板加工やパワー半導体など
様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN 結晶膜を作製した．スパッタ法やアニール法にも取り組み，結晶品質を高める ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... 文献[41]では、IGBTのフルブリッジインバータを用いて、コモンモードトランスに励磁 電流を供給している。文献[42]では、コモンモード電圧がE dc /3刻みの4つの電圧に変化する ことから、4レベルのインバータを用いてコモンモードトランスに励磁電流を供給している。 4レベルのインバータの能動素子はIGBTを用いることができるので、高電圧アプリケーシ ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... 括課長 東田祥史氏）。例えば，定格電圧100V前後まで の低耐圧品では， 「スマートフォン」 「パソコン」 「産業用お よび自動車」の三つを主なターゲットとする。「定格電圧 が十数Vのスマートフォン向けでは，小型化を重視しま す」 （東田氏）。例えば低オン抵抗のMOSFET「ECOMOS TM （エコモス）」では，実装面積0.8mm×0.6mmの小型品を 発売する。「3端子品では業界最小クラスです」 （東田氏）。 ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... り大幅に低減できるため、超高耐圧の SiC バイポーラデバイスを適用した場合、装置の小型化が期 待できる。さらに、 SiC バイポーラデバイスは、通電損失だけでなく、スイッチング損失も小さい ため、装置をより高効率化することが期待できる。また、 SiC デバイスは既述の通り、高温動作が 可能となることから、過渡的、局所的な温度上昇に対する耐性も高く、スナバ回路など各種保護回 ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... ダイヤモンドは、硬度、熱伝導率の大きさ、光透過波長帯の広さ、化学的安定性などに優れる だけでなく、半導体としても絶縁破壊電界や電荷移動度などに優れた特性をもつため、高耐電圧・ 低損失・高速応答の半導体デバイス、特に電力を制御するパワー半導体デバイス（電力用半導体 ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... 率が得られるために、ＵＰＳ（Uninterruptible Power Supply） 、ＩＤＣ （Internet Data Center） 、ＰＣＳ（Power Conditioner System） 、ＥＶ（Electric Vehicle）、風力発電などの新エネルギー分野適用への期待も大きい。適用可能 範囲が更に広がるものと考えられる。 ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... SMC、CKD など、工作機械メーカーの数倍の成長を遂げた要素機器メ ーカーがあり、今回も工作機械メーカー以上に重要要素機器企業に恩恵がある図式は変わ らない。この面で、工作機械メーカーに対する投資判断は特徴ある機械を持ち、EV 対応、 精密技術を生かし多角化できるかなどが重要。投資対象として放電加工機のソディック、西 部電機、2 ...
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図 1 シリコンチップ, 半導体パッケージおよびプリント配線板の階層構造図 Figure 1 Hierarchical structure of silicon chips, semiconductor package substrates and printed wiring boards 銅張積
... 電子機器に搭載される半導体PKGについても半導体チップの高密度化に伴う多ピン化や小型化，薄型化の要求の下，実装 技術の進展とともに発展してきた。図３に半導体PKGの変遷を示す。1970年代前半までは，配線板のスルーホールにリード 端子を挿入してはんだ付けするピン挿入型PKGとして，DIP（Dual in-line ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 各工程での生産の流れの変動幅（Variability）拡大 21 は、生産システム全体のラインバラ ンスの乱れ（＝非同期化）を引き起こすので、より多くの WIP が必要になってくる。ところが、 そうした WIP の増大は、上式の関係を通じて必然的にサイクルタイムの増大をもたらすので、 結果的に生産量が減少しサイクルタイムが上昇してしまう。加えて、半導体の生産プロセス ...
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研究成果の詳細 ( 背景 ) 3) 金属や半導体のゼーベック効果注によって温度差を直接電気に変換できる熱電変換は, 工場や火力発電所, 自動車などの廃熱を直接電気エネルギーに変換する, クリーンなエネルギー変換技術として注目されています この熱電変換技術に利用できる半導体 (= 熱電変換材料 ) の
... る構造が，熱電材料の高性能化の鍵であることを明確に示すものです。今回使用した窒化ガリウムの 半導体二次元電子ガスは，非常に高価な単結晶基板の上にしか作製できないことに加え，熱伝導率が 大きいことから，そのまま実用化に繋がるものではありませんが，今回提案する半導体二次元電子ガ スの高い電子移動度を活かして熱電変換出力を高めるモデルは，実用化を控えた熱電材料を高性能化 ...
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半導体デバイスの信頼性
... 図Ⅲ-4 実装時の圧力によるクラック発生例 図Ⅲ-4 にクラックが発生した例を示す。パッケージはガラスセラミック（ガラセラ）を用いモールドでパッ ケージングしてある。このパッケージをガラスエポキシ（ガラエポ）基板に実装し、その後、パッケージの 上面より圧力を印加した場合の図である。パッケージのほぼ中央付近にクラックが発生している。クラッ クは圧力印加時の曲率半径が小さくなる場合に起こりやすいため、基板の硬度が低いほど、基板厚が ...
