半導体薄膜の状態分析
第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 7-8 のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn 界面を得られないため、電荷分離界面が大きくなりにくい。しかし、p 型、n 型ともに電極への直接的な経路を持っているため、電荷輸送効率は高いといえる。 ...
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SiC半導体
... 混在するのを防止するため，原料および種結晶の温度 が設計値に達した後，系内の圧力を徐々に減少させて いる。しかしながら，温度と圧力の制御だけでは再現 性のある高品質単結晶成長が困難であった。そこで， 成長が定常状態に至る前の段階 ( Fig. 1中A ) で温度を 下げ，成長初期における種結晶の表面状態を調べた ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... GaN の成長 という研究成果を基に、グラファイト基板上への GaN 成長の計算、InN や AlN 成長の計算、 グラフェンもしくはグラファイト上への様々な原子種の吸着に関する計算を行った。まず、 グラファイト上への GaN 成長に関する計算の結果を図 19(a)に示す。グラファイトは 2 層の ...
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保できる試料を用いる必要がある 本研究では その条件を満たす銅フタロシアニン微結晶薄膜とサビニルブルー薄膜を試料としてレーザーアブレーションの実験を行う 銅フタロシアニン微結晶薄膜は晶質固体であるのに対して サビニルブルー薄膜は非晶質固体である Ichikawa らによって行われたサビニルブルー圧縮
... nm の過渡吸収の時間変化を示す。電子励起状態の緩和が 励起光強度の増加とともに早くなった。これは、銅フタロシアニン超薄膜においても 高密度励起条件下で、励起子－励起子消失が効率的に起こることを示唆する。銅フタ ロシアニン超薄膜の分子配列は銅フタロシアニン圧縮成形板と同様にカラム状である ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... 1. はじめに 近年、従来の化石燃料によるエネルギー利用から、環境 にやさしい再生可能エネルギーへの移行が進められてい る。さらには、福島第一原子力発電所の事故をきっかけと して、世界的に原子力発電に対する見直しの動きがあり、 ますます再生可能エネルギーが注目されている。そうした 中で、豊富な太陽エネルギーを利用する太陽光発電に対す ...
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Cu(In,Ga)Se2系薄膜及びZnO系酸化物薄膜における欠陥の光学的評価とその太陽電池ならびに薄膜トランジスタ応用に関する研究
... 半導体技術を基盤とする電子・光デバイスは 20 世紀後半から、大きく発展し我々の生活に より便利に快適に変えてきた。これらの電子・光デバイスは、現在ではその恩恵を受けずに生活 することが困難な状況であり、我々の生活スタイルをも変えてきている。また、近年、地球環境 問題の高まりにより、製造業では省エネルギー・創エネルギー・リサイクルといったテーマでの製品 ...
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分光・偏光を用いた薄膜・界面解析の実際
... Gaussian の中間状態 が表現できる振動モデル）を仮定した．先に求めたポーラスシリコン膜の光学定数と膜厚を固定し， Kim 振動子の各パラメーターを変数として PL スペクトルのフィッティングを行った． 最後に，反射率スペクトル，PL スペクトルのフィッティング誤差が最小になるように，両者を 同時フィッティングし直した．その結果を図 ...
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通信用半導体レーザの開発
... これらの化合物半導体を成長する方法として、従来、高 品質な結晶が得られる液相エピタキシャル成長（LPE ： Liquid Phase Epitaxy）が用いられていた。しかし、80 年代前半から、デバイスの高性能化に必須の極薄膜の成長 が可能で、生産性に優れ、低コスト化に有利と考えられる、 分子線エピタキシー（MBE ： Molecular Beam ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... 不揮発性メモリをロジック回路に組み込めば、使用目的に応じて動的にコンフィギュレーショ ンを変え、これを記憶することが可能である。このようなロジック回路と一体化した不揮発性メ モリを用いれば、システムをアプリケーションに応じて最適化するなどの高性能化や、限られた 筐体で異なる複数の機能の実現するという今後のモバイル機器への一見相反する要求も実現可 ...
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ENTER NEWS vol.35 No.3, 分析機器解説シリーズ (133) 迅速深さ方向分析装置 (GD-OES) 原理と水素分析への応用... 株式会社堀場製作所科学営業統括室中村龍人 山田紘子 1 分析機器解説シリーズ (133) 薄膜機械的特性評価装置 ( ナノインデン
... 部分の穴をふさぎ、真空を保つ。試料室全体を真空引きする のではなく、試料取付部だけを真空引きするので、真空引き に要する時間が非常に短い。試料を取り付けた状態で、試料 の背面側に高周波印加用の電極（発振子）を付ける。アノー ...ド内部にArガスを導入し、試料の背面側から13.56MHz ...
