半導体材料のトレンド
1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... - ２ - §１ 研究実施の概要 （１）実施概要 本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エ レクトロニクスの開発を行った。安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれ ば、従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い、堅くて脆い、面積が小さいといった問題点を ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... た量が異なるという期待どおりの結果であった。転位線 の侵入深さは、 #8000 で 2~300 ナノメートルであったの に対して #4000 では 400 ナノメートルと後者の方が深く まで転位が侵入していたが、 #8000 研磨でも、長時間研 磨（最終試料厚さが薄い）により転位線がより深くまで 到達していることが認められたため精査が必要である。 ラマンスペクトルならびに PL ...
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出 展 対 象 開発技術 システム 部品 周辺技術 来 場 対 象 普及 活用 設計 開発 テスティング 設計 開発ツール 駆動システム テスティングツール モーター技術 二次電池 次世代電池 電池材料 CAD CAM CAE ソフトウェア 電子材料 部品 各種試験 検査 計測 半導体 電子部品 解
... プライムアース EV エナジー 営業部 営業・販売 次世代電池 、電動ユニットの エンジニアリング・評価・試験 ・サービス UD トラックス パワートレインエンジニアリング 研究・開発 乗用車だけではなく、 大型トラックや産業機械への普及技術 に関して 自動運転、コネクテッドカー・IoT IHI 運搬機械 パーキングシステム事業部 研究・開発 自動運転 ／駐車、EV 充電 ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 域の拡大にむけて、 GaN 系混晶半導体の他、赤色領域 から深紫外領域にわたる広い範囲での高効率・低価格発 光素子の開拓に関する研究が進められている。これらワ ...
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SiC半導体
... SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...
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シェールガス・オイルの採掘技術のトレンド2013
... な批判を受けたりすること。米国の石油天然ガス産業は水圧破砕が無ければ存続できないことを、多く の米国民は理解していない。既に州や地方自治体が規制を行っているとことに、さらに国が法規を制定 しようとしているのは問題であろう。水圧破砕のサービス業界としては、水のリサイクル率を増して真水 ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 7-8 のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn 界面を得られないため、電荷分離界面が大きくなりにくい。しかし、p 型、n 型ともに電極への直接的な経路を持っているため、電荷輸送効率は高いといえる。 ...
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経済トレンド
... 試算してみた。具体的には訪日者に占める割合 の高いアジア主要国・地域(韓国、中国、台湾、 香港、シンガポール、タイ)については、一人当 たりＧＤＰの増加とともに出国率も上昇し、中 国については出国者に占める訪日者数が、他国 並みの水準に上昇するとの前提を置いた。その 他の地域については、訪日者数が伸びが緩やか なこと、訪日者全体に占める割合が小さいこと ...
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通信用半導体レーザの開発
... にして、1.31µm のファブリ・ぺロレーザ（FP ： Fabry- Perot）からスタートした。デバイスの模式図を図 3 に示す が、組成の異なる GaInAsP で構成される MQW 構造活性層 を成長後に、導波路ストライプをマスクとしてメサ状に エッチングし、p-InP 及び n-InP を選択再成長している。こ れによって、逆バイアスによる電流ブロック層を形成し、 ...
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ごあいさつ 当社は 1960 年に日本における合成ゴムの国産化を始めて以来 順調に業容を拡大し 現在では 合成 With chemistry, we can. ゴム 合成樹脂などの 石油化学系事業 および半導体材料 フラットパネル ディスプレイ材料 戦略事業などの 多角化事業 をグローバルに展開して
... バイオ医薬の開発や製造を支える創薬支援材料 担当役員から一言 佐藤穗積 副社長執行役員 高齢化が益々進む中で、健康・医療に関わる市場の大きな成長が見込まれています。JSRは長く診断薬用 粒子の開発・販売を手掛け、国内のみならず海外の診断薬メーカーでも好評を得ております。本技術を生 ...
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パワー半導体デバイス
... そ の 材 料 WG5 Terms and definitions 用 語 義 WG6 Printed boards - Device Embedded Substrate - Terminology / Reliability /Design Guide ン 基 板 - 部 品 内 蔵 基 板 ‒定用 語 、 信 頼 性 、 設 計 指 ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−5 ーネットを介したコンテンツ配信が大きく伸びると見るのが自然である。そのため、これらの 大量のデータを保存して供給するための超高速・超大容量のネットワークサーバー用ストレー ジに対する需要は増加の一途をたどるであろう。通信トラフィックは無限ではあり得ないので、 ...
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ゴールド・デマンド・トレンド
... どで特に堅調で、婚礼に関係する購入も高級小売店舗を中心に順調に進ん でいます。 しかし、第 2 四半期における最大の焦点は 5 月中旬に行われた総選挙でし た。総選挙を控えて高額品の購入が規制された結果、需要にブレーキがか かり、同期間中に「 new for old 」と呼ばれる取引（古い宝飾品を売って新し い宝飾品を買う資金を得る取引）が優勢となりました。総選挙後も、市場は ...
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半導体レーザによる降雪センサの開発
... (a) LLD128-ETH (b) LLD384-1LD Fig. 9: 降雪粒子画像例 LLD128-ETH に映った粒子は縦長になり、下端が途切 れた粒子が存在する。これは LLD384-1LD と比較してス ライスレートが高く、計測ライン数上限に達したためで ある。 LLD384-1LD は LD の光出力低下により、画像両 端は影になり利用不可能となった。有効計測幅は約 41 mm (329 pixel) と な ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... 前年度の研究では、 GaN と同様の研磨特性を評価し たところ、歪みによるとされる PL ピークエネルギーシ フトは検出されなかった。また、共鳴ラマン散乱の実験 でも格子振動モードの変化が見られなかった。この理由 を明らかにするため、詳細を検討した。 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 。もっとわかりやすい例でいえば、かつて出版においては、手書き の原稿を活字に組んでから校正を行っていたが、現在は著者の書いた電子ファイルを入稿 する前に完全に校正するため、印刷所でゲラを読んで朱を入れるといった事後的な調整が なくなり、精度も格段に上がった。データがデジタル化されてコーディネーションが設計 （執筆）段階に統合されると、逆に編集と印刷はまったく独立になり、海外の印刷会社に ...
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半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術
... ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ３ 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは ...
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研究成果の詳細 ( 背景 ) 3) 金属や半導体のゼーベック効果注によって温度差を直接電気に変換できる熱電変換は, 工場や火力発電所, 自動車などの廃熱を直接電気エネルギーに変換する, クリーンなエネルギー変換技術として注目されています この熱電変換技術に利用できる半導体 (= 熱電変換材料 ) の
... （専門家向けの補足説明） 半導体 二次元電子ガスでは静電気力によって電子を寄せ集めているので，電子が集まっている領域 の厚さを見積もる必要があります（補足図） 。本研究では，ゲートに各電圧を加えた際の半導体二次 元電子ガスの熱電能が，一般的な半導体の熱電能の電子濃度依存性と等しいと仮定して，電子が溜ま ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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