線や X 線の波長の短い電磁波を総称したものである 一般には 物質を通過する際にその相互作用により物質を直接あるいは間接に電

参考資料 3 放射性物質の分析方法について 1. 放射線の種類放射線とは 荷電粒子 (α 線 陽子 重イオン等 ) 電子(β 線 ) 中性子等からなる高エネルギー粒子線と γ 線や X 線の波長の短い電磁波を総称したものである 一般には 物質を通過する際にその相互作用により物質を直接あるいは間接に電

... (2) 測定方法 通常は、固体シンチレータ(放射線があたると蛍光発する性質持つもの)の一種であ る NaI 用いてγ線の放射検出する NaI シンチレーションサーベイメータ使用する。 また、放射線の放出源からの距離や放出源の大きさで検出されるγ線量が異なるので(点 源の場合、線量は距離の二乗に反比例する)、対象の物質に含まれる放射性物質の量への換算 ...

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JAIST Repository: XPS (X線光電子分光) を用いた依頼測定事例

JAIST Repository: XPS (X線光電子分光) を用いた依頼測定事例

... Japan Advanced Institute of Science and Technology JAIST Repository https://dspace.jaist.ac.jp/ Title XPS (X線光電子分光) を用いた依頼測定事例 Author(s) 伊藤, 暢晃 Citation 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学技術サービ ス部業務報告集 [r] ...

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電子線照射による金属表面ナノ構造の自己組織化

電子線照射による金属表面ナノ構造の自己組織化

... した TEM 像図3に示す。黒矢印で示すように電子の入射方位に沿って伸びる像が観察 される。像の幅は 1-2nm であり、長さは数 10nmに達しておりアスペクト比の非常に大き な形状している。これは、電子の出射面側から成長したナノホールであることがステ レオ観察からわかった。灰色で観察されるhと表示された像はヒロック(小丘)である。 ...

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東京大学宇宙線研究所 宇宙線研究所電子計算機システム 利用の手引 版

東京大学宇宙線研究所 宇宙線研究所電子計算機システム 利用の手引 版

... Intel Compiler の環境設定ファイルは/etc/skel.sample 以下に格納されています。ユーザ各自で環境設定 ファイルへのパス設定してください。 利用毎に環境設定ファイル読み込むことも可能です。 ※利用毎に環境設定ファイル設定する場合、バッチスクリプトに環境設定ファイル設定する記述が必 ...

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SPring-8 ビームラインBL46XU における硬X 線光電子分光(HAXPES)

SPring-8 ビームラインBL46XU における硬X 線光電子分光(HAXPES)

... 堆積しアニールしてもシリケート成分が観測されず, HfO 2 /Si 界面コントロールする中間層としては,ア ニールに対して安定な SiON の方が SiO 2 よりも特性 が良いと結論付けた.その他にも,HAXPES による 積層型無機デバイスに関する分析事例が多数報告さ れている.例えば小林による総説[6]の 5.2.1 節,及 びそこで引用されている文献参照されたい. ...

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