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1. 概要有機半導体は 現在 主に用いられているシリコンなどの無機半導体と比べて以下の特長があり 次世代トランジスタなどエレクトロニクス素子への応用開発研究が盛んに行われています 1 塗布法 印刷法といった簡便かつ比較的低温での作製が容易 2 薄型 3 低コスト 4 プラスティック RFID タグや
... 〔1〕 「塗布結晶化法」による世界最高速の印刷できる CMOS 回路集積技術 東京大学グループが開発した「塗布結晶 化法」は、有機半導体を溶液で塗布すると 同時に結晶化させて膜にすることができる 簡便な手法です。今回新たに開発した方法 では、フィルム基板上に一様な p 型及び n 型の有機単結晶薄膜を成長し、チャネル長 5 m の有機トランジスタから成る高速化回 路設計によって、26.5kHz の NFC 規格速度 ...
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SiC半導体
... 6H-SiC のホモエピタキシャル成長方法について以下 に記す。6H-SiCは現状，基板としての供給が十分でな いことから，6H-SiCインゴットもしくはアチソン結晶 を基板状に加工し，鏡面仕上げを行う必要がある。研 磨による鏡面仕上げの後では，基板表面は顕微鏡観察 により傷等の観られないことを確認している。その後， 研磨ダメ−ジの除去を行うため反応性イオンエッチン グ ( RIE ) による研磨ダメ−ジ層の除去を0.2 ...
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パワー半導体デバイス
... 基 板 基 板 実 装 の 設 計 WG13 Design Automation: Component, Circuit and System Description Language ン ョ ン ： 部 品 回 路 の 記 述 言 語 WG14 Design Automation: Library of reusable Parts for Electrotechnical ...
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OpenFOAM を用いたスピンコートプロセスの塗布シミュレーション事例紹介 篠崎明 i Introduction of Spin-coating Process Simulation Using Open FOAM Akira SHINOZAKI スピンコートは半導体や光学機器などの分野で広く使わ
... (キーワード): CFD，スピンコート，OpenFOAM，interFoam，微細構造，VOF 法 1 はじめに スピンコートは基板上に塗料を供給し，基板を高 速回転させて薄膜を生成する手法である．膜厚の制 御が容易であることや高品質な薄膜を生成できるな どの利点から，半導体の製造工程を中心に，Blu-ray な どの記録メディア，レンズなどの光学機器といった ...
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三菱パワーデバイス パワーモジュール
... ・本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は本資料発行時点のものであり、三菱電機は、予告なしに、本資料に記載した製品または仕様を ...
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ム製品186 ゴゴム板 ゴム板のご注文に際して ゴムの加工品
... 耐動荷重性ビニル床シート ロンリウムSRG 重量物の荷重や移動による動荷重に対して強い抵抗力を備えた床材。半硬質タイプ のガラス繊維強化ビニル床シートです。 耐動荷重・帯電防止性ビニル床シート FAスタック ロンリウムSRGとロンスタックのそれぞれの特長を集約。耐動荷重性能と帯電防 止機能にすぐれたビニル床シートです。 帯電防止性ビニル床シート ロンスタック ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 5. まとめ SiC の熱酸化やアニーリングのシミュレーションは、アモルファス構造の SiO 2 と SiC からなる複 雑な界面構造と、酸化過程や窒化反応のような化学反応を含むシミュレーションからなる。そのため、 化学反応の計算が可能で、結合の次数が変化する系の取り扱いも可能な第一原理分子動力学計算が非 常に強力なツールであるが、原子数が増えるにつれて計算量が膨大になるためこれまで行うことは不 ...
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半導体洗浄技術
... ona や The Penns y l v ani a St at e U ni v er s i t y と い っ た 大 学 、 さ ら に 研 究 機 関 の SEM ATECH か ら の 発 表 も 多 く 、 産 官 学 の 研 究 者 の 層 が 厚 い こ と が う か が え る 。 日 本 で は 、 東 北 大 学 、 ソ ニ ー の 発 表 が 多 い 。 韓 国 で は Sam s ung ...
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三菱パワーデバイス パワーモジュール
... Focus Technology ハイブリッド車・電気自動車のモーター駆動用として高機能・高信頼性を実現 ＜主な特長＞ ・温度アナログ出力機能搭載によりモーター駆動の高性能化を実現 ・高いパワーサイクル寿命と温度サイクル寿命による高信頼性を実現 ・環境負荷物質を規制する「欧州ELV指令」に適合したパッケージ構造 ・素材から部品、生産履歴までトレーサビリティ管理を実施 ...
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