半導体レーザーの材料
IRUCAA@TDC : 紫色半導体レーザーを用いた光重合型レジン系材料の硬化とその特性
... 増感剤を含有した試作ノンフィラーレジンを硬化させ，そ の微小引張り強さを各種光照射器と比較した。その結果， 本レーザーは歯科用光重合型レジンの重合用光源としても 使用できる可能性が示唆された。現在，本レーザーに使用 している導光用ファイバーは 800µm と非常に細いため， このままでは光重合型歯科材料への応用は困難である。し ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... 光電子集積回路(OEIC) • 光半導体素子と電気的な半導体素子とを同一半 導体基板上に集積し，関連付けた集積回路。半 導体レーザーなどの発光素子とそれを駆動する 電界効果トラシジスタを集積化したものと，フォト ダイオードなどの受光素子と増幅・信号処理用の 電界効果トランジスタを集積化したものとに大別 ...
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窒化物半導体による青色レーザーおよび光電変換素子の現状と展望
... の要素構造の検討を進めている．通常の半導体レーザー では，光閉じ込め係数は数%であるが，3次元的な構造 である量子殻構造では，6.5 9.0%になる可能性が理論検 討により見積もられている．また，AlInNクラッド層で は，GaNに格子整合しつつ，大きな比屈折率差が得ら れ，赤外材料で良く知られた，GaAs活性層に対するAl- ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... また、アニール後のグラファイトシートの表面形状を AFM 観察によって調べたところ、数 ｍのサイズを有する原子レベルで平坦なテラスによって覆われていることが明らかになっ た (図 1(b)) 。この様な 400℃程度の低温での簡単な熱処理でも、清浄かつ原子レベルで ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... LED のほか、省エネルギーのためのパワーデバイスの実用化に貢献してい る。しかし、基板となるべきバルク結晶の育成技術は開発途上で、殆どのデバイスは異種基板上へのエピタキシャル成 長材料を使っている。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪 ...
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レーザー超音波リモートセンシングを用いたコンクリート内部欠陥探傷 レーザー加工計測研究チーム島田義則 オレグコチャエフ 1. はじめに超音波を用いる非破壊検査技術は種々の材料に対して適用できるため その内部欠陥や疲労状態を検出する方法と多くの手法が研究され 実用に供されている その中でレーザー超音波
... 検出用レーザーはCW のNd:YAG レーザーの2 倍高調波 を用いた。出力は 1.5 W でポンプ高の強度は 50 mW、残 りのパワーはコンクリート供試体に照射した。コンクリ ート表面で散乱し戻ってくるレーザーを信号光として フォトリフラクティブ結晶に入射させた。この時の信号 光強度は 15 μW ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 3 − 2 変調器集積レーザ 直接変調レーザは、大電流 での変調が必要であり、波長揺らぎ（チャープ）が大きく なるため、長距離伝送には適さない。これを克服し、更な る高速、長距離伝送を可能とするデバイスが電界吸収型 （EA: Electro Absorption）の変調器と、DFB レーザとを集 積した電界吸収型変調器集積 DFB レーザ（EML: Electro- absorption Modulator ...
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IRUCAA@TDC : 二酸化チタン含有低濃度の過酸化水素剤と４０５nm 半導体レーザーを牛歯髄腔象牙質に応用した際のコンポジットレジンとの接着強さ
... ウォーキングブリーチ法は，高濃度（３０∼３５％）の 過酸化水素水と数％の過ホウ酸ナトリウムを混和 し，歯冠部の根管内に応用する方法であるが，その 過酸化水素水濃度が高いため，歯の構造変化や歯周 組織の破壊，歯根の外部吸収などが懸念されてい る。また，日常臨床では，患者から髄腔内漂白処置 を行った後にコンポジットレジンを即時充填するこ ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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モジュール 造技術 ( ラ ネート 配線技術など ) 結晶 S 系太陽電池 ( 単結晶 多結晶 ) 住 用民生用公 用メ ソーラー 薄膜 S 系太陽電池 ( 非晶 結晶 ) ( 半導体材料 属電極材料 明電極 材料 ) 化合物結晶系太陽電池 (Ⅲ- GaI P ) 化合物薄膜系太陽電池 (CIS/C
... （2）海外の産業政策 ①欧州における導入促進政策 欧州での太陽光発電導入施策は、各国により個別に決め られている。余剰電力買取制度、RPS制度、太陽光発電シ ステム購入時の補助、税制面での優遇措置を採用している 国もあるが、FIT制度が主要な導入促進施策となっている。 ドイツにおける固定価格買取制度は、1991 年の電力供 ...
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SiC半導体
... SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で ...
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通信用半導体レーザの開発
... ス の 低 減 を 行 っ た 。 図 3 に 示 す 、 GaInAsP レ ー ザ の ト レ ン チ 部 分 を 低 誘 電 率 ポ リ マ ー （BCB ： Benzocyclobutene）で埋め込み、デバイスの静 電容量を低減することで、高周波帯域を 15GHz まで改善 した。これによって、10Gbps Ethernet 対応の無温調デバ ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 ...
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半導体レーザによる降雪センサの開発
... LLD128-ETH のパケット損失率はほぼ 0 %に対し、 LLD384-1LD に関しては約 23 %から約 34 %であった。 LLD128-ETH と LLD384-1LD のデータ分割容量は同一で あるが、送信される画像あたりの最大パケット数はそれ ぞれ 3 packet、8 packet である。この事から送信されるデ ータの総数が多い事により、パケットが脱落する確率が ...
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パワー半導体デバイス
... そ の 材 料 WG5 Terms and definitions 用 語 義 WG6 Printed boards - Device Embedded Substrate - Terminology / Reliability /Design Guide ン 基 板 - 部 品 内 蔵 基 板 ‒定用 語 、 信 頼 性 、 設 計 指 ...
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「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... 全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 2015 年 4 月 15 日 本社：浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長：晝馬 明（ひるま あきら） 当社は、高出力半導体レーザー（以下 LD ）スタック 2 個を、ストライプミラーと単一 面型 VBG（Volume Bragg Grating）を用いて同時に波長制御し、8 分の 1 ...
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IRUCAA@TDC : 炭酸ガスおよび半導体レーザーによるオーラルアンチエイジング
... で の検索として、 歯質を介した半導体レーザーおよび炭酸ガス(CO2)レーザー照射後のラット歯髄 細胞における組織学的観察および分子生物学的検索を行なった。 今回設定した条件(エネルギー 密度 ...VEGF の mRNA ...
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JAIST Repository: 有機半導体材料におけるオーミック接合の形成とキャリア輸送機構の解明
... 研究成果の概要（英文）：Current density-voltage characteristics of organic hole-only devices were evaluated when thickness of molybdenum trioxide between an ITO anode and an organic layer was changed. We found that use of ...
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