• 検索結果がありません。

半導体パッケージング技術

半導体レーザによる降雪センサの開発

半導体レーザによる降雪センサの開発

... が取得したパラメータとの比較が有効であると考えられ る。 以上より、廉価かつ軽量で、降水粒子を直接画像取得 可能な粒径分布計が必要であり、高精度な降雪リモート センシング、マイクロ波散乱計算技術の向上、広範囲な 観測ネットワークの構築を目指す。 ...

6

世界一のゼネラル・パッケージング・インダストリーへ 環境報告書 | 環境・社会 | レンゴー株式会社

世界一のゼネラル・パッケージング・インダストリーへ 環境報告書 | 環境・社会 | レンゴー株式会社

... 2015年9月、国連の全ての加盟国(193カ国)は、 地球上の全ての人々にとっての持続可能な社会を 実現するため、全世界が2030年までに優先的に 取り組むべき課題として、17の目標と169のター ゲットを掲げました。それがSDGsです。企業は、 課題に対する解決策や技術を主導して開発・提供 し、持続可能な開発の推進に貢献していくことが ...

1

出 展 対 象 開発技術 システム 部品 周辺技術 来 場 対 象 普及 活用 設計 開発 テスティング 設計 開発ツール 駆動システム テスティングツール モーター技術 二次電池 次世代電池 電池材料 CAD CAM CAE ソフトウェア 電子材料 部品 各種試験 検査 計測 半導体 電子部品 解

出 展 対 象 開発技術 システム 部品 周辺技術 来 場 対 象 普及 活用 設計 開発 テスティング 設計 開発ツール 駆動システム テスティングツール モーター技術 二次電池 次世代電池 電池材料 CAD CAM CAE ソフトウェア 電子材料 部品 各種試験 検査 計測 半導体 電子部品 解

... オートバックスセブン 店舗開発部 資材調達・購買 充電器 環境 九電テクノシステムズ ソリューション事業本部 営業・販売 大容量100kW 電源 及び 充電コネクタ スズキ 第一生産技術部 製造・生産 非接触充電機器 、EV 部品・ EV 関連モジュール の構造 日産自動車 日本フリート事業本部 営業・販売 EV 普及に向けてのインフラ他技術関連、 EV の充電インフラ に関する展示、PR ...

5

ワイヤレス技術 ネットワーク ワイヤレス技術 端末 シリコンバレーサンディエゴ 次世代ワイヤレス技術 ダラス シカゴ 次世代インターネット半導体 ソフトウェア オタワニュージャージー スウェーデンモスクワパリミュンヘンミラノトルコマイクロ波技術 FMC 固定ネットワーク 西安成都武漢バンガロール 北

ワイヤレス技術 ネットワーク ワイヤレス技術 端末 シリコンバレーサンディエゴ 次世代ワイヤレス技術 ダラス シカゴ 次世代インターネット半導体 ソフトウェア オタワニュージャージー スウェーデンモスクワパリミュンヘンミラノトルコマイクロ波技術 FMC 固定ネットワーク 西安成都武漢バンガロール 北

... のサプライヤーがファーウェイ製品の 技術要件を反映した部品やモジュー ルを設計・製造できるよう、情報を共 有し、協業を促進する役目を担ってい ます。ファーウェイは自社製品に必要 な高性能の部品を調達し、サプライ ヤーは競争力のある製品を開発して グローバルに展開することができる 双方にとってWin-Winな結果をも たらすコラボレーションの実現に、引き 続き貢献したいと考えています。 また、日本市場に特有の仕様をよ ...

5

第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製

第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製

... チョクラルスキー(CZ)法 チョクラルスキー法というのは、 図2 に示すように、原料をるつぼに入れてヒータ ーで加熱・融解し、融液に種結晶を浸して回転させながら引き上げることにより、 結晶を成長させる方法です。種結晶から成長を始めた部分には多数の転位(結晶の 規則的な原子配列のずれの境界線)が存在するので、これを伝搬させないために、「ネ ッキング」というくびれをつけることが行われています。融液がるつぼに接している ...

12

スピントランジスタの基本技術を開発   ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―

スピントランジスタの基本技術を開発   ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―

... 基本原理(1) 2つの端子の間に流れる電流を中央の端子で制御するスイッチ機能を持つ素子。 図のように金属(metal)-酸化物(oxide)-半導体(semiconductor)の並ぶ一般的な構造 のトラジスタは、これらの頭文字をとって「MOS型」トランジスタと呼ばれる。 ...

20

Vol. 67, 8, 2016 半導体ウエハ の三次元配線加工 :TSV と狭ピッチ電極を中心に 415 の貫通電極を意味した古くから使用されている用語であり, この由来からも想像できる通り,TSV はパッケージング技術であるとの認識が当時は高かった そのため,TSV に関しても, 直径 50 ~

Vol. 67, 8, 2016 半導体ウエハ の三次元配線加工 :TSV と狭ピッチ電極を中心に 415 の貫通電極を意味した古くから使用されている用語であり, この由来からも想像できる通り,TSV はパッケージング技術であるとの認識が当時は高かった そのため,TSV に関しても, 直径 50 ~

... 3 .狭ピッチ電極 3.1 μバンプ接合 μバンプの厳密なサイズの定義は明らかではないが, 100 μm 以上のピッチで半導体チップとラミネート基板を接 続する C4 バンプ(Controlled Collapse Chip Connection)よりも 小さいサイズを一般的にμバンプと呼んでいるように思われ る。この IBM が開発した C4 が電解めっきやスクリーン印 刷で半田バンプを形成して Mass Reflow ...

