半導体デバイスのノイズ
![北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App](data:image/gif;base64,R0lGODlhAQABAIAAAP///wAAACH5BAEAAAAALAAAAAABAAEAAAICRAEAOw==)
北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... することで、ACC の補償電圧の影響を受けることなく出力信号を検出できる。デッドタイ ム補償ならびに ACC では、どちらもインバータの出力電圧と DC リンク電圧を用いるため、 一つの基板に収めることで配線を共有でき小型な補償回路を構築することができる。高周 波補償形 ACC の改良で OP アンプを使う場合、基準電位等で DC リンク電圧の中性点を用 ...
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Keysight Technologies CMOSイメージセンサのランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)評価
... B1530AはB1500A半導体デバイス・アナライザに装着される追加モ ジュールで、波形生成を行うWGFMUモジュールと電流、電圧測定を行 うRSU(Remote Sense Unit)から構成されます。高速な測定を正確に行 うため、RSUは計測器本体から離され、披測定物の近くに配置すること ができます。WGFMUモジュール1枚あたり2つのRSUが接続可能で、こ ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 焦点測度算出処理について説明する。焦点位置が適切な場合は鮮明な画像が 得られ、不適切な場合は不鮮明な画像が得られることから、画像に含まれるエッ ジの強度を焦点測度として利用可能なことが知られている [26]。画像は 1 次元信 号と同じく、周波数に分解して表現することが可能である。一般的に画像は様々 な周波数成分を含むが、高周波成分のみを抽出すると、画像からエッジを抽出可 ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... WIP の増大は、上式の関係を通じて必然的にサイクルタイムの増大をもたらすので、 結果的に生産量が減少しサイクルタイムが上昇してしまう。加えて、半導体の生産プロセス では、同一のウェーハが複雑につながった工程の同一箇所を２０∼３０回通過することが常 ...
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 当社へ納入される部材を構成する化学物質を把握する為、付属書４「構成情報一覧表」の提出を お願いしております。納入される部材に含有する ４の１），２）項の禁止・管理物質のほか、意図的に 使用するものについては、その含有量の設計値、もしくは実測値を漏れなく記載して下さい。 ...
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半導体工学の試験範囲
... （４） ｐ 領域へ注入される電子濃度n(x) に対する拡散方程式を示せ。ただし、電子の拡散定数をD e 、 寿 命を τ e とし、x軸は ｐｎ 接合と垂直で ｐ 領域の方向を正とする。また、n(0)<< p p とする。 （５）順バイアスの場合の ｐ 領域中の電子濃度 n(x)を（４）の拡散方程式から導出せよ。 問 42 拡散電位が V d ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... ソニーの経営陣は営業損益に加え、持分法による投資損益および構造改革費用による影響を除いた調整後営業損益を用いて業績を評価しています。この開示は、米国会計原則に 則っていませんが、投資家の皆様にソニーの営業概況の現状および見通しを理解いただくための有益な情報を提供することによって、ソニーの営業損益に関する理解を深めていただ ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... 介した。相転移による電気抵抗の変化をメモリに応用したデバイスでは、書き込み消去 の動作と結晶状態の変化を UHVEM を用いて対応付けることができた。また GaAs 超 格子を用いた通信用半導体素子基板ではエピタキシャル層の異常成長の原因が GaAs 基板上にあることを、やはり UHVEM によって突き止めプロセス改善に寄与した。 ...
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デジタルICの電源ノイズ対策・デカップリング
... バルクコンデンサは低周波域のインピーダンスをカバーする大容量のコンデンサを指します。電源 供給部の１箇所に配置され、電源モジュールの平滑コンデンサを兼ねている場合もあります。 図 8-6 に示したようにコンデンサのインピーダンスの下限は ESR に、有効周波数範囲の上限は ESL と配線インダクタンスに制約されます。従って、ESR や ...
