半導体や高精細パネル
対応分野 ライフサイエンス & 医療 フラットパネルディテクター (FPD) からの高精細画像取り込みとストリーミング 内視鏡検査分野向け標準および高精細の画像取り込み 歯科分野向け標準および高精細の画像取り込み 映像誘導手術向け標準および高精細の画像取り込み 顕微鏡検査 オフライン検査ステーション
... Connectors DVI-I OUTPUT: DVI-I socket(female) connector on the bypass module bracket for digital and analog video outputs. YCbCr/AVS OUTPUTS: mini-DIN female connector on the bypass[r] ...
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藤井 依田 :4K 超高精細映像のインターネット流通に関する検討 既存の画像メディアとの相互関係を時間解像度及び空間解像度の観点より示したのが図 1である.HDTV, 映画, パソコン, ワークステーション等の既存の画像メディアを統合する位置に超高精細画像があることが解る. なお, 筆者らは画像の垂
... 4K 超高精細映像の インターネット流通に関する検討 藤井 哲郎 依田 春奈 HDTV の４倍の解像度を有する 800 万画素の 4K デジタルシネマが開発され，世界中の映画館に導入が進んでいる．こ の 4K 超高精細映像を利用したライブ中継の試みが NTT を中心に試みられてきており，東京都市大学においても東京国際 映画祭オープニングの生中継が 2009 年 10 ...
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半導体 Product Listings 整流器 ショットキー ( シングル デュアル ) 標準 高速 超高速リカバリー ( シングル デュアル ) ブリッジスーパーレクティファイア (Superectifier ) シンターグラスアバランシェダイオード 高出力ダイオード サイリスタ高出力 高速リカ
... 最大ブレークダウン電圧 ( V C : クランプ電圧) クランプ電圧は、定格のピークパルス電流によって生じるブレークダウン電圧値です。 TVSのブレークダウン電圧は 1maや10maといった非常に小さい電流を用いて測定されるので、その値は、実際のアプリケーション条件下での アバランシェ電圧とは異なります。そのため、半導体メーカーは、大電流を流した場合の標準または最大ブレーク ...
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対応分野 ライフサイエンス & 医療 フラットパネルディテクター (FPD) からの高精細画像取り込みとストリーミング 内視鏡検査分野向け標準および高精細の画像取り込み 歯科分野向け標準および高精細の画像取り込み 映像誘導手術向け標準および高精細の画像取り込み 顕微鏡検査 オフライン検査ステーション
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アニュアルファイナンシャルレポート2014 売上高の推移 | 業績の概要 | 投資家情報 | ローム 半導体 ROHM japan Rohm.com annual2014 J
... 回復傾向が続きました。ヨーロッパでは、南欧での失業率が 高止まりを続けるなど厳しい状態が続いたものの、堅調なド イツ経済や英国における住宅市場の改善など、主要国が牽引 する形でようやく景気が持ち直し始めました。アジア地域で は、インドなどで経済成長が鈍化傾向となりましたが、韓国 で通貨高の影響などで前半は伸び悩んだ消費や投資が後半で ...
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高輝度・長寿命・高効率な照明用有機ELパネルの開発と製品化,三菱重工技報 Vol.51 No.3(2014)
... 基本となる素子構造においては，電球色の特性に合わせた配光設計を行うとともに，発光材料 についても見直しを行った。具体的には演色性 Ra の改善のため，よりブロードな発光スペクトル を有する材料を導入することで，効率と演色性の両立を図っている。加えて，従来の光学フィルム では取り出すことのできなかった薄膜モード光（有機薄膜内に閉じ込められた光）を，効率良く取 ...
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半導体実装用高機能ボンディングワイヤの開発 (宇野智裕，小山田哲哉，山田 隆，小田大造）（3.13 MB）
... いる。被覆構造が多層化することで，アーク放電によりボー ルを形成するときに，多くの被覆を効率良く溶融，合金化 して真球を形成することが難しい。 Au-Pd 合金域および Pd 層の厚さ，組成分布などを精緻に適性化することで，それ ぞれ単独では得られない相乗作用を引き出している。さら に多層の被覆構造をナノレベルの極薄で高精度に造り込む 加工，熱処理のプロセス技術を確立することにより，量産 ...
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適応同定と予測制御を用いた半導体製造用超精密ステージの高速・高応答制御手法
... ここでモデル化誤差や一定値外乱によるオフセットを除去するために , 予測を行う際に 過去のモデル出力と入力を利用する独立モデル方策を使用する。 まず , モデルがプラントと 同じでなければ , 特に , モデルの定常ゲインが正確でなければ , プラント出力は意図しない 最終値に到達してしまう。事実 , 実プラントは例外なく非線形なので , その正確な定常ゲイ ンはそれぞれの定常条件において異なる。 しかし , ...
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「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... ・VBG を用いた外部共振器で、狭いスペクトル幅の高強度ビームが得られ、スペクトル パワー密度は 6.7 倍に増大した。（図 2） ・駆動電流 100 A の時、合波した LD スタックのスペクトル幅が、8.4 分の 1 まで狭くな り 0.31 nm 以下であった。（図 3） ...
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窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性
... 半導体で最高の二次元キャリア濃度を達成 ＮＯ ２ でＦＥＴを封止 正孔濃度は従来より1桁増加 M. Kubovic and M. Kasu, Appl. Phys. Express 2 (2009) 086502 M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, Appl. Phys. Lett. (2010) 052101. -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 ...
