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半導体テスタ/ハンドラ

108_06_論文_酸化物半導体_P21_P25.indd

108_06_論文_酸化物半導体_P21_P25.indd

... 5.まとめ スマートフォンに代表される小型ディスプレイ分野を リードしてきたLTPS技術に比肩できる酸化物半導体技 術を開発した。素子構造の簡素化を進めたチャンネル エッチ型構造を採用することによって,超低リーク,高 耐圧,最小素子面積を達成しLTPS技術に迫る高精細度, 開口率,狭額縁ディスプレイの実現を可能にした。本技 術は4k2k解像度を有するスマートフォン実現を目指し ...

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半導体量子デバイスの多様な展開

半導体量子デバイスの多様な展開

... 半導体レーザの変調周波数の上限を決める要因は、キャ リア数の変化に誘導放出が追随できなくなる緩和振動周波 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...

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物性物理学 半導体超伝導ナノテク 1

物性物理学 半導体超伝導ナノテク 1

... Si ドーピング ドーピング 伝導帯 価電子帯 ~1eV ~10000K P + ~0.1eV ドナー (電子供与体) アクセプター (電子受容体) ドナー(電子供与体)不純物を添加して,伝導帯に電子 が供給されるようにしたものをn-型半導体, アクセプター(電子受容体)不純物を添加して,価電子 帯に正孔ができるようにしたものをp-型半導体という 水素原子に似ている..[r] ...

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RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう に機能ごとに違う論理回路を設計すると、ひとつの半導体で機能を実現できるが、プログ ...

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通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... これらの知見は、その後の高速デバイス開発における、 COD 耐性の向上などにも生かされている。 3 − 3 分布帰還型半導体レーザ トラフィックの増 大とともに、地域網においても、WDM の導入が進展した。 ここでは、波長間隔を 20nm と粗くすることで、温調装置 なしでも隣接するチャネル間の相互の影響をなくすことが 可能で、小型・低価格なシステム構築ができる CWDM 方 式が主に用いられた。CWDM ...

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半導体製造装置プロセス管理技術

半導体製造装置プロセス管理技術

... 1) レシピ特許を含むプログラム特許では、日米での出願人分布は大きな違いがある。米国登録特許では、アプライドマ テリアルズ社(AM AT)、アドバンストマイクロデバイセズ社(AM D )の上位2社でプログラム特許全体の55. 2%を占め ており、この2社は明らかに戦略的に特許を取得していると見られるのに対して、日本は大手半導体メーカや製造装 ...

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窒化物半導体の展開-結晶基板とデバイス-

窒化物半導体の展開-結晶基板とデバイス-

... かった。これは、ゲート電極の直下から裏面のドレイン電 極に向けて電流が流れる構造になっており、半導体表面に 高電界が生じないためであると考えられる (31)〜(33) 。 一般にパワーデバイスに対しては、安全性の面からノーマ リオフが要求されており、さらに +3V 程度のしきい電圧が 要求されている。このトランジスタでは、チャネル形成のた め n 型 AlGaN/GaN ヘテロエピ層を用いているため、界面 ...

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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.

... 第 1 章 序論 第 1 章では、本研究における背景と目的について説明していく。 1.1 研究背景 近年の電子機器は高速化,小型化が求められており、ディジタル回路はそれらに適してい る。ディジタル化の進展に伴い、多くの電子機器にはディジタル・アナログ変換器 (Digital- to-Analog Converter: DAC, DA 変換器) 搭載されている。身の回りの信号 (音声,画像, 光など) ...

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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

... (和文):窒化アルミニウム(AlN)などの窒化物半導体は,次世代の発光素子,太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが,素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である.本研究では,熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し,高品質 AlN 結晶膜を作製した.スパッタ法やアニール法にも取り組み,結晶品質を高める ことにも成功した.また,新たなバルク AlN ...

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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不

米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不

... 261 億ドル上方修正され、12.4%増の 4634 億ドル予測とし、調査ごとの上方修正が続いて いる。また 2019 年についても拡大を続け、4.4%増の 4837 億ドル予想とした。16~19 年 にかけ4年連続の前年比プラスとなる予想であるが、02~07 年にかけ 6 年連続で成長して 以来のスーパーサイクルへの期待が膨らむ。スマートフォン向けの伸びは鈍化するものの、 ...

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半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術

... 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、2003年 年 年3月 年 月 月3日、 月 日、 日、STRJワークショップ 日、 ワークショップ ワークショップ ワークショップ ...

