半導体エレクトロニクス ( パワーエレクトロニクス ) Semiconductor Electronics(Power Electronics)
Preface The semiconductor industry has developed remarkably with the rapid progress of micro electronics technology. TANAKA DENSHI KOGYO K.K. has grow
... The semiconductor industry has developed remarkably with the rapid progress of micro electronics ...the semiconductor industry since we started to supply materials for germanium transistor more than ...
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Preface The semiconductor industry has developed remarkably with the rapid progress of micro electronics technology. TANAKA DENSHI KOGYO K.K. has grow
... 〒842-0031 佐賀県神埼郡三田川町大字吉田2303-15 Tel.+81-952-53-2345 Fax.+81-952-52-6087 TANAKA ELECTRONICS SINGAPORE PTE LTD. 田中エレクトロニクス・シンガポールPte.Ltd. 29 Pandan Crescent Singapore 128473 Tel.+65-6778-4411 Fax.+65-6778-9255 ...
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博士論文 パワー半導体製造工程における高温熱処理と シリコン結晶欠陥の研究 A study on high-temperature annealing and silicon crystal defects for power semiconductor manufacturing process
... パワーエレクトロニクスの分野においても、電力変換システムにおける電力損 失の低減や電力変換効率の向上が求められ、多くの研究が行われている。その 適用分野は、モータや電気鉄道、ＦＡ（Factory Automation）システムといっ た消費型のアプリケーションだけでなく、ＵＰＳ（Uninterruptible Power ...
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1 研究実施の概要 (1) 実施概要本研究では柔軟で面積の大きい自己組織化グラファイトシートを基板材料とする半導体エレクトロニクスの開発を行った 安価で柔軟な大面積材料上に半導体薄膜が成長可能となれば 従来の単結晶ウェハーの持つ価格が高い 堅くて脆い 面積が小さいといった問題点を一挙に解決でき 従来
... - ４２ - §５ 最後に 本研究では、自己組織化グラファイトシートを用いた新しい半導体エレクトロニクスを展開するた めに、グラファイトシート上に半導体デバイスを作製する技術を開発し、最終年度までにその動作 を実証することを目的とした。また、この最終目標を実現するために、大面積量産に適したパルスス パッタ堆積（PSD）法を用いた半導体結晶成長技術の確立を行った。PSD ...
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パワーエレクトロニクスと電動機制御入門
... パワー エレクトロニクス 制御 パワーエレクトロニクス power electronics control Power Electronics 電気機器 electric machinery 変圧器 transformer 回転機 rotating machine 直流機 DC machine 交流機 ＡＣ machine 誘導機 induction machine 同[r] ...
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通信用半導体レーザの開発
... し （1）〜（3） 、その後の研究開発、製造に用いてきた。 2 − 2 量子井戸構造の開発 GaInAsP のような化合 物半導体は、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップの 異なる 2 つの薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップの低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ンドギャップの狭い層が電子の平均自由工程程度の厚み （数 10 ...
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『ザインエレクトロニクス』 企業調査レポート｜サービス紹介｜FISCO
... 本資料のご利用については、必ず巻末の重要事項（ディスクレーマー）をお読みください。 会社概要 同社では事業基盤の多角化を進めるため、M&A にも注力している。2003 年に高周波無線通信用半導体のファ ブレスメーカーであったギガテクノロジーズ ( 株 ) を吸収合併しつつ、世界大手半導体メーカーから半導体開 発チーム一体での採用を行ったほか、2009 ...
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1. 概要有機半導体は 現在 主に用いられているシリコンなどの無機半導体と比べて以下の特長があり 次世代トランジスタなどエレクトロニクス素子への応用開発研究が盛んに行われています 1 塗布法 印刷法といった簡便かつ比較的低温での作製が容易 2 薄型 3 低コスト 4 プラスティック RFID タグや
... （2）技術的背景 東京大学竹谷教授らは 2003 年に有機半導体の結晶を用いたトランジスタを開発し、これまでよりも 格段に高い性能を実現することを見出していたため、実用化に有利な溶液塗布法によって有機半導体 結晶を作製する方法を検討してきました。2011 年には、溶液から有機半導体結晶を析出させてきわめ て高性能の有機 TFT を開発し、2012 ...
