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熱酸化SiC-MOSデバイスの課題

様式 19 別紙 1 課題番号 GR072 先端研究助成基金助成金 ( 最先端 次世代研究開発支援プログラム ) 実施状況報告書 ( 平成 23 年度 ) 本様式の内容は一般に公表されます 研究課題名研究機関 部局 職名氏名 自己組織化酸化物ナノワイヤを用いた極微デバイスによるグリーン イノベーショ

様式 19 別紙 1 課題番号 GR072 先端研究助成基金助成金 ( 最先端 次世代研究開発支援プログラム ) 実施状況報告書 ( 平成 23 年度 ) 本様式の内容は一般に公表されます 研究課題名研究機関 部局 職名氏名 自己組織化酸化物ナノワイヤを用いた極微デバイスによるグリーン イノベーショ

... 様式19 別紙1 5  “酸化物ナノワイヤによる抵抗変化メモリ局在伝導機構解明” 長島 一樹, 柳田 剛, 岡 敬祐, 金井 真樹, Jin-Soo Kim, Bae Ho Park, 川合 知二 化学工学会第 43 回秋季大会, 名古屋工業大学, 愛知, 2011 年 9 月 14 日~16 日  ...

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報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱

報道機関各位 平成 29 年 7 月 10 日 東北大学金属材料研究所 鉄と窒素からなる磁性材料熱を加える方向によって熱電変換効率が変化 特殊な結晶構造 型 Fe4N による熱電変換デバイスの高効率化実現へ道筋 発表のポイント 鉄と窒素という身近な元素から作製した磁性材料で 熱を加える方向によって熱

... 変換する環境発電技術が注目を集めています。特に、これまであまり利用されていなかった など微小エネルギーを活用する研究が盛んに行われています。また、と電子スピン 相関を用いる磁気効果を利用したエネルギー変換材料創出についても様々な取り組 ...

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エネルギー起源二酸化炭素 (CO 2 ) 対象となる排出活動 燃料の使用 他人から供給された電気の使用 他人から供給された熱の使用 非エネルギー起源二酸化炭素 (CO 2 ) 対象となる排出活動 ( 燃料種ごとに ) 燃料使用量 単位使用量当たりの発熱量 単位発熱量当たりの炭素排出量 44/12 電

エネルギー起源二酸化炭素 (CO 2 ) 対象となる排出活動 燃料の使用 他人から供給された電気の使用 他人から供給された熱の使用 非エネルギー起源二酸化炭素 (CO 2 ) 対象となる排出活動 ( 燃料種ごとに ) 燃料使用量 単位使用量当たりの発熱量 単位発熱量当たりの炭素排出量 44/12 電

... ソーダ灰製造 ソーダ灰製造によるCO 2 使用量 - - - ソーダ灰使用 ソーダ灰使用量×単位使用量当たり排出量 - tCO 2 /t 0.415 アンモニア製造 (原料種ごとに)原料使用量×単位使用量当たり排 出量 シリコンカーバイド製造 石油コークス使用量×単位使用量当たり排出量 - tCO 2 /t ...

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ミネラルウォーター LPGボンベ用ラバーシール 陶製品 照明 玩具 エアコン 冷蔵庫 洗濯機 酢酸 トリポリリン酸ナトリウム 酸化亜鉛 酸化アルミニウム RBD パームオレイン LPG 高圧レギュレーター アゾ色素 固形 NPK 肥料 非合金熱延/ 再熱延鉄棒 キャストアイアン ハブ パイプ インス

ミネラルウォーター LPGボンベ用ラバーシール 陶製品 照明 玩具 エアコン 冷蔵庫 洗濯機 酢酸 トリポリリン酸ナトリウム 酸化亜鉛 酸化アルミニウム RBD パームオレイン LPG 高圧レギュレーター アゾ色素 固形 NPK 肥料 非合金熱延/ 再熱延鉄棒 キャストアイアン ハブ パイプ インス

... 号(No.70/M-DAG/PER/9/2015)にて、API 規定が改定された。API には、一般輸入業者ため認定番号である API-U と、生産 工程で使用する資本財、原材料、補助材、材料を自社使用為に輸入する製造輸入業者 ため認定番号 API-P 2 種類があるが、API は 1 社につき 1 種類しか保有出来ない。 ...

