半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）
ランタノイドイオンサイト制御による新規発光材料の探索
... （Photoluminescence，PL） 材料はカラーディスプ レイなどの表示素子，LEDなどの発光素子，波長変換 のための光学素子など広範な応用がなされて来ている。 特にランタノイドを含む酸化物は合成が比較的容易であ る，化学的な安定性が高いという酸化物のメリットと高 輝度かつ単色性の高い発光特性を有するというランタノ イドのメリットを併せ持つ材料として注目されている。 ...
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に資する十分な成果が得られたと判断される 1. 研究プロジェクトの設定および運営 1-1. プロジェクトの全体構想本研究プロジェクトは 半導体結晶を構成する原子の核スピンに関わる新たな物性を調べ 量子情報処理等への応用可能性を探索するものである 半導体物性との関連における核スピンの研究は 1980
... 本研究グループは、極低温・強磁場中で動作するナノプローブの開発と、これを用いた核 スピン状態の局所的な観察を目標としている。具体的には、電子状態や核スピン偏極のナノ スケール測定、固体におけるナノスケール MRI の開発、ナノマテリアルの NMR による評価 を目指し研究が実施されている。このような装置を稼働させているグループは世界でも極め ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 3. アモノサーマル法による GaN 単結晶、基板製造コスト推定 3.1 溶解析出反応 アモノサーマル法では超臨界アンモニアへの GaN の溶解度の温度依存性を利用して、基本的に は高温部（ 600-750℃）で GaN 原料を溶解し、低温部（500-650℃）に設置した種結晶の上に GaN を析出成長させて単結晶 GaN を得る技術である。ただし、成長部と原料溶解部の温度関係が逆の ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... GaN デバイスが高性能パワーデバイスとしての期待が大き いが、低コストで良質の GaN 基板が未だ得られないこと もあり、Si 基板上の GaN パワーデバイスの研究開発が広 くなされている。基板が低コストの Si 基板であり低コスト デバイスの期待が持てるが、基板とデバイス動作層の材料 が全く異なるヘテロデバイスであるため縦方向に電流を流 ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 3.2 評価サンプルの構成 ······································································ 37 3.3 シミュレーションモデル ································································ 37 3.4 材料物性値 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 晶は、得られていなかった。バンドギャップも大きく、光 デバイスとしては、可視光から紫外光をカバーする事が出 来る。このように異質な窒化物系化合物半導体は、従来の 化合物半導体のようなバルク結晶が得られないため、その デバイスは、サファイアなどの全く異なる異種材料からな る異種基板上へのヘテロエピによって登場した。1993 年 ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... 光電子集積回路(OEIC) • 光半導体素子と電気的な半導体素子とを同一半 導体基板上に集積し，関連付けた集積回路。半 導体レーザーなどの発光素子とそれを駆動する 電界効果トラシジスタを集積化したものと，フォト ダイオードなどの受光素子と増幅・信号処理用の 電界効果トランジスタを集積化したものとに大別 される。光通信の送信・受信が主な用途。ガリウ ム・ヒ素系やインジウム・リン系などの化合物半 ...
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ZnO/Si系材料を用いた光機能性デバイスの作製に関する研究
... 本論分では、ZnO(酸化亜鉛)の半導体・光学特性に着目した太陽電池の作製とその評 価、周期構造を導入することによる太陽電池の変換効率の向上、新機能デバイスの応用 の可能性について述べてきた。 第 2 章では、ZnO を用いた薄膜 Si 系太陽電池の作製と評価について述べた。ZnO の 低抵抗・高透過率の性質を活かして、太陽電池の p 層、兼透明電極として用いることで ...
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インパルスモデルに基づくパワー半導体デバイスの損失計算手法
... MATLAB-Simulink によるシミュレーションで，提案手法の 有用性を評価した。シミュレーション回路は図３に示す基 本的な三相インバータとし，データシートは，IGBT モジュ ール MBN1200E25C の公開資料を利用した。また，運転条件 は表１とした。 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... キーワード： 第一原理分子動力学計算、SiC パワーデバイス、界面、熱酸化、アニーリング 1. はじめに 家電、産業、自動車、電鉄、或いは電力分野において、半導体電力変換機器の導入量が急速に増大 しており，低損失 SiC.半導体を導入した場合の省エネ効果は年間.500.億.kWh.にも達すると試算され る。SiC. ...