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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究
... 図 3.4 に示したように、p 型および n 型の両サンプルで、高レベル注入においてキャリア寿命 が低下している。この理由として、次のような要因が考えられる。一つは、上記のモデル計算より 確認された、かなり高い励起キャリア密度の領域で見られる輻射再結合やオージェ再結合の影響が 考えられる。しかし、これらの再結合過程の影響が顕著になるキャリア密度の領域は、もう少し高 ...
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SiC半導体
... 3．1 SiCエピタキシャル成長装置 SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな い。このような点を考慮し，我々はSiCエピタキシャ ...
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開発の背景 2020 年の東京オリンピック パラリンピックに向け 第 5 世代移動通信システム (5G) の実用化を目指した研究開発が活発化している この背景には スマートフォンやタブレット端末の普及に伴い 高精細動画サービスなどによるデータ通信量が急激に増大していることや IoT( モノのインター
... 開発した無線機は最小配線半ピッチ65nm（ナノメートル) のシリコンCMOSプロセ スで製作し、従来のCMOSチップによる28GHz帯無線機に比べ、125倍の毎秒15ギ ガビットの無線伝送を達成した。また、電波の放射方向を0.1度の精度で調整できる 高精度ビームフォーミング（用語3）を実現した。スマートフォンに搭載可能な技術で あり、５Ｇの普及を大きく加速させる成果といえる。 ...
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エネルギーを測る Ⅰ 半導体検出器 ( 高純度ゲルマニウム検出器 シリコンドリフト検出器 ) 伊藤真義 財高輝度光科学研究センター 兵庫県佐用郡佐用町光都 谷田 肇 財高輝度光科学研究センター 兵庫県
... 素子を構成する元素の複数の蛍光 X 線に対応するエス ケープピークが現れます。 エ スケープピ ークの大き さは検出す る X 線 のエネル ギーに依存します。半導体素子の K 吸収端の直上のエネ ルギーでは，光電吸収断面積が大きく光電吸収が素子の表 面付近で起きやすくなるために，エスケープピークも大き くなります。高エネルギーになると素子内部での吸収やコ ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... 261 億ドル上方修正され、12.4％増の 4634 億ドル予測とし、調査ごとの上方修正が続いて いる。また 2019 年についても拡大を続け、4.4％増の 4837 億ドル予想とした。16～19 年 にかけ４年連続の前年比プラスとなる予想であるが、02～07 年にかけ 6 年連続で成長して 以来のスーパーサイクルへの期待が膨らむ。スマートフォン向けの伸びは鈍化するものの、 ...
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岩手県立大学視聴覚設備 仕様書 No 品名仕様数量単位 データプロジェクター 画質 フルハイヒ シ ョン ( ト ット以上 ) に対応した高精細ハ ネル搭載 明るさランフ 光源 4000 ル - メン以上 ( 高出力時 ) 参考品番 : 光源寿命約 3 千時間程度 ( 高輝度時 )
... その他 誤操作防止のため、前面パネルをロックできること HDMI長距離伝送システム 機能 AVｽｲｯﾁｬｰと接続することによりDVI(HDMI)機器と接続 が可能であること 参考品番： DCE-H1RX(ｲﾒｰｼﾞﾆｸｽ) 〃 ...
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イノベーションレポート2014 売上高の推移 | 業績の概要 | 投資家情報 | ローム 半導体 ROHM japan Rohm.com RGIR2014 all J
... パワーデバイスのラインアップ強化 業界をリードするSiCパワーデバイスは、風力発電などの再生可能エネルギーや変電所 といった大電力域での省エネ化を実現できるデバイスとして期待が集まっています。ライ ンアップ強化を進めるとともに、SiCウエハの6インチ化による生産効率の向上も図り、普 及に向けて積極的な対応を実施しています。また、既存のシリコンデバイスについても、高 ...
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頭部用3次元半導体PETの高空間分解能化
... この 80 枚の 2D-PSD と、20 枚のブリッジ基板・10 枚の 8ch アンプ基板・10 枚の RENA3 基板を検 出器ユニットに積層することで、 3 次元位置敏感型 CdTe 検出器ブロックが構成される。ブリッジ基板 は、検出器基板から得られる信号を次段の回路へ接続しやすいように分離・整理するものである。 8ch アンプ基板は、Pt 電極面信号用の増幅器、RENA3 基板は In 電極面側信号の増幅器である。RENA3 ...
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4K超高精細映像のための伝送手法の確立
... この 4K 映像を取り扱うための機器の現状は，カ メラやテレビ，プロジェクタ，録画再生装置，放送伝 送媒体に至るほとんどのものが HDTV で使用してい る規格をそのまま 4K 用に応用し製品化しているも ので，まだ一般に普及する段階には来ていない．加 えて， 4K 映像を遠隔地に伝送する唯一の方法として 考えられるのは IP ネットワークを使用する方法であ り，これにより理論的には世界のどこへでも伝送する ...
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深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究
... （ 続紙 １ ） 京都大学 博 士（工 学） 氏名 市川 修平 論文題目 Fundamental Study on Carrier Recombination Processes in AlGaN-related Materials and their Structural Designs toward Highly Efficient Deep-UV Emitters (深紫外発光素子の高効率化にむけた AlGaN ...
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