• 検索結果がありません。

半導体のバンドギャップ

Title Author(s) 可視および近赤外域にバンドギャップを有する多元系ウルツ鉱型酸化物半導体の研究 鈴木, 一誓 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /559

Title Author(s) 可視および近赤外域にバンドギャップを有する多元系ウルツ鉱型酸化物半導体の研究 鈴木, 一誓 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /559

... 0 のいずれも U < 3 eV の範囲で は U 値の増大に伴い急速に実測値に近づき、U > 4 eV では実測値に近い値（実測値との差 は最大でも ...結合角も、U の導入により格子定数とほぼ同様に実測値へと近づいていった （Figures 4-2, 4-3, 4-4）。例えば、U = 6 eV の LDA+U ...

123

第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽

... であるバンドギャップが存在する。このバンドの中で最大のエネルギーをもつ電子 の入っているものを価電子帯、価電子帯よりも 1 つ準位の高い電子が空のバンドを 伝導帯と呼ぶ。金属などでは、価電子帯中に電子が一部のみ存在するため、電子は ...

11

様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に

... nm の紫外領域まで透明であるため，発光した紫外線を吸収することなく，紫外光を効 率よく外部へ取り出せる．現在，窒化物半導体用基板としては，サファイア，SiC，GaN などが候 補として挙げられるが，紫外発光素子用基板材料として，格子整合性および紫外光透過率の観 点から，AlN 単結晶が最良の基板候補である．AlN 結晶基板は，主に昇華再結晶法で作製される が，2000 ...

19

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

... 新たな電子素子の一つとして、究極的に薄く、しかも優れた電子伝導特性を有するグラフェン材料を 用いたナノスケール素子が提案されています。今日のデジタル電子回路の重要部品であるスイッチング 素子を実現させるためには、シリコンのような半導体材料と同様に、新しい素子材料の電子状態にバン ドギャップが形成されていることが望まれます。しかし、 ...

5

半導体量子デバイスの多様な展開

半導体量子デバイスの多様な展開

... 数と寄生インピーダンスによる活性領域への電流注入効率 の低下である。我々は、緩和振動周波数を増大させるため に、量子井戸構造の導入に加え、格子不整による活性層へ の圧縮応力の印加、従来の GaInAsP 系材料に比して伝導 体バンドギャップ差が大きい AlGaInAs 系材料の適用を行 ...

8

通信用半導体レーザの開発

通信用半導体レーザの開発

... ス の 低 減 を 行 っ た 。 図 3 に 示 す 、 GaInAsP レ ー ザ の ト レ ン チ 部 分 を 低 誘 電 率 ポ リ マ ー （BCB ： Benzocyclobutene）で埋め込み、デバイスの静 電容量を低減することで、高周波帯域を 15GHz まで改善 した。これによって、10Gbps Ethernet 対応の無温調デバ ...

8

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　半導体デバイスの信頼性

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　半導体デバイスの信頼性

... FET の熱暴走 高出力デバイスの場合、消費電力が大きく、チャネル温度が上昇する場合が多い。図Ⅲ-5 に高周波 デバイスのドレイン電流・電圧特性と安全動作領域(SOA: Safe Operation Area)を示す。 ドレイン電圧が低い場合は、ドレイン電流の絶対最大定格(Idmax)で、ドレイン電圧が高い場合は、 ...

9

RIETI - 汎用技術としての半導体

RIETI - 汎用技術としての半導体

... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で ...

25

RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？

RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？

... WIP の増大は、上式の関係を通じて必然的にサイクルタイムの増大をもたらすので、 結果的に生産量が減少しサイクルタイムが上昇してしまう。加えて、半導体の生産プロセス では、同一のウェーハが複雑につながった工程の同一箇所を２０∼３０回通過することが常 ...

20

ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... •文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を得て本資料を転載複製する場合でも、記載 内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。 •当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は ...

29

半導体工学の試験範囲

半導体工学の試験範囲

... （１） ｐｎ 接合の無バイアス状態、順バイアス状態および逆バイアス状態のバンド帯図を描け。 （２）真性半導体のキャリア密度を ｎ i 、熱平衡状態における ｐ 領域とn領域の正孔密度、伝導電子密度 をそれぞれp p 、n p 、および、n n 、p n で表すと,これらの間にはどのような関係が成立するか。 （３）順バイアス状態では、 ｐ ...