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側鎖を有するテトラセンの分子配列ライブラリーの構築と特異な固体光物性の探索
... 様 式 Ｃ−１９、Ｆ−１９−１、Ｚ−１９、ＣＫ−１９（共通） １．研究開始当初の背景 有機材料分野における材料（バルク）レベ ルでの物性は、共役部位由来の分子レベルの 性質だけでなく分子配列に基づく集合状態 レベルの性質であると認識されてきた。しか し、現代の学問レベルでは分子配列を思い通 りに制御することは難しいため、分子配列よ りも機能の基本単位である共役部位を合成 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 基本的な動作原理を説明するために、図 6 に QCL 活性層 のバンド構造模式図を示す。活性層は、サブバンド間の遷 移によって光子を放出する発光層と、トンネル効果により キャリアを輸送する注入層の二つの領域が一つの単位構造 を形成し、これが多段に連なっている。まさしく、階段状 に連続した滝（カスケード）のように、キャリアが各段を 流れ落ちる際に、光学的な利得が生じることにより、レー ザ発振する。この構造は、n ...
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平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
... 【今後の展望】 本研究は、ポストグラフェン物質として近年大きな注目を集めている TiSe 2 原子層超薄 膜の作製と、その特異な電子物性の起源となる電子状態を研究したものです。その結果、 TiSe 2 における特異物性は、電子と正孔が結合して励起子を形成することによって生じるこ とを見出しました。今後、この単原子層 TiSe 2 に対して、電子および正孔の数を調節・制 ...
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半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... 生産の歩留まりを低くしている。本研究は、 半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象を解 明し、その対策を行うものである。現在まで、生産工程において、このような帯電、放電現象による静電気障害の対 策は経験的に行われ、要因を解明し、体系化することが難しかった。本研究は、問題となる生産工程を絞り込み、そ の工程における ESD ...
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IRUCAA@TDC : 紫色半導体レーザーを用いた光重合型レジン系材料の硬化とその特性
... ま と め 本研究では，紫色半導体レーザー（VLM 500，住友電 気工業，横浜）を用いて市販ボンディングレジンや各種光 増感剤を含有した試作ノンフィラーレジンを硬化させ，そ の微小引張り強さを各種光照射器と比較した。その結果， 本レーザーは歯科用光重合型レジンの重合用光源としても 使用できる可能性が示唆された。現在，本レーザーに使用 している導光用ファイバーは 800µm と非常に細いため， ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 5.1 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズム 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズムとは、電流源のスイッチング順序をデ コーダにより変更するものである。物理的に電流源の配置を変更するものではない。 DA 変 換器を構成している電流源は理想的には単一の値であるが、各種ミスマッチの影響により それぞれの電流源の値が異なってしまう (図 5.1) 。これらのミスマッチの影響を防ぐため ...
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機能性ナノ材料の基礎物性と構造のTEM観察
... ことから、水素製造の有力な候補の一つとされている。 いずれのシステムも水を電気化学的に分解することで（式１）水素と酸素を得るが、 H 2 O →1/2H 2 + O 2 （１） その分解に要する電圧は、熱力学的に見積もられる室温での理論分解電圧、 1.23 V に対して大きな値となる。そこで 通常、触媒材料を電極上に塗布して利用することで、過電圧を下げる試みがなされるが、 PEMEC ...
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超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究
... 本多 祐二、疋田 智美、佐藤 正典（本多電子株式会社） 研究成果の概要 近年、半導体デバイスの微細化が進み ITRS(International Technology Roadmap of Semiconductor)2.0 によると 2020 年には DRAM (Dynamic Random Access Memory)の最小線幅が 10nm になると示されている。半導体デバイ ...
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JAIST Repository: 有機無機複合体を用いた新規機能性材料の合成と物性
... Japan Advanced Institute of Science and Technology.[r] ...
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機能性材料の磁気・電気・熱特性等の基本物性評価 研究シーズ | 明治大学
... 遷移金属元素や希土類元素を含む金属酸化物（セラミックの一種）を中心に、これまで に物性報告がない物質に着目し、まず多結晶試料を合成する。その際、合成した多結晶 試料はエックス線回折実験により、試料の質を確認する。良質な多結晶試料が得られた ら、磁化率、電気抵抗、ホール係数、誘電率、比熱などの基本物理量を物性測定システ ムなどの実験装置により、低温は絶対温度で2Kから高温は400Kまでの温度域で、最 ...
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