7

ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関す ...

29

日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003

日本の半導体 R&D コンソーシアムの将来展望 SIRIJ 技術委員長 ( 株 ) 日立製作所半導体グループ技師長 下東勝博 STRJ WS: March 3, 2003

... 2001 年 年 年 年 MEDEA+ になり続行。 になり続行。 になり続行。 になり続行。EUREKAプロジェクト。 プロジェクト。 プロジェクト。 プロジェクト。 1984 IMEC設立 設立 設立 設立 :: : : 地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。 地域の大学間研究センターが、欧州の半導体先端開発拠点に。 ...

30

[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

...  SiCの採用が鉄道分野で活発化している理由は、主に 四つある。第1に、鉄道車両システムの電力損失低減が 可能になること。例えば、三菱電機の試算では、Siダイ オードを利用した場合と比較して、鉄道車両システム全 体で約30%の損失低減につながるという。第2に、イン バータ装置そのものを小型・軽量化できること。発熱が 減るため、冷却機構などを小型化可能だからだ。三菱電 機は、SiC製SBDの利用でインバータ装置の体積と質量 ...

33

ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...

29

Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit

Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit

... 第 6 章ではシリコン半導体以外の半導体材料及びデバイスについてのトピックスを紹 介した。相転移による電気抵抗の変化をメモリに応用したデバイスでは、書き込み消去 の動作と結晶状態の変化を UHVEM を用いて対応付けることができた。また GaAs 超 格子を用いた通信用半導体素子基板ではエピタキシャル層の異常成長の原因が GaAs 基板上にあることを、やはり UHVEM ...

168

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

... このような問題の原因追及プロセスにおいては、常に、全体をSVが指揮する。例えば、この 事例の場合、先のサンプル検査から全数検査に切り換えるなどの指示は、SV が行ったという。ま た、傷を発生させていた装置(=コーター)を突き止めたのは、フォトエリアの班長(ラインリーダ ー)であった。ただし、当該問題解決作業には、トラブルを発見したオペレーターも加わったとい ...

20

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

... 5.1 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズム 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズムとは、電流源のスイッチング順序をデ コーダにより変更するものである。物理的に電流源の配置を変更するものではない。 DA 変 換器を構成している電流源は理想的には単一の値であるが、各種ミスマッチの影響により それぞれの電流源の値が異なってしまう (図 5.1) 。これらのミスマッチの影響を防ぐため ...

93

半導体技術分野の重要技術説明資料

半導体技術分野の重要技術説明資料

... Ⅲ−5 ーネットを介したコンテンツ配信が大きく伸びると見るのが自然である。そのため、これらの 大量のデータを保存して供給するための超高速・超大容量のネットワークサーバー用ストレー ジに対する需要は増加の一途をたどるであろう。通信トラフィックは無限ではあり得ないので、 大量のミラーサーバーの設置による需要増も想定される。このデータを受信する家庭や事業者 などではセットトップボックスなどに高速・大容量なホームサーバー・PC ...

28

半導体試験・測定システム

半導体試験・測定システム

... 第1章 半導体試験・測定 システムの特許技術動向調査の目的と方法 第1節 半導体試験・測定システムの特許技術動向調査の目的 近年、日本近隣の東アジア半導体企業は、半導体製造において世界的価格競争力を獲得 しつつある。その価格競争力を支える要素技術の一つは、開発期間に占める試験・測定時 ...

25

超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究

超音波洗浄技術を用いた次世代半導体デバイスの洗浄技術に関する研究

... 図 1 ウェハ上に PSL 散布したサンプル基板 0.5μm 1μm なるが、トレードオフとして配線がダメージを受ける可能 性も高くなる。ただし、周波数 3MHz 時の PSL サイズ 1 µm の除去率は、0.2 µm より除去率が小さくなった。実験 を何度かおこなったが、同じ傾向となる。原因は不明だが、 この現象は実際の半導体洗浄プロセスでの結果と一致し ており、超音波周波数は除去可能なパーティクルサイズに ...

3

USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

... 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容 に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製 ...

6

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... これらワイドギャップ半導体材料の利用では、物理的、 化学的処理を伴う様々な加工プロセスを経てデバイス が作製される。最も基本的な工程は切断と研磨である。 切断はバルク材料からウエハを得る工程で、レーザある いはダイヤモンドソー等による熱機械的手法が主流で ある。その表面には極めて高密度の欠陥と大きな格子歪 みが導入されるため、その後、物理的・化学的に表面研 磨されデバイス作製工程に転送される。このため、デバ ...

2

RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう に機能ごとに違う論理回路を設計すると、ひとつの半導体で機能を実現できるが、プログ ...

25

Show all 8578 documents...

関連した話題