結晶の特性
SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究
... （論文内容の要旨） 本論文は、 SiC（炭化珪素）半導体結晶中に存在する欠陥が電力用ショットキー障壁ダ イオードの特性に与える影響の体系化に加えて、ダイオードの高性能化に関する基礎研究 をまとめたもので、 6章からなる。 ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... テトラジマイト型 Bi 系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究 主 査 筑波大学教授 理学博士 門脇 和男 副 査 筑波大学教授 理学博士 黒田 眞司 副 査 物質・材料研究機構主幹研究員 工学博士 茂筑 高士 副 査 筑波大学教授 工学博士 重川 秀実 ...
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近赤外線反射特性に優れたZnFe₂O₄結晶の調製
... 化石燃料の消費に伴う大気中の二酸化炭素濃度増加による温暖化に加えて，人工排熱量の増加，日射によって温めら れた建造物の輻射に起因する都市の気温が周辺に比べて高くなる「ヒートアイランド現象」が顕在化している。太陽 光を反射し易い白色系塗料や建築材料を使用すれば建造物の蓄熱を抑制できるが，反射光により近隣住民の快適な生 ...
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トポロジカル結晶絶縁体SnTeに遷移元素を添加した磁性混晶の作製と磁化特性
... 文 の 要 旨 本論文は、トポロジカル結晶絶縁体 SnTe に遷移元素 Mn を添加した磁性混晶および Fe との接 合構造に関する著者の研究成果を纏めたものである。本研究の対象物質である SnTe はトポロジカ ル結晶絶縁体に分類され、従来のトポロジカル絶縁体における時間反転対称性に代わって結晶の ...
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BiS₂系層状化合物の超伝導特性と結晶構造の相関に関する研究
... 17 図1.14 REO1-xF x BiS2におけるTcのRE依存性 1.6 本研究の目的 2012年に発見されたBiS2系層状化合物は、超伝導特性と結晶構造に強い相関があることが 報告されており、バンド計算からはバンド構造はキャリア濃度および局所的な結晶構造に 強く依存することが示唆されている。また、BiS2系層状化合物は銅酸化物高温超伝導体およ ...
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微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 第6章では、上記の成果を総括として、金属結晶粒成長機構を明らかにし、単結晶金属薄 膜の転写技術と構造作製からナノ光学におけるSP共鳴の高性能化を明らかにした結論が導 かれている。 本学位論文を構成する主論文は4編で、いずれも申請者が筆頭著者である。学術雑誌は、 Scientific Reports、Applied Physics Letters、Applied ...
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欠陥修復した酸化グラフェンから優れた電気特性をもつバンド伝導の観察に成功 ～高結晶性グラフェン薄膜のスケーラブル製造への道筋を開拓～
... 一方、酸化グラフェンは親水性のため水によく分散させることができるので、その水溶液を基板上に滴下して水分を 飛ばし還元するだけで、容易に厚さ 1-3 層分の薄いグラフェン薄膜を形成させることが可能となります（図 2(b)）。その ため、グラフェンを大量に合成する原料として、酸化グラフェンの合成法や還元法が世界中で研究されています。 ...
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微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... の誘電率は、Drude-Lorentzモデルで表現し、SiO 2 基板の屈折率には1.458と1.521の2 種類、PETフィルムの屈折率には1.600を用いて計算した。構造周辺の屈折率は1.000 とした。解析空間における境界条件には、Berengerの吸収境界条件（PML）と周期境 界条件を採用した。空間メッシュ間隔は、⊿x = ⊿z = 2 nm, ...
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博士学位論文 4H-SiC バイポーラデバイスにおける 結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究 中山浩二 2013 年 1 月 大阪大学大学院工学研究科
... 一方、インバータなどのパワーエレクトロニクス機器に、ダイオードを適用する場合は、 定常損失とスイッチング損失の和で表される電力損失で評価しなければならない。ダイオ ードのスイッチング損失は、主に逆回復損失で表される。一般に、4H-SiC pin ダイオードで は、4H-SiC ショットキーダイオードと比べると、少数キャリアの注入によりドリフト層に ...
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る結晶構造であることから B サイトが Al の代わりに遷移金属からなる CuFeO 2 などでマルチフェロイック特性も含めた 磁性の研究もさかんである [3] 前者の透 明導電体の研究では薄膜材料の研究が中 心であるが 後者の磁性を含む物性研究 ではバルク結晶が用いられてきた 我々の CuTMO
... こ の 物 質 は Cu イオンが 1 価とやや還 元状態にあるため、物 質によってはエピタキ シャル成長が可能な薄 膜作製条件の範囲が狭 いものもあったが、薄 膜成長温度および薄膜 成長時の酸素分圧を細 かくふること（図 3） でエピタキシャル成長 に成功した[4-7]（図 4）。 なお、パルスレーザー 堆 積 法 で 用 い た CuTMO 2 ...