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Si基板上にエピタキシャル成長されたSiGe層における熱酸化機構の研究

Si基板上にエピタキシャル成長されたSiGe層における熱酸化機構の研究

... 査 結 果 要 旨 氏 名 宋 宇振 Si CMOS デバイス高性能化は主にサイズ微細化によって進められてきたが,今後も 永遠にそれが可能であることは物理的にありえない.そこで次世代に向けて有望な半導 体電子材料に対する研究が世界中で始まっており,特に SiGe は現実的なチャネル材料とし ...

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エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料 システムの創製 平成 14 年度採択研究代表者 河本邦仁 ( 名古屋大学大学院工学研究科教授 ) ナノブロックインテグレーションによる層状酸化物熱電材料の創製 1. 研究実施の概要高性能酸化物系材料においては 低次元 異方構造 が高性能発現の重要な場になって

エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料 システムの創製 平成 14 年度採択研究代表者 河本邦仁 ( 名古屋大学大学院工学研究科教授 ) ナノブロックインテグレーションによる層状酸化物熱電材料の創製 1. 研究実施の概要高性能酸化物系材料においては 低次元 異方構造 が高性能発現の重要な場になって

... 具体的には、Zn-In-O系自然超格子、ミスフィット型コバルト酸化物系など組成・構 造変調による高効率化実現、ゼロ次元ナノボイド分散によるZnO材料伝導率化、 コンビナトリアル組成探索による新規n型酸化物材料提案とモジュール化による評価な ...

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二酸化炭素を用いる触媒的炭素 炭素結合生成反応の開発 京都大学工学研究科物質エネルギー化学専攻辻康之 1. はじめに二酸化炭素は炭素の最も高酸化状態の化合物であり, 熱力学的にも速度論的にも反応性の乏しい物質である この二酸化炭素を炭素源として触媒的に有用物質の合成に利用することが出来れば, 次世代

二酸化炭素を用いる触媒的炭素 炭素結合生成反応の開発 京都大学工学研究科物質エネルギー化学専攻辻康之 1. はじめに二酸化炭素は炭素の最も高酸化状態の化合物であり, 熱力学的にも速度論的にも反応性の乏しい物質である この二酸化炭素を炭素源として触媒的に有用物質の合成に利用することが出来れば, 次世代

... 表2に示したように,銅触媒存在下,シリルホウ素を用いることにより,アルキン シラカルボキシル化反応が位置並びに立体選択的に進行することが分かった。合 成容易なケイ素上にフェニル置換基を有するシリルホウ素化合物を用いた場合はそ フェニル基脱離が起こり,シララクトンが生成物として得られた。また,5-デ ...

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< 添付資料 1> Blu-spec CD2 の特徴 原盤材料に半導体製造用シリコンウエハーを採用ガラス原盤に比べ表面の粗さが約 1/6 に激減 欠陥も最小で 超安定カッティングに寄与 記録層を フォトレジスト( 光記録 ) から 金属酸化物レジスト ( 熱記録 ) に正確な熱コントロールで より理

< 添付資料 1> Blu-spec CD2 の特徴 原盤材料に半導体製造用シリコンウエハーを採用ガラス原盤に比べ表面の粗さが約 1/6 に激減 欠陥も最小で 超安定カッティングに寄与 記録層を フォトレジスト( 光記録 ) から 金属酸化物レジスト ( 熱記録 ) に正確な熱コントロールで より理

... 82 クラシック:協奏曲 SICC-30091 ¥1,890 ジュリアーノ・カルミニョー ラ ヴィヴァルディ:ヴァイオリン協奏曲集「四季」ほか 83 クラシック:器楽曲 SICC-30092 ¥1,890 フリッツ・クライスラー 愛喜び&愛悲しみ~クライスラー自作自演集 84 クラシック:協奏曲 SICC-30093 ¥1,890 ダヴィッド・オイストラフ ...

