半導体材料
ごあいさつ 当社は 1960 年に日本における合成ゴムの国産化を始めて以来 順調に業容を拡大し 現在では 合成 With chemistry, we can. ゴム 合成樹脂などの 石油化学系事業 および半導体材料 フラットパネル ディスプレイ材料 戦略事業などの 多角化事業 をグローバルに展開して
... 半導体材料 開発・製造拠点 JSR Micro, Inc. （米国・サニーベール） モバイル機器には高性能の半導体チップが多く使われ ています。演算処理が得意なマイクロプロセッサーや、 アプリケーションソフトや動画などの記録に使われるメ モリーチップなどです。JSRの最先端半導体材料はこれ ら半導体チップの小型化、低消費電力化、高速化、大容量化に欠かせ ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... シリコンを用いたものなどがある。単結晶シリコンは、原 材料のコストが高いが、変換効率が高く、変換効率の理論 限界は約 30％とされている。多結晶シリコンは単結晶シ リコンに比べて変換効率では劣るが、単結晶シリコンより 安価に製造できる。また、三洋電機（パナソニック）が開 発した HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin layer） （HIT ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 当社は、1960 年代より、化合物半導体材料の開発を開 始し、1980 年代より、それらの材料技術を活用し、光通 信用デバイスの開発、事業化に取り組んできた （8）、 （9） 。その Development of Various Semiconductor Quantum Devices ─ by Tsukuru Katsuyama ─ Semiconductor quantum ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... これらワイドギャップ半導体材料の利用では、物理的、 化学的処理を伴う様々な加工プロセスを経てデバイス が作製される。最も基本的な工程は切断と研磨である。 切断はバルク材料からウエハを得る工程で、レーザある いはダイヤモンドソー等による熱機械的手法が主流で ある。その表面には極めて高密度の欠陥と大きな格子歪 みが導入されるため、その後、物理的・化学的に表面研 ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 研究分野 ：半導体材料 キーワード：ワイドギャップ半導体、 GaN、 加工損傷、加工歪み、PL、ラマン散乱、 光学ホノン散乱 1．研究開始当初の背景 GaN に代表されるワイドギャップ半導体は、青色発 光ダイオードの発明を契機として、照明分野の革新に大 きく貢献している。白色 LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ...
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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... 2．研究の目的 半導体材料では機械研磨により試料表面にクラック やスクラッチが導入されることはよく知られているが、 Si についての研究が多く、GaN についての報告は少な い。前年度までの研究で、 GaN と ZnO ならびに Si につ いて機械研磨と格子歪み、光学的性質との関係を精査し た結果、直接遷移型半導体におけるバンド端発光強度が、 格子歪みに対して指数関数的に変化することが明らか ...
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平成 27 年 12 月 11 日 報道機関各位 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) 東北大学大学院理学研究科東北大学学際科学フロンティア研究所 電子 正孔対が作る原子層半導体の作製に成功 - グラフェンを超える電子デバイス応用へ道 - 概要 東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (
... TiSe 2 は、チタン(Ti)とセレン(Se)が結合した層状物質で､グラフェンと類似した六角形 の結晶構造を持っています(図 1)。近年、これらの層状物質を極限まで薄くした原子層超 薄膜で、グラフェンを超える新機能を発現させる取り組みが精力的に行われています。何 層にも積層した 3 次元的なバルクの TiSe 2 は、電子と正孔がそれぞれ独立して運動する半 ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... - ２ - §１ 研究実施の概要 （１）実施概要 本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エ レクトロニクスの開発を行った。安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれ ば、従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い、堅くて脆い、面積が小さいといった問題点を ...