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中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

中国上海・蘇州地域における半導体産業集積

... 4.まとめ 本稿では,中国半導体産業の中心地域の 1 つである上海・蘇州地域における半導体産業 集積の発展状況を分析した。上海・蘇州だけで全国 IC 総売上高の約半分を占める。部門別 でみると,設計業が 2 割弱,デバイス製造業で 4 割強,パッケージ/テスト業では 6 割強 を占める。企業数も上海・蘇州の合計で,設計企業 216 社,デバイス製造企業 8 社,パッ ケージ/テスト企業 43 社,合計 267 ...

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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

... 20 ドナー層とアクセプター層の接合を大まかに分類すると、ドナー層とアクセプタ ー層で組み合わせるヘテロ接合型と、ドナーとアクセプターを一層に混ぜ合わせる バルクへテロ接合型がある。へテロ接合型は Figure. 7-8 のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn ...

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USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

USB Type-CTM対応ディスクリート半導体

... USB Type-C TM の電源ライン、信号ラインに適した 半導体製品を提案します。 USB Type-C TM とは、USB端子の新しいコネクタ規格です。従来のコネクタに比べて 小型化されているだけではなく、電力供給もデータ通信も1本のケーブルで可能となっています。 また、上下左右対称なデザインを採用しているため、上下反転しても使用することができます。 ...

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一歩先へ SDH/PDH ジッタ / ワンダ ATM GSM V5.x ISDN フレームリレー SS#7 に対応した最新型テスタ

一歩先へ SDH/PDH ジッタ / ワンダ ATM GSM V5.x ISDN フレームリレー SS#7 に対応した最新型テスタ

... SunSet SDH は、ハンドヘルド型測定 器業界をリードするサンライズテレ コムの最新型アクセスおよびメトロ ネットワーク用テスタです。 これ1台で 2Mbit/s から 2.5Gbit/s まで のテストが可能で、SDH と SONET ネットワークの両方に対応していま す。あらゆる伝送テスト機能に加え、 ATM、GSM、GPRS、フレームリレー、 ISDN、V.5x、および音声伝送の検証 ...

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中国の半導体市場|TMT Predictions 2019 日本の視点

中国の半導体市場|TMT Predictions 2019 日本の視点

... 獲得する 中国企業には、これまで「技術は後からついてくる」という勝ちパターンが 存在した。中国のスマホメーカーがその典型である。いつの間にか安く、 性能の良い商品へと進化させ、今では世界のスマホトレンドをリードする 存在になっている。半導体においても、中国企業による製造が本格化す れば、圧倒的な価格力の具備は容易に想定される。そうであれば、日本 の半導体企業が戦っていくためには、日々研鑽を積んでいる技術力の差 ...

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[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

[NE ハンドブックシリーズ]  パワー半導体

... パワーMOSFET(metal-oxide-semiconductor field- effect transistor :金属酸化膜半導体電界効果トランジス タ)やIGBT(insulated gate bipolar transistor:絶縁ゲー ト・バイポーラ・トランジスタ)といったパワー半導体デ バイスに対する注目度がかつてないほどに高まっている ...

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RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

RIETI - 半導体生産方式におけるUMCJの強さを分析:トヨタ生産方式の半導体版?

... 「今やこの産業も他の一般の製造業と同じく、徹底した効率向上のみがコスト削減、つまり利 潤の増大の Key となってきたのである。それには半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部にその動きも出始めている。」(STRJ(2002)) 本論の目的は、以上の現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 ...

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半導体試験・測定システム

半導体試験・測定システム

... 第3章 研究開発動向分析 第1節 日米欧の研究開発組織(研究開発リーダ) 1.半導体メーカ 第3−1表にある売上高上位の日本の半導体メーカ4社は、いずれも、先端研究を行 う中央・基礎研究所、実用化への研究開発を行う生産技術研究所、開発技術の運用改善 を行う生産ラインを備えており、上記4社では半導体試験・測定システムの技術開発を ...

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BSXシリーズ・ビット・エラー・レート・テスタ・データ・シート

BSXシリーズ・ビット・エラー・レート・テスタ・データ・シート

... (暫定仕様) -- BERTScope BSX シリーズ・ビット・エラー・ レート・テスタには、最新の Gen4 規格をはじめとする最 新規格に対応した、レシーバ・テスト・プラットフォームが 導入されています。強力なデータ処理機能と Tx イコライ ゼーション機能を備えた BERTScope は、最高 32Gbps の データ・レートに対応したインタラクティブなリンク・ト ...

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