単結晶 5バスバー PERC
The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) 日本結晶成長学会誌特集 : 機能性単結晶の最近の進展 Vol. 42, No. 2 (2015) 総合報告 酸化ガリウム単結晶の光 電子デバイス応用 倉又朗人 1* 飯塚和幸 1 佐々木公平 1 輿
... の 5 つの結晶構造が知られていて 4) ，このうち単 斜晶系に属する β ガリア構造と呼ばれる結晶構造が安定 ...範囲でキャリア濃度を制御できることが報告されている 5,6) ．n 型においては 10 -3 Ωcm 台の低い抵抗率が得られる． p 型伝導の報告はなく，アクセプタ型不純物を添加した場 合には結晶は高抵抗となる．この時の抵抗率は 10 ...
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カルコパイライト型半導体AgInSe2単結晶の育成と光学特性
... 化（活性化）エネルギー、ドナーイオン化（活性化）エネルギーであり、εは静的誘電率 である。右辺第 3 項は基底状態のイオン化したドナーおよびアクセプター間に働くクーロ ン力を表す。距離の大きいドナーアクセプターペアについては、ファンデルワールス力は 完全に無視できるものとする。また、隣り合うペアの場合でも、この相互作用はかなり弱 く、(3-24)式では考慮していない。ドナーとアクセプターの結晶格子の中で占める位置が決 ...
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単元素準結晶の3次元構造の作製に成功
... 今回の研究では、電子線によって蒸発させた鉛を基板準結晶の表面上に吸着させることで基板の 構造を模した鉛を結晶成長させました。Tsai 型準結晶の構造は、図１に示す Tsai クラスタと呼ばれる 多層原子クラスタを構成単位として理解されます。Tsai クラスタを構成する各多面体の頂点には Ag, In, Yb の原子が位置していますが、この Tsai ...
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切断加工したシリコン単結晶の強度に及ぼす後加工の効果
... Si 単結晶ウエハ試 料を用い、その後加工として切断面をアルミナ微粉末で バフ研磨することで、ＳＤ法およびＢＤ法による切断加 工で生じた凹凸形状を除去し、切断面を平滑にした。 後加工前後において、機械的性質を４点曲げ試験によ り測定し、切断面の表面形状をマイクロスコープで、内 部の微構造をＴＥＭで観察した。なおＴＥＭ観察用薄片 試料は集束イオンビーム(FIB)を用いて作製した。 ...
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ZnO単結晶の成長機構
... 観察酬rQヒ配艇舳騰横1気島加で隔と言 2h。矧蜘丸こ櫛節棚・・ヒき鱒を祷・良と29 その蘇峨坊爾成購禰す蚊1司一の砺。（・D s d− 1。Cati 。n 2基にしk万r淋磯横で成長したboと考え癩 ろ。... ここでれて編廊ll鵡成夜、過緬鰯《厳該〃眠 裁可良涛刻tEスタートとしk。認5分で母2、承の・針状結島乙量 ま九三ゐ念・しマいtJ・・。 C軸ろ向K1句か[r] ...
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JAIST Repository: モリブデンブロンズの単結晶育成と光学的性質
... する知見を得ることを目的とする。 試料の作製は温度傾斜フラックス法、化学気相法そして電解還元法を試みた。モリブ デンブロンズ単結晶の育成は、電解還元法でのみ成功し、ブルーブロンズの最適育成条件 は、原料の混合比 K ...
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フッ化物強誘電体単結晶を用いてSHGの発光に成功
... 研究の背景 紫外・真空紫外領域におけるレーザー光源は半導体の微細加工用光リソグラフィー、半 導体検査装置、LASIK（視力矯正手術）などのレーザー治療装置、レーザー光学顕微鏡など、 様々な医用・加工分野で開発が待たれている。従来はArF（193nm）などのフッ化物系のガ スを利用したエキシマレーザーがこうした光源として利用されているが、取り扱いが煩雑、 寿命が短い、有毒、ビーム品質が悪いなどの問題点が指摘されてきた。そのため、光源を ...
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3.4 結晶系以外の太陽電池単結晶シリコン及び多結晶シリコン以外の材料を用いた太陽電池の総称である 3.5 結晶系太陽電池半導体材料として単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた太陽電池をいう 3.6 太陽光発電設備光起電力効果によって太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し 負荷に適した電力を供給す
... 3.25 太陽電池モジュールの標準太陽電池モジュール出力 公称最大出力又は標準太陽電池モジュール出力として定義される、製造業者の仕様書、技術資料等に記 載された太陽電池モジュール 1 枚当たりの標準試験条件における出力。測定方法は太陽電池モジュールの 種類に応じて、結晶系太陽電池の場合は JISC8918、 JISC8990 又は IEC61215 に、結晶系以外の太陽電池 の場合は JISC8991 又は ...
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LiTaO3オプトエレクトロニクス単結晶材料の超音波マイクロスペクトロスコピー
... Fromthe data obtained by measuringthe amplitude and phase of the V(I) curve for Teflon, on which no leaky surface acoustic waves are excited,the variations of the phas.e have been found [r] ...