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No. 60 November 1, 2013 触媒懇談会ニュース 触媒学会シニア懇談会 アリル酸化触媒 -Mo 系複合酸化物触媒の歩み 丁野昌純 1. Mo 系複合酸化物について 1) 酸化モリブデン自体は, 単独では酸素分子の活性化能が低いため酸化活性は低く, 結晶化し易いことや, 他の酸化物に

No. 60 November 1, 2013 触媒懇談会ニュース 触媒学会シニア懇談会 アリル酸化触媒 -Mo 系複合酸化物触媒の歩み 丁野昌純 1. Mo 系複合酸化物について 1) 酸化モリブデン自体は, 単独では酸素分子の活性化能が低いため酸化活性は低く, 結晶化し易いことや, 他の酸化物に

... したようにプロピレン触媒とは異なった問題 を抱えており, これを解決するには新たな視 点による触媒調製法検討が必要なるでは ないかということである。即ち, このような 相反する二元機能を持つ活性種をうまく機能 させるためには, 各結晶相組成, 構造及び その純度, 分布等制御技術-モルホロジーを コントロールすることが必要になってくので ...

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内包物質を用いて単層カーボンナノチューブの熱伝導性を制御~カーボンナノチューブを用いた熱デバイスに新たな設計指針~

内包物質を用いて単層カーボンナノチューブの熱伝導性を制御~カーボンナノチューブを用いた熱デバイスに新たな設計指針~

... いう観点 学術的 極 意義 あ 研究成果 界面材 料や電変換 バイ カ ン チュ 伝導性 有効利用 様々 応用 バイ 提案さ い 例え 本研究 解明さ カ ン チュ へ ン 包効果 電変換素子 非常 好 い物性変化 あ 今回 発見 今後 バイ 材料設計や性能向 貢献 期待さ ...

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Si及びSiCの酸化のダイナミクスを再現する電荷移動型原子間ポテンシャルの開発と酸化メカニズムの解明

Si及びSiCの酸化のダイナミクスを再現する電荷移動型原子間ポテンシャルの開発と酸化メカニズムの解明

... 第 2 章では、本論文で使われる分子動力学法とその周辺理論について述べられている。 第 3 章では、酸化を分子動力学法で扱う際課題を挙げ、それらを解決するため手法 が述べられている。酸化による反応性変化については電荷移動型分子動力学法によりモ デル化が行われた。また、ロバスト性獲得ため、 MD ...

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GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject

GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject

... GaN結晶成長に用いられる基板 ■ GaNでは異種基板上へヘテロエピタキシャル成長を行う必要がある ■ 結晶性とコストにトレードオフが存在 3.84 4.76 (2.74) 3.07 3.19 格子定数 (A) ...

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関しては 自動車 住宅等幅広い分野において大きな課題となっている 本事業では様々な環境下における未利用熱エネルギーの再利用に注目し 広域に分散した熱を有効利用する技術の基盤となる熱マネージメント技術として 熱を逃さない技術 ( 断熱 ) 熱を貯める技術( 蓄熱 ) 熱を電気に変換する技術( 熱電変換

関しては 自動車 住宅等幅広い分野において大きな課題となっている 本事業では様々な環境下における未利用熱エネルギーの再利用に注目し 広域に分散した熱を有効利用する技術の基盤となる熱マネージメント技術として 熱を逃さない技術 ( 断熱 ) 熱を貯める技術( 蓄熱 ) 熱を電気に変換する技術( 熱電変換

... (4)フレキシブル有機電材料およびモジュール開発 以下研究開発により、中間目標達成を目指す。「高機能導電性ポリマー開発」 では、励起効率高い材料に高いキャリア移動度を付与する開発を進める。「CNT お よび周辺材料開発」では、分散、配向状態を制御する材料開発に加え、新たな添加 ...

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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作

軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作

... なる。SiC 酸化過程シミュレーションにおいては、化学反応を伴うことと、界面においてさま ざまな結合があることから経験的なパラメータを一切用いない第一原理計算が強力なツールとなるが、 計算量が膨大となるためにこれまで行われてこなかった。地球シミュレータによる大規模な第一原理 分子動力学計算により SiC ...

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熱抵抗について 本書では お客様におけます熱設計時のご参考のために 弊社での熱抵抗に関する各パラメータの定義 測定方法などについて解説いたします 背景 一般的に素子のジャンクション温度 (Tj) が 10 上がる毎にデバイスの寿命は約半分になり 故障率は約 2 倍になるといわれています Si 半導体

熱抵抗について 本書では お客様におけます熱設計時のご参考のために 弊社での熱抵抗に関する各パラメータの定義 測定方法などについて解説いたします 背景 一般的に素子のジャンクション温度 (Tj) が 10 上がる毎にデバイスの寿命は約半分になり 故障率は約 2 倍になるといわれています Si 半導体

... また、デバイス外形が同じであっても、そのデバイスチップサイズ、リードフレームタブサイズ、実装基板仕様 等により、抵抗値θja が変化しますので注意が必要です。 ■定義 半導体パッケージ抵抗とは、デバイスが1[W]電力を消費した時に生じる素子とパッケ-ジ ...

