半導体における
RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ９０年代における我が国半導体産業の国際競争力の低下要因として、研究開発部門におけ るイノベーション能力の低下やそれらをもたらした経営判断の遅れが強調されることが多い。 たしかに、これらの主張には真に迫るところがある。ところが、我が国半導体デバイスメーカーを 詳細に観察してみると、研究開発部門のみならず、あるいは、それ以上に製造部門や生産技術 ...
20
中国上海・蘇州地域における半導体産業集積
... 4．まとめ 本稿では，中国半導体産業の中心地域の 1 つである上海・蘇州地域における半導体産業 集積の発展状況を分析した。上海・蘇州だけで全国 IC 総売上高の約半分を占める。部門別 でみると，設計業が 2 割弱，デバイス製造業で 4 割強，パッケージ／テスト業では 6 割強 を占める。企業数も上海・蘇州の合計で，設計企業 216 社，デバイス製造企業 8 社，パッ ケージ／テスト企業 43 ...
34
希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける窒素ドーピングによる強磁性抑制の研究
... 最後に、第 8 章で本研究の結論が述べられている。 審 査 の 要 旨 〔批評〕 スピントロニクスにおける応用を目指して強磁性半導体の物質探索が盛んに行われているが、物質固 有の性質として室温強磁性の発現が確認され、また強磁性発現メカニズムが解明されている例は少ない。 こうした中で、(Zn,Cr)Te は Cr 組成が 20%で強磁性転移温度が室温に達し、また強磁性が物質固有の性 ...
5
特許侵害訴訟における無効の主張を認めた判決─半導体装置事件−
... [*1865] 39) その場合には，たとえば侵害訴訟の一審の管轄を専門部の置かれている地裁に専属せしめたり（村林隆一 「特許権侵害訴訟における『特許無効』とその対策」パテント 48 巻 5 号 30 頁（1995 年）），控訴審を東京高裁 に専属せしめる（大場正成「『特許無効』とその対策」『知的財産の潮流』（1995 年・知的財産研究所 5 周年・ 信山社）などの制度改革を併用させるべきであろう。この他，渡辺／前掲注 ...
23
希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける窒素ドーピングによる強磁性抑制の研究
... 1.1.1 スピントロニクス ·············································································· 1 1.1.2 希薄磁性半導体 ·················································································· 2 1.1.3 ...
112
第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発
... ・２０００年（平成１２年） ISO9001取得 ・２００４年（平成１６年） ISO14000取得 ・２００５年（平成１７年） 第３研究棟建設 ・ ２００７年（平成１９年） 窒化物半導体工場竣工 窒化物半導体事業 ...
22
Al基近似結晶における半導体形成の可能性に関する研究
... 本論文は５章からなる。第１章は序章であり、準結晶、近似結晶とその熱電特性につ いて、研究の現状を概観し、本研究の目的、本論文の構成について述べている。準結晶 は、結晶、アモルファスと並ぶ固体構造の概念として確立したが、原子スケールの準周 期を持つ半導体や絶縁体は見つかっておらず、これらが存在するかどうかは、固体物理 学の基本的な問題の一つになっている。また、Al 基正 20 面体準結晶は比較的良い熱電 ...
2
目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... LDMOS における HCI による劣化現象のメカニズムを説明し、そ こから劣化現象を回路シミュレータ (SPICE) でシミュレートできるように、劣化モデル式 の考案，HiSIM-HV モデルを用いた劣化モデルパラメータの選定及び抽出を論じた。 提案した最大電界関数モデルについて考察する。最大電界関数モデル ...
93
半導体工学の試験範囲
... （１） ｐｎ 接合の無バイアス状態、順バイアス状態および逆バイアス状態のバンド帯図を描け。 （２）真性半導体のキャリア密度を ｎ i 、熱平衡状態における ｐ 領域とn領域の正孔密度、伝導電子密度 をそれぞれp p 、n p 、および、n n 、p n で表すと,これらの間にはどのような関係が成立するか。 （３）順バイアス状態では、 ｐ 領域より ｎ 領域へ正孔が、 ｎ 領域より ｐ ...