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太陽電池と半導体ｐｎ接合
... CZTSって何？ • クラーク数を30位まで掲げます。クラーク数から見るかぎり、次世代においてもシリ コンが最重要な太陽電池材料であり続けることは間違いないでしょう。 • CIGSについても、かろうじて銅（Cu）が25位に入っているだけなので、インジウム（In ）に代えてスズ（Sn、30位）と亜鉛（Zn、31位）を使うCu 2 ZnSnS 4 という4元化合物に置 き換える研究が始まっています。Copper zinc ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... 読み出し面では、MRAM の心臓部である MTJ 素子からの出力電圧の低さが挙げられる。現 在までの MRAM 開発では MTJ 素子を構成するトンネル障壁としてアモルファス・アルミナが 使用されてきたが、この MTJ 素子ではトンネル抵抗（TMR）比で７０％、出力電圧で１００ ｍV 強が原理的限界である。最近、産総研により結晶質の MgO をトンネル障壁とする MTJ 素 子が開発され TMR 比で２３０％、電圧出力で５５０ｍV ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 特別論文 得ることが出来た。 それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、 窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導 体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導 体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族 元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 しかも結晶構造は、六方晶系のウルツ型であり、前述の GaAs 系、InP ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... なマテリアル）ならびに第１回市民公開講座（東北大ブランドの最先端・次世代材料を語 る，次世代の光を拓く結晶材料）を開催した．平成 24 年度は，第２回市民公開講座を開催 した．最終年度は，宮城県立古川黎明高等学校を招待して，東北大学サイエンス研修を開 催した．研修の模様を動画にて記録し，You Tube 上で公開した． ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 20 ドナー層とアクセプター層の接合を大まかに分類すると、ドナー層とアクセプタ ー層で組み合わせるヘテロ接合型と、ドナーとアクセプターを一層に混ぜ合わせる バルクへテロ接合型がある。へテロ接合型は Figure. 7-8 のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn ...
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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積
... 業園区でIC設計関連業務を行なう日系企業によれば，新卒の技術者では平均月給 2,500 人 民元程度で，ボーナスを入れて年収 3 万～4 万人民元ほどである。これが 5 年ほどの経験 を積むと月給 5,000～6,000 人民元，ボーナスを入れて年収 8 万人民元程度になる。また， 同社によれば，同じ長江デルタ地域でも，上海ではさらに給与の相場が高騰するという。 ...
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通信用半導体レーザの開発
... 伝送速度が 2.5Gbps までは、デバイス性能には余裕が あったため、要求に応じた最適化は、トレードオフの厳し い制約を受けることなく進んだが、10Gbps への応用に なってくると、様相が随分変わってきた。半導体レーザの 変調周波数の上限を決める要因は、キャリア数の変化に誘 導放出が追随できなくなる緩和振動周波数と寄生インピー ダンスによる活性領域への電流注入効率の低下である。高 ...
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研究成果の詳細 ( 背景 ) 3) 金属や半導体のゼーベック効果注によって温度差を直接電気に変換できる熱電変換は, 工場や火力発電所, 自動車などの廃熱を直接電気エネルギーに変換する, クリーンなエネルギー変換技術として注目されています この熱電変換技術に利用できる半導体 (= 熱電変換材料 ) の
... 決まります。例えば， ZT が 1 の熱電変換材料に，700℃の温度差（自動車のエンジン付近の熱に相当） を与えた場合，熱⇔電気変換効率は約 17％です。 現在，性能指数 ZT が 1 をわずかに超えるいくつかの熱電変換材料が実用化されていますが，これ らの材料は，資源が少ないことから高価であり，化学的・熱的な安定性が低いことと，それに伴う毒 ...
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SiC半導体
... 3．1 SiCエピタキシャル成長装置 SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな い。このような点を考慮し，我々はSiCエピタキシャ ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... GaNを利用したパワー素子の製品化は、これまで大き く三つの課題があった。まず、 （1）コスト低減が難しかっ たこと。GaN系パワー素子に利用できる従来の基板は口 径が小さかったり、価格が高かったりした。次は、 （2）電 気特性が十分ではなかったことである。優れた材料特性 を持つGaNだが、パワー素子として作り込むと、Si製パ ワー素子よりも電気特性面で劣る点があった。そして3 番目が、 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ① SJ-MOSはn型領域の一部にp型領域を柱状(p型ピラー層)を形成し、p型とn型領域を交互に配置します。(図3-9(b)) ② ドレイン・ソース間に電圧V DS を印加するとドリフト層であるn型領域に空乏層が広がりますが、一般的なDMOSとSJ-MOS ではその拡がり方が異なります。（図3-9(a)／(b)の電界強度図参照、電界強度は空乏層内の状態を示しています。） ③ ...
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出 展 対 象 開発技術 システム 部品 周辺技術 来 場 対 象 普及 活用 設計 開発 テスティング 設計 開発ツール 駆動システム テスティングツール モーター技術 二次電池 次世代電池 電池材料 CAD CAM CAE ソフトウェア 電子材料 部品 各種試験 検査 計測 半導体 電子部品 解
... 技術・開発本部 R&D 統括部 企画管理室 豊田通商 ネクストモビリティケミカル材料部 長瀬産業 自動車材料事業部 ニコン・トリンブル サーベイ営業部 日産自動車 コネクティドサービス本部 日産自動車 EV HEV 技術開発本部 日本板硝子 機能硝子部 ...
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