半導体チップ内でたくさんの
( ア ) 窒化ガリウム系化合物半導体を有するLEDチップと, 該 LEDチップを直接覆うコーティング樹脂であって, 該 LEDチップからの第 1の光の少なくとも一部を吸収し波長変換して前記第 1の光とは波長の異なる第 2の光を発光するフォトルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング樹脂を有し, 前
... （別紙） 〔プレスリリース目録〕 台湾Everlight社製白色ＬＥＤに対する新たな特許侵害訴訟の提起について ２０１１年１０月４日，日亜化学工業株式会社（本社：●●●●●●，社 長：●●●●）は，株式会社立花エレテック（本社：●●●●●●，社長：● ●●●。以下「立花社」）を被告として，台湾最大のＬＥＤアッセンブリメー カーであるEverlight ...
15
40 年前と現在 固定無線しか使えないと教えられた周波数がモバイルに使われている 音声主体の単機能端末が ALL in One の手のひらに乗る多機能端末 ( スマートフォン タブレット ) に進化 一家に一台から一人一台 さらにモノにまでワイヤレスチップが搭載されている 半導体チップ (CPU メ
... Expand the Network, Beyond the Network Copyright © NTT Broadband Platform, Inc. All Right Reserved. 19 フリーWi-Fiの認証方法は、利便性を重視するか、セキュリティ（安全・安心）を重視するかにより、エリア毎に複数のパターンが存在 モバイラー等の利用者が支持 ...
30
[ 1] ポートの内 8 6ポートは Intel チップ ICH9R 2ポートは GIGABYTE チップ RAID 0/1/5/10/JBOD に対応しています [ 2] 最大数利用するには別途 USB/IEEE ケーブルをご用意ください [ 3] 2008 年 1 月 26 日現在の付属品となり
... ギガバイト独自の品質規格 Ultra Durable2 対応 ギガバイト独自の品質規格 Ultra Durable2 に対応しています。電流の抵抗値が少ない低発熱な低 RDS（on）MOSFET、 エネルギー損失の少ない高効率なフェライトコア（コイル）、耐久性に優れた日本メーカ製の耐久性固体コンデンサの 採用により、発熱を 16％抑え、エネルギー損失を ...
6
米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... 北米 23.8％増、その他アジア 35.2％増、欧州 14.5％増などがカバーし、輸出受注全体では 9.5％増を確保している。また注目すべきは受注残高水準で、5 月末で前年同月比 32.5％増 の 7975 億円は、2008 年 2 月の 7719 億円を抜き、過去最高の受注残高となっている。続く 6 月速報も全体で 1593 ...
11
ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
29
図 2 図 3 LED チップの形状とサイズ MOC D 反応 内のレイアウトがある 以下ではまず これらの要素を 1 つずつ説明してから それらすべてを考 して の比較シミュレーシ ンを行い 多様なウエ サイズによって製造できる LED チップの数について はるかに合理的な見 もりを示したいと思う
... ていることである。しかし、HB-LED の場合は、複数のパターンを適用した の部分を正確に一 させなければ、 LEDの まりが低下してしまう。こ こで求められる 度は、非常に達成が 困難であることが明らかになっている。 上述の市場状況と技術的課題の によって、大 基板の大 普及を ...
7
半導体技術分野の重要技術説明資料
... Ⅲ−5 ーネットを介したコンテンツ配信が大きく伸びると見るのが自然である。そのため、これらの 大量のデータを保存して供給するための超高速・超大容量のネットワークサーバー用ストレー ジに対する需要は増加の一途をたどるであろう。通信トラフィックは無限ではあり得ないので、 ...
28
SiC半導体
... 6H-SiC のホモエピタキシャル成長方法について以下 に記す。6H-SiCは現状，基板としての供給が十分でな いことから，6H-SiCインゴットもしくはアチソン結晶 を基板状に加工し，鏡面仕上げを行う必要がある。研 磨による鏡面仕上げの後では，基板表面は顕微鏡観察 により傷等の観られないことを確認している。その後， ...
11
ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 ...