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沖縄県産野菜の抗酸化能及び抗酸化成分に関する研究

沖縄県産野菜の抗酸化能及び抗酸化成分に関する研究

... 長寿県として知られる沖縄県も例外ではなく,食スタイル 変化に伴う肥満など生活習慣病増加が指摘されてい る.社会保険庁調査によれば,2000∼2004 年度政府 管掌健康保険「生活習慣病予防検診」受診者うち,BMI (体格指数:体重(kg)÷ 身長(m)÷ 身長(m))が 25 以上で“肥満”と診断される人割合は,沖縄県が男女とも ...

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アジェンダ モバイルデバイス活用への課題 モバイルデバイス活用 モバイルデバイスのセキュリティ マイクロソフトのモバイルデバイス管理ソリューション

アジェンダ モバイルデバイス活用への課題 モバイルデバイス活用 モバイルデバイスのセキュリティ マイクロソフトのモバイルデバイス管理ソリューション

... モバイル デバイスセキュリティ • 社内環境やデータにアクセスするデバイスリスク管理 • 適切に管理されたセキュアなデバイス活用 – セキュリティ ポリシー順守 – 紛失、盗難へ対策 ...

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鉄 (Fe) の酸化に関するポテンシャル図 Keyword: ポテンシャル図計算 自由エネルギー表示 酸化反応 酸素分圧の計算 はじめに鉄 (Fe) は 酸化することにより酸化鉄と総称される 酸化数に応じて 酸化第一鉄 ( ウスタイト :FeO) 赤鉄鋼( ヘマタイト :Fe 2O 3) 磁鉄鉱(

鉄 (Fe) の酸化に関するポテンシャル図 Keyword: ポテンシャル図計算 自由エネルギー表示 酸化反応 酸素分圧の計算 はじめに鉄 (Fe) は 酸化することにより酸化鉄と総称される 酸化数に応じて 酸化第一鉄 ( ウスタイト :FeO) 赤鉄鋼( ヘマタイト :Fe 2O 3) 磁鉄鉱(

... logPO2=-22.40 時で ある。何故このような値になるは課題 4 で説明する。 ...と非常に大きい。この差値は、酸素自由エネルギーに相当する。両者自由エネルギー 和が酸化第一鉄(FeO)自由エネルギーと等しくなった時に鉄は酸化鉄に変化する。よ り詳細な説明は、上記と同様に課題 ...

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目次 11 蓄電デバイス市場 部材の将来展望 内容は 10 年度版です 序章蓄電デバイスの市場概況と展望 1. 蓄電デバイスの種類と特徴 蓄電デバイスの市場概況と動向 蓄電デバイス国内市場規模予測 蓄電デバイス出荷金額比率... 4 民生用電子機器国内出荷

目次 11 蓄電デバイス市場 部材の将来展望 内容は 10 年度版です 序章蓄電デバイスの市場概況と展望 1. 蓄電デバイスの種類と特徴 蓄電デバイスの市場概況と動向 蓄電デバイス国内市場規模予測 蓄電デバイス出荷金額比率... 4 民生用電子機器国内出荷

... 5. 主要国リチウムイオン電池関連動向(中国/韓国/台湾) .............. 167 6. リチウムイオン電池海外メーカ-動向................................ 169 (LG 化学/コスライトグループ/サムスン SDI/B&K リチウムイオンバッテリー/BAK バ ッテリー/BYD/リーシェン・バッテリー) 第Ⅶ章 ...

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産褥期における酸化ストレスと抗酸化力

産褥期における酸化ストレスと抗酸化力

... ているが,酸化ストレス度のみ一側面を測定したも が多く,酸化・抗酸化システムバランスを総合的 に検討している研究は少ない。適切に生体内酸化ス トレス防御系を評価するならば,酸化・抗酸化両面 バランスから評価することが望ましいと考える。酸 ...

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