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3次元積層技術により多結晶電極上へ単結晶巨大磁気抵抗デバイス作製に成功
... 5 用再生ヘッドなどへ応用展開できる可能性があります。また、本研究で見出した NiAl/CoFe 下地層の汎用 性は高く、本研究で実証したホイスラー合金 CPP-GMR 素子だけではなく、単結晶構造を持つ TMR 素子 や面内電流型 GMR 素子をシリコン基板上に成長させるとともに、同様の 3 次元積層プロセスの利用も可 ...
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SPMを用いたSi単結晶のナノ加工と表面の構造変化
... 本研究では， STM加工及び AFM 加工における詳細な加工条 件を検討することにより，種々のナノスケーノレの加工を実現する とともに，加工に伴う構造変化を明らかにして加工メカニズムを 推定することを目的とした.[r] ...
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異なる基板上に作成したバナジルフタロシアニン単結晶のAnneal処理効果
... 4 38J/m 2 である。石英ガラス は、アルカリハライド系基板のようなクーロン力は持たず、 表面にはファンデルワールス力のようなクーロン力に比 べ非常に小さい吸着エネルギーしか存在しない。本実験結 果から、石英ガラス基板には結品が観察されずアルカリハ ライド系基板に結品成長が観察されることから、吸着工ネ ルギーが大きい方が VOPc は結品化しやすいといえる。前 述[r] ...
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JAIST Repository: 単結晶YSZ薄膜上へのPZT薄膜の低温形成
... 以下と比較的小さいことがわか る。図 2 に示す電極直径 0.2mm の試料の C-V 特性では、強誘電体の分極に起因するとみ られる約 1V のメモリウィンドウが観測された。また、 XRD スキャンの結果から構造解 析を行なったところ、この PZT 薄膜は従来のペロブスカイト構造ではなく、単斜晶であ ...
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JAIST Repository: 薄膜単結晶太陽電池の効率向上に関する基礎研究
... 薄膜単結晶 Si 太陽電池の効率向上に関する基礎研究 和田 秀倫 ( 松村研究室 ) 1. はじめに 電力用太陽電池の主要材料である単結晶 Si(c-Si) は LSI 生産などからでる端材を主な供給源と している。しかし、急増しつつある需要に対して供給量は飽和状態にあり、これがコストを押し 上げ、太陽光発電の一般への普及を妨げる恐れがある。本研究は太陽電池の省材料化、低コスト ...
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新しい透明導電性材料・酸化ｶﾞﾘｳﾑ単結晶の作成とｷｬﾘｱﾄﾞｰﾋﾟﾝｸﾞ
... は し が き 平成12年度∼平成13年度科学研究費補助金(基盤研究(C) (2)) ｢新しい透明導電性材料･酸化ガリウム単結晶の作成とキャリアドーピング｣ を終えるにあたって 近年､多様な高性能光･電子デバイスの開発とレ-ザリソグラフィー及び太陽電池製造 技術の発展に伴い､より短い波長領域での高い透明性と導電性を持つ新しい透明導電 性酸化物材料の開発が必要になった｡そ[r] ...
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フラックス法によるSrTiO_3単結晶の育成 利用統計を見る
... 昭和43年12月 山梨大学工学部研究報告 第19号 タは常に一定の電流が流されており，温度を一定に保 ち，上・下の補助ヒータはおのおの調節器により所定の 温度に制御されている。 用いたルツボは直径3cm，深さ11cmで容量80m1 の長円筒形の白金ルツボである。 予備実験および3．1に示す溶解度の測定結果からKF を100gおよびsrTio3紛末を15∼25％（重量[r] ...
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機械研磨加工がシリコン単結晶の微構造に及ぼす影響
... 3．研究の方法 Si 単結晶を、砥粒径 80μm および 5μm の耐水研磨紙 (SiC)で研磨した試料、砥粒径 1μm および 0.05μm のアル ミナでバフ研磨した試料、砥粒径 9μm、1μm、0.1μm の ダイヤモンドでバフ研磨した試料を、マイクロスコープや 走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて表面の観察を行った。 ...
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窒化アルミニウム単結晶基板の開発
... AlN 結晶を昇 華法によりそれぞれ成長させた。ノマルスキー顕微鏡によ り成長表面を観察したところ、c 面上では六角形の一部と オフ角に対応したステップを反映したモフォロジーが観察 された（図 5）。また、m 面上では、4 回対称状のモフォロ ジーが観察され、X 線回折により評価したところ、無極性 面（10-10）の AlN 単結晶が成長していることが確認され た（図 ...
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有機半導体単結晶中の励起子拡散の測定
... 子移動度 とホール移動度 は真性半導体に近い有機半導体ではほぼ同等の特性を示 すはずだが、実際のデバイスでは電子の移動度が低く出ることがほとんどである。これ は電子がホールに比べ諸々の要因でトラップされやすいからである。よって、本研究で は有機半導体単結晶を使用した両極性電界効果トランジスタを電流励起実験において 測定し、電子移動度がどの方向にどのような異方性をもつかを調査した。 ...
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ガラス基板上に単結晶に匹敵する品質の酸化物薄膜結晶を成長
... 研究グループは今回、酸化物ナノシートと呼ばれる厚さ 1 nm程度のシート状の単結晶をガラス基板 に塗布し、固相結晶化法の種結晶とすることで、数マイクロメートル以上の大きさで配向の揃った結晶 粒からなる薄膜結晶の成長に成功しました。この手法を用いてガラス基板上に作製した酸化チタン透明 導電膜は、単結晶薄膜に匹敵する低い電気抵抗（ ...
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