磁性・スピントロニクス材料開発の
磁性 スピントロニクス材料研究拠点 ゆらぐスピンの舵をとれ 磁力の源 電子スピンを操る磁性材料の挑戦 NIMS NOW 02 ただの金属の塊のようでいて 物にくっついたり反発したりする性質を持つ 磁石 紀元前にさかのぼる磁石の発見は 羅針盤を皮切りとした磁気デバイス開発のはじまりでもあった 20 世
... した。ニッケル（Ni）などの強磁性体中 で電流を曲げるだけで、特定の場所のみ が温まったり冷えたりする現象「異方性磁 気ペルチェ効果」の世界初の観測だ。 ペルチェ効果とは、金属や半導体に電 流を流すとその方向に沿って熱流が生じ る現象のことで、電流の向きに応じて発 熱と吸熱を制御できるのが特徴だ。これ までは異なる 2 ...
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Microsoft PowerPoint _05_宇宙材料開発.pptx
... ・宇宙空間に行くための材料 （ロケット、シャトル、スペースプレーン） ・宇宙空間で使うための材料 （人工衛星・・・） 耐熱性、耐放射線性、強度、軽量性、気密性、信頼性など、地上で用いられる 材料よりも厳しいスペックが要求される。 ...
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ナノテクノロジー・材料科学技術に関する研究開発課題の評価結果
... 元素戦略プロジェクト＜産学官連携型＞ ・・・・・・・・・・・・・・4 亜鉛に替わる溶融Ａｌ合金系めっきによる表面処理鋼板の開発（東京工業大学） ・・・・・・7 アルミ陽極酸化膜を用いた次世代不揮発性メモリの開発（物質・材料研究機構） ・・・・・10 サブナノ格子物質中における水素が誘起する新機能（東北大学） ・・・・・・・・・・・・・13 ...
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高周波対応低ロス圧粉磁心材料の開発
... 2. 開発ターゲットに向けた現状技術と課題 電源デバイスのコンパクト化や大電力処理の観点におい ては、電源用コイルに用いられるコア材料には、飽和磁束 密度が⾼く、電気－磁気エネルギー変換効率が⾼いことが 求められる。表 1 に⾼周波用軟磁性コアに用いられる代表 的な軟磁性材料と電源特性得失を一覧表で示す。電源用の ...
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SIP「革新的構造材料」研究開発計画
... （ 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 環境・エネルギー材料部門 グループリーダー） 金属材料の中で Ti 合金は航空機用エンジンのファンブレードなどの中高温部品、Ni 合金はさらに高温 度の部材用として欠かせない最重要金属材料である。また、軽量で耐熱性のある TiAl 金属間化合物も非 ...
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希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける窒素ドーピングによる強磁性抑制の研究
... 的性質に加え磁性体的性質を併せ持つものである。ただし、磁性原子が周期的に格子を組んでいる 磁性半導体に比べ磁気的性質が弱いため、希薄磁性半導体(DMS)と呼ばれている。様々なDMS材料 の中において、II-VI、IV-VI、III-V族などの化合物半導体の陽イオンの一部をMn、Co、Fe、Crなど ...
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V-2 1-B 有機材料融合プロセス技術の開発 V-180
... 薄膜が必要であり、これを参照サンプルとした。薄膜サンプル の片端を加熱することで薄膜両端に温度差をつけ、発生した起電力からゼーベッ ク係数を測定、電気伝導度、熱伝導率ともに薄膜面方向の物性値を測定した。膜 厚については SEM 観察結果とリファレンスサンプルを触針型膜厚測定器で測定し た結果でダブルチェックした値を用いた。熱伝導率の面方向測定については、リ ...
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希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける窒素ドーピングによる強磁性抑制の研究
... 文 の 要 旨 本論文は、II-VI 族希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te においてアクセプターである窒素のドーピングにより強 磁性が抑制される効果に関する研究を纏めたものである。スピントロニクスへの応用の観点より高い温度 ...
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非磁性原子を置換することで磁性・誘電特性の制御に成功
... １．独立行政法人物質・材料研究機構（理事長：潮田 資勝、以下 NIMS）量子ビームユニ ット（ユニット長：北澤 英明）中性子散乱グループの寺田 典樹主任研究員、国際ナノア ーキテクトニクス研究拠点（拠点長：青野 正和）辻本 吉廣 MANA 研究者らの研究グル ープは、ラザフォード・アップルトン研究所（英国）、オックスフォード大学（英国）と ...
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報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱
... 2) の大きさが、加える熱の方向に応じて大きく変化すること発見しました。 風力や太陽光など身の回りのエネルギーを利用する環境発電 (注 3) の促進には、熱を電気に 効率的に変換できる材料の開発が不可欠です。熱磁気効果をもつ磁性体は、縦方向の温度 ...
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みずほ情報総研 ： 材料開発の新潮流
... 日本においてMIへの注目を集めるきっかけ の1つとして知られるのが、マサチューセッツ 工科大学とサムスン電子社によるLiイオン電 池の固体電解質材料の発見 （13） （14） （15） である。 従来の電解質材料（液体やゲル）が持つ問題点 （発火性、劣化、エネルギー密度など）を克服 ...