29
半導体工学の試験範囲
... d の階段型の pn 接合に関する以下の設問に答 えよ。ただし、空乏層内の電荷はイオン化したアクセプタとドナーのみとし、 p および n 領域の厚さは 十分大きく、空乏層外の p 領域、 n 領域では電界は無視でき、アクセプタとドナーはすべてイオン化し ているものとする。また、座標は、接合面を x=0 とし、 n 領域を x ...
17
ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... LED の市場は世界的な拡大を 見せているがその価格に課題が残り、更なる材料作製プ ロセスの低コスト化が望まれている。また、その発光領 域の拡大にむけて、 GaN 系混晶半導体の他、赤色領域 から深紫外領域にわたる広い範囲での高効率・低価格発 光素子の開拓に関する研究が進められている。これらワ ...
2
半導体デバイスの信頼性
... FET の熱破壊モードと異なり、静電気破壊の場合、一部分が 破壊するのが特徴である。これは、電圧は高いが、流れる電荷量が限られているため、最も電界が集中 する部分のみに電流が流れて焼損するだけで、他の領域まで広がらないからである。 したがって、L/N FET は特に充分に静電対策を行っ環境下で取り扱う必要がある。以下に推奨条件 ...
9
RIETI - 汎用技術としての半導体
... をとるには、技術を何らかの形でオープンにすることが不可欠だということである 11 。 ６．結論 日本の半導体産業は、長いトンネルを抜けて「復活」の時期を迎えたともいわれる。メ モリでは、回路の微細化が極限に近づくにつれて従来のプロセス技術を根本的に見直す必 ...
25
半導体量子デバイスの多様な展開
... 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...
8
「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... ＜開発技術の概要＞ 本技術は、ストライプミラーと 1 枚の単一面型の VBG を用いた外部共振器構造を構成す ることにより、2 個の LD スタックのスペクトル幅を 0.31 nm 以下と 8 分の 1 以下まで狭く し、高効率で高強度を実現すると同時に、駆動電流や動作温度の影響を受けない安定動作 を実現するものです。これは、LD ...
5
通信用半導体レーザの開発
... にして、1.31µm のファブリ・ぺロレーザ（FP ： Fabry- Perot）からスタートした。デバイスの模式図を図 3 に示す が、組成の異なる GaInAsP で構成される MQW 構造活性層 を成長後に、導波路ストライプをマスクとしてメサ状に エッチングし、p-InP 及び n-InP を選択再成長している。こ れによって、逆バイアスによる電流ブロック層を形成し、 ...
8
チップ・サイズ・パッケージ
... 携帯電話以外にも、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末（PD A）などは、今後市場の拡大が期 待される。これらの機器に共通するのは、携帯性へのニーズの高さと今後も高機能化を目指した 技術革新が続くことである。CSPは、小型・軽量・薄型などの特徴を持っており、携帯電話、デジ タルビデオカメラ、携帯情報端末（PD A） ...
20
ワイドギャップ半導体の光学特性評価
... LED のほか、省エネルギーのためのパワーデバイスの実用化に貢献してい る。しかし、基板となるべきバルク結晶の育成技術は開発途上で、殆どのデバイスは異種基板上へのエピタキシャル成 長材料を使っている。デバイス作製時には結晶表面の機械的・化学的研磨による平坦化が施されるため、結晶欠陥と歪 ...
2
実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回
... ２．トランジスタ トランジスタは１９４８年にアメリカのベル電話研究所で W.ショックレーら３人の物理学者により 発明され、１９５６年にノーベル物理学賞を受賞している。現在は一つの半導体上に数万個のトラ ンジスタが集積された VLSI が広く普及し、社会生活を支えているが、その動作原理はトランジスタ ...
28
ワイドギャップ半導体の光学的特性評価
... への機械的研磨により結晶表面近傍に導入される欠陥と光学特性と の関係を PL スペクトルと TEM 像との比較により評価した。その結果、導入された欠陥は主として転位であり、(0001) 面となす角度から、滑り面が (0001)、(11-22)、または(1-101)面であることが示唆された。以上の結果、研磨により誘 導される PL ...
2