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2017, January, NEWS LETTER 電子情報通信学会 No. 164 エレクトロニクスソサイエティ 目次 巻頭言 1 エレソの持続可能な発展のために [ エレクトロニクスソサイエティ副会長 ] 津田邦男 ( 東芝 ) 寄稿 [ 各賞受賞記 ] [ エレクトロニクスソサイエティ賞 ]
... 成する方法としては Ti 拡散やプロトン交換などの方法が 一般的ですが、これらの方法では結晶中の欠陥が多くなる ため、フォトリフラクティブ効果による光損傷が生じてし まいます。一方ウエハ接合法により作製した PPLN 導波路 は、結晶中の欠陥が少ないため、高い入力パワーに対する 損傷耐性に優れ、安定した特性が得られるようになりまし た。さらに LiNbO 3 のドライエッチングによるリッジ導波 ...
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ケミカル・エレクトロニクス・マテリアル関連分野マーケティング資料のご案内201209
... 【ｸﾞﾗﾌ】ブラシ付きDCモータ（コアード）需要分野別内訳推移 【表】HB型ステッピングモータ 世界主要モータメーカーシェア推移 ∼モーションソリューションで更なる顧客満足の実現と事業拡大を目指す∼････････････ 107 （世界主要メーカー数量ベース 2010年度∼2011年度見込み）････････････････････ 33 ...
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Hyper-Kamiokande用 フロントエンドエレクトロニクスの設計
... Schematic diagram of the HK electronics / DAQ system フロントエンドエレクトロニクスの配置 検出器が大きいため、タンク底部からケーブルをひくと~150mとなる。 アナログ信号を引くと、信号の劣化が発生 ...
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半導体試験・測定システム
... ９分野におよぶが、 半導体技術は情報技術分野の中で進められており、 M ED EA+はその主要プロジェクトである。 M ED EA+の中核メンバーは N oki a、Er i cs s on、 Phi l i ps などの大手であるが、各プロジェクト には 280 団体、3000 人の科学者、技術者が参加している。2003 年には約 50 のプロジェク ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... • インドにおけるIndian Premier League (IPL) クリケット競技大会の 放映に関する広告収入が増加 営業利益： 18億円の利益計上 • 米国のケーブルネットワーク会社に対するSPEの持分を一部売却 したことによる売却益を計上(83億円) • 米国において映画作品のテレビ向け売上増加が損益改善要因 Investor Relations 13 売上高[r] ...
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半導体製造装置プロセス管理技術
... 1） レシピ特許を含むプログラム特許では、日米での出願人分布は大きな違いがある。米国登録特許では、アプライドマ テリアルズ社（AM AT）、アドバンストマイクロデバイセズ社（AM D ）の上位2社でプログラム特許全体の55. 2％を占め ており、この2社は明らかに戦略的に特許を取得していると見られるのに対して、日本は大手半導体メーカや製造装 ...
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[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... パワーMOSFET（metal-oxide-semiconductor field- effect transistor ：金属酸化膜半導体電界効果トランジス タ）やIGBT（insulated gate bipolar transistor：絶縁ゲー ト・バイポーラ・トランジスタ）といったパワー半導体デ バイスに対する注目度がかつてないほどに高まっている ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関す ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 的に向上した結果、その価格も（情報量あたりでは）紙よりはるかに安くなった。今日の 半導体も、基本的にはプレーナ技術にもとづいており、これが今日の情報産業を可能にし た最大の汎用技術ということができよう(Langlois 2002)。初期のコンピュータは、トランジ スタや抵抗器などをプリント基板に配置し、多くの基板をラックに入れてひとつのマシン を構成する方式だったため、「計算能力はコストの 2 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 第 1 章 序論 第 1 章では、本研究における背景と目的について説明していく。 1.1 研究背景 近年の電子機器は高速化，小型化が求められており、ディジタル回路はそれらに適してい る。ディジタル化の進展に伴い、多くの電子機器にはディジタル・アナログ変換器 (Digital- to-Analog Converter: DAC, DA 変換器) 搭載されている。身の回りの信号 (音声，画像， 光など) ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... エピタキシャル成長 • エピタキシャル成長とは、単結晶基板上に結晶方位が 揃った単結晶の薄膜を成長させる方法のことである。 • エピタキシで得られる薄膜結晶は、バルクの結晶に比べ 結晶性、純度ともに優れており、また極めて薄い結晶膜 や複雑な多層の結晶構造を作り出せることから、特に化 合物半導体の分野では不可欠な技術となっている。 ...
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