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Index はじめに... 3 ノイズリダクション法の種類... 3 次の表に 2 種類の基本的なノイズリダクション技術をまとめています DNR - 空間的ノイズ特定およびリダクション DNR - 時間的ノイズ特定およびリダクション... 4 統合的アプローチの必要性...
... 娯楽目的の動画に含まれるノイズは単に不快であるだけで済みま すが、セキュリティ用途に撮影された動画においては明らかに重 大な問題になる可能性があります。ノイズによって夜間における 被写体の人物や車両ナンバープレートの視認性、あるいはオフィ スや店舗内の暗いエリアの監視などの用途において、その有効性 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... =600V の場合、 R drift >> R ch > R J-FET , R N+ , R sub となり R drift でR DS(ON) は決定されますが、 V DSS =30V の場合、 R ch >> R drif t > R N+ , R sub となりトレンチMOSによる微細化でR DS(ON) を下げる事が出来ます。 ① ...
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エミフィルによるノイズ対策 アプリケーション編
... Signal）による信号伝送 の場合は、数100MHzと高速な信号が伝送されるので、信 号波形をなまらせないようにコモンモードチョークコイル を使用します。またLVDSの場合、差動伝送方式であるた め、電流による磁束が打ち消され放射ノイズが低減されま すが、信号の反射などにより電流が不平衡になる場合があ ります。このような時も、コモンモードチョークコイルを ...
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ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... 2．研究の目的 本研究は、ワイドギャップ半導体材料のうち、 GaN と ZnO について、機械的研磨に代表される表面加工に よって材料特性がどの様に変化するかを検証すること を内容としている。半導体の特性は光学的性質で端的に 表現される。格子歪みの大きさはホトルミネッセンス （ PL）あるいはラマン散乱スペクトルの特性エネルギ ...
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AD8335: ローノイズ、ローコストのクワッド可変ゲイン・アンプ
... ロジック・ハイであるため、ピンを接地してプリアンプをイ ネーブルにします。 これらのピンをイネーブルにするには、電源またはグラウンド に接続して固定的にイネーブル／ディスエーブルにするか、ま たはロジック・デバイスの出力に接続します。必ずそのデバイ スのデータシートをチェックして、電圧と電流の条件を確認し てください。 ...
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EMC設計 ノイズ可視化システム
... から構成されており、製品設計におけるさまざまな お客様のご要望に、多角的かつ最適なアプローチ方法で ソリューションをご提供致します。 磁界電流測定システムは、 IEC 規格 ＊ （ 1 IEC61967-6 ）や VCCI キットモジュール妨害波測定技術基準に適合した、磁界プ ローブ法による非接触電流測定システムです。キットモジュール妨害波測定は本システムで対応ができ、今まで測定方法に ...
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通信用半導体レーザの開発
... にして、1.31µm のファブリ・ぺロレーザ（FP ： Fabry- Perot）からスタートした。デバイスの模式図を図 3 に示す が、組成の異なる GaInAsP で構成される MQW 構造活性層 を成長後に、導波路ストライプをマスクとしてメサ状に エッチングし、p-InP 及び n-InP を選択再成長している。こ れによって、逆バイアスによる電流ブロック層を形成し、 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 。もっとわかりやすい例でいえば、かつて出版においては、手書き の原稿を活字に組んでから校正を行っていたが、現在は著者の書いた電子ファイルを入稿 する前に完全に校正するため、印刷所でゲラを読んで朱を入れるといった事後的な調整が なくなり、精度も格段に上がった。データがデジタル化されてコーディネーションが設計 （執筆）段階に統合されると、逆に編集と印刷はまったく独立になり、海外の印刷会社に ...
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画像マッチングによる位置特定特性に対するノイズの影響
... ータベースの動画像とカメラ画像間での相関関数法が， GPS で特定する位置よりもさらに位置検出精度向上の 可能性を示唆する結果と言える。 この実験は，データベースと携帯電話カメラ画像の撮 影をほぼ同じ条件で行っていたため，日差しの変動や撮 影場所のずれ等の撮影環境の変動に対する，位置特定精 ...
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