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半導体テスタビジネスは

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

... 5.1 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズム 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズムと、電流源のスイッチング順序をデ コーダにより変更するものである。物理的に電流源の配置を変更するものでない。 DA 変 換器を構成している電流源理想的に単一の値であるが、各種ミスマッチの影響により それぞれの電流源の値が異なってしまう (図 5.1) ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... しかし、こうしたソフトワイアド型の半導体においても、設計と製造が完全に分離され るわけでなく、むしろ設計段階で製造段階の問題がわかるため、インターフェイス調整 が抽象化され、設計段階で行われるようになる(徳丸 2002)。多くの製造業で採用されて いる 3 次元 CAD でも、設計と製造の調整が「前倒し」になる現象が観察されている(竹田 2000) ...

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太陽電池と半導体pn接合

太陽電池と半導体pn接合

... 太陽電池のエネルギー回収期間? • エネルギーペイバックタイム(エ ネルギー回収時間)と、太陽 電池を製造するために使うエネ ルギーを太陽光発電によって 回収するために、どのくらいの 時間が必要かを表す数値です 。エネルギーペイバックタイム 、システムを構成するすべて の機器類の製造エネルギーと 、システムから毎年得られる発 電量の比率から計算されます。 ...

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半導体製造装置プロセス管理技術

半導体製造装置プロセス管理技術

... 術 製 造 工 程 に お い て 間 接 的 に 用 い ら れ る 技 術 で あ り 、 半 導 体 製 造 メ ー カ 自 身 が 公 表 し な い 限 り 、 外 部 か ら そ の 内 容 を 知 る こ と で き な い 。 製 造 物 そ の も の を 見 て も 、 ど の よ う な 管 理 技 術 が 使 わ れ て い る か を 判 定 す る の 難 ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用で、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程切断と研磨で、その結果試料表面に高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 性向上を阻害する最も重要な工程とされ、「ダメージレ ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... これらの知見、その後の高速デバイス開発における、 COD 耐性の向上などにも生かされている。 3 − 3 分布帰還型半導体レーザ トラフィックの増 大とともに、地域網においても、WDM の導入が進展した。 ここで、波長間隔を 20nm と粗くすることで、温調装置 なしでも隣接するチャネル間の相互の影響をなくすことが 可能で、小型・低価格なシステム構築ができる CWDM 方 ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 大きな要因となっており、その生成機構の詳細な知見が デバイス性能向上に不可欠と言われている。 他方、結晶表面の加工に機械的・化学的研磨が施さ れる。ダメージを与えない加工方法の研究開発が進めら れているが、端緒についたばかりで決定的な手法見つ かっていない。現状で、研磨によってどの様な欠陥が 導入されるか、その欠陥とデバイス性能との関係如何 ...

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セイコーエプソン半導体製品品質保証ガイドブック Rev.1.5

セイコーエプソン半導体製品品質保証ガイドブック Rev.1.5

... (2)計測器の管理 ・ トレーサビリティの確保 品質の作りこみを確認するための計測に使用される計測器や、設計の妥当性検証や、試験・ 検査で使用される計測器、校正を行っております。校正業務を通じて、国家標準へのトレーサ ビリティが確立されていることを確認しております。校正業務、社内及び外部校正機関の両方 を利用しております。社内で実施する場合、教育プログラムに添った校正教育を受け、認定さ ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合 ...

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ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 当社品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際して、本製品に関す ...

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半導体レーザを用いた音波検出に関する研究

半導体レーザを用いた音波検出に関する研究

... 受光部 IV 変換回路、増幅回路、フィルタ回路からな る。LD 内蔵の PD の自己結合信号によって得られる信号 電流数 [μA]と非常に小さく、オペアンプを使用した IV 変換回路を作製した。電圧信号に変換された受信信号 トランジスタとオペアンプを使用して最大で 20 倍まで 増幅している。さらに得られた受信信号周囲の雑音や、 ...

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[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

... 括課長 東田祥史氏)。例えば,定格電圧100V前後まで の低耐圧品で, 「スマートフォン」 「パソコン」 「産業用お よび自動車」の三つを主なターゲットとする。「定格電圧 が十数Vのスマートフォン向けで,小型化を重視しま す」 (東田氏)。例えば低オン抵抗のMOSFET「ECOMOS TM (エコモス)」で,実装面積0.8mm×0.6mmの小型品を ...

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USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

... 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容 に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 当社品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合、本製 ...

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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

... IC 産業に限ると,生産額で同パーク上海全体の半ばほどを占め,特にデバイス製造 業(前工程)で,中心国際,上海宏力,上海華虹 NEC の 3 大メーカーが立地している。 この他,設計企業約 100 社,パッケージ/テスト企業 12 社,フォトマスク企業 2 社,製 造装置・部材企業 34 社が立地し,合計約 150 社となる(2007 年時点。上海市信息化委員 ...

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ワイドギャップ半導体の光学特性評価

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... 1.研究開始当初の背景 ワイドギャップ半導体 GaN 光素子の他、電子デバ イスにも適用され、該デバイスの高機能化と省エネルギ ーシステムへの応用技術の開拓が行われている。 SiC と ZnO が GaN と類似の物性を有することから、最近で これら材料への期待がふくらみ、世界的にもその研究の 輪が広がっている。 ...

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半導体量子デバイスの多様な展開

半導体量子デバイスの多様な展開

... 基本的な動作原理を説明するために、図 6 に QCL 活性層 のバンド構造模式図を示す。活性層、サブバンド間の遷 移によって光子を放出する発光層と、トンネル効果により キャリアを輸送する注入層の二つの領域が一つの単位構造 を形成し、これが多段に連なっている。まさしく、階段状 に連続した滝(カスケード)のように、キャリアが各段を 流れ落ちる際に、光学的な利得が生じることにより、レー ザ発振する。この構造、n ...

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半導体技術分野の重要技術説明資料

半導体技術分野の重要技術説明資料

... Ⅲ−5 ーネットを介したコンテンツ配信が大きく伸びると見るのが自然である。そのため、これらの 大量のデータを保存して供給するための超高速・超大容量のネットワークサーバー用ストレー ジに対する需要増加の一途をたどるであろう。通信トラフィック無限であり得ないので、 大量のミラーサーバーの設置による需要増も想定される。このデータを受信する家庭や事業者 ...

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窒化物半導体の展開-結晶基板とデバイス-

窒化物半導体の展開-結晶基板とデバイス-

... かった。これ、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる (31)〜(33) 。 一般にパワーデバイスに対して、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタで、チャネル形成のた め n 型 AlGaN/GaN ...

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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不

米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不

... 261 億ドル上方修正され、12.4%増の 4634 億ドル予測とし、調査ごとの上方修正が続いて いる。また 2019 年についても拡大を続け、4.4%増の 4837 億ドル予想とした。16~19 年 にかけ4年連続の前年比プラスとなる予想であるが、02~07 年にかけ 6 年連続で成長して 以来のスーパーサイクルへの期待が膨らむ。スマートフォン向けの伸び鈍化するものの、 ...

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RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

... た同業5社平均とで比較すると、サイクルタイムを含めたいずれの項目についても、同社の水準 、5社平均を凌駕している。このような同業他社との大きな格差の背後に、どのような生産シス テムの違いが存在しているのだろうか?そのような違いをもたらしている主因何だろうか?その ような生産システム、どうすれば他社においても実践可能なのだろうか?本論で、これらの ...

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