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目次. 目次 第 1 章緒言 1.1. 高分子の結晶化と高分子材料物性 1.2. 添加剤が高分子材料の特性に与える影響 1.3. 本研究の目的 1.4. 本研究において用いる実験手法 1.5. 本論文の構成 1.6. 参考文献 第 2 章ポリ乳酸の結晶化に及ぼす可塑
... PLLA の結晶化が起こった場合, 可塑剤と PLLA 結晶の位置的な情報に関する報 告はほとんど見られない ..., 結晶化に伴う PLLA と可塑剤の位置的な関係の変化を理解することも重要となる. そこで , 本研究では可塑剤の添加が PLLA の結晶化に与える影響について, ...
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屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 2016 屋外環境下における I-V 特性測定方法ガイドライン ( 結晶シリコン太陽電池版 ) 1. 適用範囲この測定方法は 増加する 50kW 未満の太陽光発電所における点検方法の内 接続箱からストリング単位で
... I-V 特性測定が可能となり大幅に測定の機会が増加する。 一方で、700W/m 2 以下の放射照度測定においては、入射角依存性や、分光感度の差異により、放射照度計に よっては測定誤差が大きくなる場合もあることに留意するとともに直列抵抗や、並列抵抗の変化により Pmax へ ...
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テトラジマイト型Bi系トポロジカル絶縁体単結晶の輸送特性と超伝導に関する研究
... 増加に対する物性値の周期的な振動現象として観測される。この振動現象のことを量子振 動と呼び、特に抵抗の量子振動を Shubnikov-de Haas 振動と呼ぶ。なお、これに対し磁化 の量子振動は de Haas-van Alphen 効果と呼ばれる。量子振動の振動周期は、以上のように Fermi ...
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4H-SiCにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究
... 変化があり、その凹凸による電界集中が起こり、局所的にリークパスとなる。実際はエピタキシ ャル膜を形成する際に、前処理として水素清浄化処理を行うが、欠陥部分において KOH に比べれ ば非常に小さいが水素エッチングによる凹凸は観察されている。 ①～③については ESR,STS,エリプソメーター、ラマン分光等で観察する手法はあるが、今回のよう ...
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革新的超硬質材料の創製 ～バインダレス ナノ多結晶ダイヤモンド・ナノ多結晶cBN～
... 2. 開発コンセプトとアプローチ 工具用途に汎用されている焼結ダイヤモンド（以下、 Poly Crystalline diamond ：PCDと記す）や焼結cBN（以下、 Polycrystalline cubic Boron Nitride：PcBNと記す）は、ダイ ヤモンドやcBNの粉末をコバルトなどの金属や硬質セラミッ クスをバインダーとして圧力5-6 GPa、温度1300-1500℃の ...
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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る
... ZnO の結晶薄膜試料が主対象）、何故、励起子光学応答が高感度に観測さ れるか、そして、そのスペクトルをどのように解釈するかについて述べる。例えば、光学スペクトルがブロ ードな場合、誰もが結晶性が悪いと評価するが、それが何故かということには、ある程度の光物性の理論 ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... 放射線性等の特性に対する要求が厳しさを増している。こ の要求に対し、材料物性上の限界を迎えたシリコン（Si） に代わって、炭化シリコン（SiC）を基板としたデバイス が実用化されつつあるが、次々世代の高性能化に向けて、 さらに絶縁破壊電界が大きく高周波動作可能な基板材料の 開発が求められている（図 1）。一方、医療分野における殺 ...
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The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 酸化ガリウム単結晶の光 電子デバイス応用 倉又朗人 1* 飯塚和幸 1 佐々木公平 1 輿
... SIMS のバックグランド以上の範囲では信号は検 出されなかった． Cl のみが 10 16 cm -3 の濃度で有意に観測 された．膜厚 12 μm のエピ膜の I-V および C-V 測定によ る電気特性評価より残留キャリア濃度は 10 13 cm -3 未満で あることが示された．従って Cl はキャリア濃度には影響 ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... 1. はじめに 近年、従来の化石燃料によるエネルギー利用から、環境 にやさしい再生可能エネルギーへの移行が進められてい る。さらには、福島第一原子力発電所の事故をきっかけと して、世界的に原子力発電に対する見直しの動きがあり、 ますます再生可能エネルギーが注目されている。そうした 中で、豊富な太陽エネルギーを利用する太陽光発電に対す ...
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シリコン結晶化過程の分子動力学
... 1.2 シリコンに関する数値計算 半導体産業からの潜在的な基礎研究の需要や物理学的興味を背景に，シリコンに関する研究に は膨大な資源が注がれてきた．それらの研究の大部分は実験的研究であったが，近年ではコンピ ュータの処理速度の飛躍的向上や，それにともなう電子構造計算など量子力学的計算手法の確 ...
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