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る結晶構造であることから B サイトが Al の代わりに遷移金属からなる CuFeO 2 などでマルチフェロイック特性も含めた 磁性の研究もさかんである [3] 前者の透 明導電体の研究では薄膜材料の研究が中 心であるが 後者の磁性を含む物性研究 ではバルク結晶が用いられてきた 我々の CuTMO
... 酸化物半導体は透明エレクトロニクスの基盤材料として注目されている。 本研究では遷 移金属を含む酸化物半導体にスポットを当て、パルスレーザー堆積法によるエピタキシャ ル薄膜成長と新しい物性の探索を行った。その結果、デラフォサイト型銅酸化物 CuTMO 2 （TM：遷移金属）において紫外領域の励起子の存在を見出した。くわえて、強磁性半導体 EuO ...
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電流誘起磁壁移動に基づくスピントロニクス応用に向けたMn4N薄膜の物性評価
... 15. 安西 聡仁, 花島 隆泰, 具志 俊希, 高田 郁弥, 都甲 薫, 末益 崇, " Mn 4 N 上 Fe 4 N 垂直磁化積層 膜の作製 " 第 78 回応用物理学会秋季学術講演会 5a-C18-8, 福岡, September 5 (2017). 16. 安西 聡仁、具志 俊希、小森 太郎、都甲 薫、末益 崇, " 酸化物基板上への Mn 4 N 薄膜の成長と ...
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電流誘起磁壁移動に基づくスピントロニクス応用に向けたMn4N薄膜の物性評価
... 壁の高速動作が期待できる。しかし、Ni 添加によりスピン分極率が低下することも考えられるため、今後の 研究の進展が待たれる。 〔最終試験結果〕 平成３１年２月１４日、数理物質科学研究科学位論文審査委員会において審査委員の全員出席のもと、 著者に論文について説明を求め、関連事項につき質疑応答を行った。その結果、審査委員全員によっ て、合格と判定された。 ...
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研究開発項目 2: 遮熱技術の研究開発従来技術では到達困難であった高い性能を有する革新的遮熱材料を開発する 具体的には 透明性 遮熱性及び電波透過性を兼ね備えた住宅 ビル窓材向け遮熱材料や調光ガラス 建築物の壁材として使用可能な高耐久性遮熱コーティング材料などの遮熱材料を創出する 研究開発項目 3:
... (3)では、熱電 換材料・ スの研究と小規模でも成立する⑤排熱発電 技術に取り組む。 なお、①～⑦の研究開発と平行して、⑧で各種排熱実態の調査、新規熱関 連材料の導入シナリオ検討、及びシナリオ実現に向けた技術・制度課題の抽 ...
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Microsoft PowerPoint - 物質の磁性090918配布
... 9 理由： 平行なスピンの2電子は同じ原子 軌道に入らないが、反平行なスピ ンは同じ軌道に入るために、クー ロン相互作用のエネルギーが高い。 したがって、強磁性状態になって 反平行なスピンをもつ電子対の数 を減らすとエネルギーの利得が大 きい。この理由でニッケル、コバル トでは、電子が多数派スピン↑のd バンドを完全に満たした状態が実 ...
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熊谷地区の沿革 熊谷工場設立 ( 61/ 7) 熊谷軽合金工場新設 ( 82/7 ) 熊谷工場再編統合 ( 86/10 ) 日立機材 関東製作所新設 ( 94/4 ) 熊谷機装工場新設 ( 71/4 ) 環境システムカンハ ニー 磁性材料研究所設立 ( 71/2 ) 設備開発研究所設立 ( 85/1
... 予防処置報告書 3.5ｔ溶解炉 ばいじん発生量 原因： 測定当日の3.5ｔ溶解炉はリターン材の溶解量が多く、チャージ当たりのリターン材溶解 比率が 40 %を超えているチャージもある。よってリターン材の溶解比率が高かったこと が原因と推測。 ...
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骨の再生を促進する複合多孔質足場材料を開発
... このコラーゲン/PLGA/CBD-BMP4 複合多孔質足場材料を走査電子顕微鏡で観察したところ、PLGA メッ シュの空隙にコラーゲンマイクロスポンジがクモの巣状に形成されていることが明らかになった。 〔新材料が骨再生に与える効果〕 今回開発したコラーゲン/PLGA/CBD-BMP4 複合多孔質足場材料が間葉系幹細胞の接着、増殖、骨分 ...
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高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト
... 図１．今回開発した手法の模式図。外部電圧を印加して、固体電解質（ケイ酸リチウム）内のリチウムイオンを 磁性体（Fe 3 O 4 ）内に挿入・脱離させることによって磁気抵抗効果や磁化率を制御する。 ４．今後、本成果を基に高集積化等の微細加工技術の開発をさらに進め、高密度大容量なメモリ等への応 ...
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コバルトとパラジウムから成る薄膜界面にて磁化を膜垂直方向に揃える界面電子軌道の形が明らかに -スピン軌道工学に道 1. 発表者 : 岡林潤 ( 東京大学大学院理学系研究科附属スペクトル化学研究センター准教授 ) 三浦良雄 ( 物質材料研究機構磁性 スピントロニクス材料研究拠点独立研究者 ) 宗片比呂
... 東京工業大学の宗片比呂夫教授による研究チームは、コバルト（Co）とパラジウム（Pd） の薄膜界面に膜垂直方向に磁石の性質が生じるメカニズムについて、放射光（注１）を用 いた X 線磁気円二色性（XMCD、注 2）と第一原理計算（注 3）により明らかにしました。 特に、Co と Pd 原子内の電子軌道の形を明確にし、元素によって異なる役割を担っている ...
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