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状態監視保全のためのオイル分析ハンドブック / 1. オイル分析入門 9 オイル状態に基づいた保全 バランスのとれたオイル分析プログラムは 機械類の摩耗状態 オイル内の不純物そして劣化現象を同時に観察することができます(図 11) 主な特性項目を定期的に検査し それらの特性項目の動向を監視します も
... 赤外分光器は、FTIR の技術の代りに回折格子を使った光学系に基づいています。回折格子に基づいたオイル分析専用の 分光器は、FTIR法に比較して繰返し精度と反復性の高いオイルの化学情報を提供します。この方法はASTM D7889に詳細に説明さ れ、この装置は ASTM の基準に準応しています。また、滴定装置を必要としないで、正確な TAN ...
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（７） 薄膜材料-1
... ダーで平坦でない界面を構成している可能性が高い。このような、表面や界面の状態に対して、特に中性子線を用いた反射率測定では軽元素 の検出感度が高いこともあり、比較的界面の状態を正確に測定できる可能性を含んでいると思われる。また、上記のＸ線反射率（XRR）の測 ...
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Bi2Se3薄膜における量子干渉効果の研究
... とが知られており、電子スピンが運動量方向に対して偏極している。このディラック電子 のスピン偏極はさまざまな新奇量子現象、新奇電磁気現象の発現をもたらすことが期待さ れており、トポロジカル絶縁体はディラック電子の基礎物性に迫る格好の舞台として世界 的に研究がおこなわれている。このような新規物質における量子干渉効果を研究すること ...
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経営成績、財政状態のレビューおよび分析
... 2. 研究開発力の強化を継続；従業員数が前年度末比 1,034 人（ 21% ）増 事業概要 アームは主に、低消費電力型マイクロプロセッサーおよび関連テクノロジーのデザインなど、半 導体の IP （回路の設計情報などの知的財産）のライセンス事業を行っています。当社による買収後、 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... 女たちのレベルは、我が国同業他社の一般技能者を相当に凌駕している。 17 そして、このことを 裏打ちするかのように、ＴＳＭＣ出身の優秀なオペレーターのうちの少なからざる人々が、他社に 生産管理者として異動していくということであった。 18 これらの点に関し、我が国製造業では、同業他社のみならず他業種においても、未だに組 ...
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薄膜形成技術
... このような高次機能を発現させる手段としての薄膜形成技術を飛躍的に発展させるきっか けになったのは、 1947 年のトランジスタに始まる半導体産業の誕生である。特に、今日「集 積回路 （ＩＣ） 」 として知られている二次元構造が擬似平面状に重層化された半導体回路素子 ...
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RIETI - 地域クラスター・ネットワークの構造分析－ ‘Small-world’ Networks化した関西医療及び九州半導体産業ネットワーク―
... メカニズムの第二は、ネットワークの存在が組織を超えた共同事業を容易にすることである。今日 の先端技術産業では、イノベーションを実施するに当たって、自社内だけですべての情報、知識、人 材 、 資 金 そ の 他 の 経 営 資 源 を 得 る こ と は 難 し く 、 外 部 資 源 の 獲 得 が 欠 か せ な い ...
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半導体物理講義ノート 2017 年 0823 版 目次バンド構造概論 金属の自由電子模型 電子の状態密度 フェルミ (Fermi) エネルギー フェルミ球 確率の保存則 バンド理論 結晶の格子ベクトル--
... 平衡ではフェルミ準位は n 領域と p 領域でそろっており、伝導帯と価電子帯それぞれで、 eV D だけのエネル ギー差が生じる。 一方で、室温では、ドナー準位とアクセプター準位は全てイオン化している。接合部から十分遠いｎ領 域の部分ではドナー準位と同数の電子が存在するため、電子の持つ負の電荷はドナー準位の持つ正の電荷と ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 活性層 のバンド構造模式図を示す。活性層は、サブバンド間の遷 移によって光子を放出する発光層と、トンネル効果により キャリアを輸送する注入層の二つの領域が一つの単位構造 を形成し、これが多段に連なっている。まさしく、階段状 に連続した滝（カスケード）のように、キャリアが各段を 流れ落ちる際に、光学的な利得が生じることにより、レー ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 的に向上した結果、その価格も（情報量あたりでは）紙よりはるかに安くなった。今日の 半導体も、基本的にはプレーナ技術にもとづいており、これが今日の情報産業を可能にし た最大の汎用技術ということができよう(Langlois 2002)。初期のコンピュータは、トランジ ...
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