17
1.WSTS 2018 年春季半導体市場予測について <2018 年 6 月 5 日 ( 火 )15:00 公表文 > 〇 WSTS(WORLD SEMICONDUCTOR TRADE STATISTICS: 世界半導体市場統計 ) の 2018 年春季半導体市場予測会議が 5 月 22 日 ~24
... なお、US$1に対する円の為替レートは、2017年112.1円、2018年以降は108.4円を前提と している。 ２．製品別市場動向（世界市場） 2018年における製品別のドルベースでの市場は、ディスクリートは前年比+9.0%、市場規模 236億ドル、オプトは同+3.4%、市場規模360億ドル、センサーは同+5.9%、市場規模133億ドル、 IC全体は同+13.8%、市場規模3,905億ドルと予測した。 ...
5
ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる 働きをします。（導電度変調） これは、図3-14(b)に示すようにオン抵抗が変化するNch ...
29
ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる 働きをします。（導電度変調） これは、図3-14(b)に示すようにオン抵抗が変化するNch ...
29
半導体製造装置プロセス管理技術
... 6） 日米ともに大学、研究機関による出願は非常に少なかった。リーダ的存在も特に無く、産学連携もこれまでのところ 少ないが、今後、半導体製造プロセスの高度化の進展により管理技術も高度化していくため、大学のもつ基礎的研究 の積極的活用が必要になると考えられる。 1） I SSM における論文発表では、プロセス管理技術のウエートは大きく、上昇傾向にある（1999∼2004年で倍増）。発表 ...
34
半導体技術分野の重要技術説明資料
... や低い。最近、書換回数が無制限で10ns以下の高速動作が可能な6T4C型FeRAMが富士通で開発・製 品化され、FeRAMの応用範囲が拡大している。現在、512kbitFeRAM混載LSIや1Mbit汎用FeRAMなどの 製品が出荷されており、システムLSI 用の組込みメモリやICカード用のメモリをはじめ各種の用途 で利用されている。汎用DRAM、フラッシュメモリおよびSRAM混載システムLSIの市場を獲得するた ...
28
通信用半導体レーザの開発
... これらの知見は、その後の高速デバイス開発における、 COD 耐性の向上などにも生かされている。 3 − 3 分布帰還型半導体レーザ トラフィックの増 大とともに、地域網においても、WDM の導入が進展した。 ここでは、波長間隔を 20nm と粗くすることで、温調装置 なしでも隣接するチャネル間の相互の影響をなくすことが 可能で、小型・低価格なシステム構築ができる CWDM 方 式が主に用いられた。CWDM ...
8
太陽電池と半導体ｐｎ接合
... ナノ結晶ドットにおけるMEG • MEGは、衝突電離の仲間です。高速で走行する電子が他の電子に衝突して、そ の電子を伝導帯に励起する現象に相当します。衝突電離現象は、バルクの半導 体太陽電池にはあまり大きな効果をもたらしません。なぜなら、強く励起された電 子はフォノンを励起してエネルギーを失うからです。 ...
50
RIETI - 汎用技術としての半導体
... のように物理的な回路が抽象化され、論理的なプログラムと切り離されることによって、 半導体のモジュール化は急速に進んだ。 チューリング・マシンのような論理的なモデルでは、命令をソフトウェアで書くのも回 路で実現するのも同じことだが、実装するコストには大きな違いがある。初期の IC のよう に機能ごとに違う論理回路を設計すると、ひとつの半導体で機能を実現できるが、プログ ...
25
[NE ハンドブックシリーズ] パワー半導体
... パワーMOSFET（metal-oxide-semiconductor field- effect transistor ：金属酸化膜半導体電界効果トランジス タ）やIGBT（insulated gate bipolar transistor：絶縁ゲー ト・バイポーラ・トランジスタ）といったパワー半導体デ バイスに対する注目度がかつてないほどに高まっている ...
33
中国の半導体市場｜TMT Predictions 2019 日本の視点
... を強く受けることとなった。しかしながら、以下の理由から一時的に成長 は鈍化するものの、引き続き市場は拡大すると考えられる。 • 3D NAND や SoC 等に必要な最先端の半導体製造装置が、米国政府 方針で中国へ出荷されない場合、中国の製造装置市場は一時的に縮 小すると見られている。また、中国の製造装置メーカーが技術的に キャッチアップするためには相応の時間を要するため、米国以外の外 ...
5
Microsoft PowerPoint - 第6回半導体工学
... Q シリコンの pn接合に関する以下の問題に答えなさい。 (1)p型におけるアクセプタ濃度N A が， n型におけるドナー濃度N D に比 べて無視できるくらい少ないとする。空乏層は主にどちらの層に存 在するか？ ...
84