17

ディスクリート半導体の基礎

ディスクリート半導体の基礎

... • 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産 ...

29

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... 1．研究開始当初の背景 ワイドギャップ半導体 GaN は光素子の他、電子デバ イスにも適用され、該デバイスの高機能化と省エネルギ ーシステムへの応用技術の開拓が行われている。 SiC と ZnO が GaN と類似の物性を有することから、最近では これら材料への期待がふくらみ、世界的にもその研究の ...

2

ＧＤＰギャップと潜在成長率

ＧＤＰギャップと潜在成長率

... 「ＮＡＩＲＵは固定的と考えた場合のＧＤＰギャップが大きいこと」と「そ のもとでインフレ率の低下がそれほど加速しないこと」は、整合的に説明でき ることになる（図表 17 のケース３） 32 。実際に可変ＮＡＩＲＵを推計した結果 をみると、 90 年代半ば頃から最近に至るまで、ほぼ一本調子に低下してきてい る（図表 18） 33 。これは、 ...

55

1980年代以降のGDPギャップと潜在成長率について

1980年代以降のGDPギャップと潜在成長率について

... GDP ギャップと主要な景気指標 推計された GDP ギャップが適切なものかどうかをみるため，主要な経済 指標と動向を比較した （図表 1 6） ． まず，GDP ギャップと景気日付を比較すると，転換点が必ずしも一致し ているわけではないが，景気後退期にはギャップがマイナス方向に，景気拡 大期にはプラス方向に動いており，基本的には景気変動に沿った動きになっ ...

30

半導体技術分野の重要技術説明資料

半導体技術分野の重要技術説明資料

... ューマ用途でも容量∼200GB、転送速度∼200Mbps の光ディスクの実用化が必要とされるであ ろう。これらが実現すれば、従来から光ディスクの弱点であったメディア当りの容量不足が解 消されると共に、対 HDD 優位性である高コストパフォーマンス、高セキュリティにより、アー ...

28

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術

半導体産業 技術開発の経済性とロードマップ 2002 年度 STRJ ワークショップ 3 月 3 日 青山フロラシオン STRJ 委員長 増原利明 1 半導体産業とロードマップの歴史 2 ロードマップの予測するコスト増大要因 3 経済性を考えた半導体技術ロードマップとは 4 まとめ 半導体産業 技術

... 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、 半導体産業、技術開発の経済性とロードマップ、2003年 年 年3月 年 月 月3日、 月 日、 日、STRJワークショップ 日、 ワークショップ ワークショップ ワークショップ ...

22

SiC半導体

SiC半導体

... SiC のエピタキシャル成長に必要な温度は 1300 ∼ 1500 ℃とSiの成長温度 ( 900∼1200℃ ) に比較して高 い。この温度は反応管材料として多く使用されている 石英の軟化温度を越える温度である。またSiCでは窒 素が n 型のド−パントとなってしまうため，装置の パ−ジガスとして他のガスを使用しなければならな ...

11

中間バンド型量子ドット太陽電池に向けた多重積層半導体量子ドットのキャリアダイナミクス

中間バンド型量子ドット太陽電池に向けた多重積層半導体量子ドットのキャリアダイナミクス

... 現在、再生エネルギーの最有力候補としてシリコン材料を用いた太陽電池ではその本質的な特性上、理論変換効率 20％程度が限界である。その最も大きな理由として、全太陽光波長の内 可視～近赤外領域の限られた波長のエネル ギーしか電気に変換できない特性を持つためである。中間バンド型量子ドット太陽電池では、トンネル効果や量子サ ...

3

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 進められ、適用範囲の拡大が図られている。これらワイ ドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用では、厚膜 材料が用いられることが多く、様々な物理的、化学的加 工プロセスを経てデバイスが作製される。最も基本的な 工程は切断と研磨で、その結果試料表面には高密度の格 子欠陥と大きな格子歪みが導入されるため、デバイス特 性向上を阻害する最も重要な工程とされ、「ダメージレ ...

2

Show all 10000 documents...

関連した話題